画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N3673a | 4.2345 | ![]() | 9171 | 0.00000000 | 遺伝的半導体 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3673 | 標準 | DO-4 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1242-1109 | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 12 a | 10 µA @ 50 V | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||||||||||
Jan1n6318d | 30.4350 | ![]() | 7819 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6318 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 8オーム | |||||||||||||||||
![]() | VLZ7V5C-GS18 | - | ![]() | 9691 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | Vlz7v5 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.93 v | 7.48 v | 8オーム | |||||||||||||||
![]() | VLZ30D-GS08 | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ30 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 µA @ 27.6 v | 29.77 v | 55オーム | |||||||||||||||
UZ822 | 22.4400 | ![]() | 5106 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 3 W | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ822 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
jantxv1n5969cus | - | ![]() | 3452 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 1 MA @ 4.74 v | 6.2 v | 1オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jan1n3050cur-1/tr | - | ![]() | 9862 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.25 w | do-213ab | - | 150-jan1n3050cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 136.8 v | 180 v | 1200オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MBRD1045T4G | 0.9300 | ![]() | 9389 | 0.00000000 | onsemi | SwitchMode™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRD1045 | ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 840 mV @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | 10a | - | ||||||||||||||
![]() | SDM20U30LPQ-7 | 0.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | SDM20 | ショットキー | x1-dfn1006-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 575 mV @ 200 Ma | 3 ns | 150 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 200mA | 20pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | UF4003HR0G | - | ![]() | 4249 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF4003 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZD27C100P | 0.2888 | ![]() | 6318 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD27C100PTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | |||||||||||||||
![]() | SHVM10 | - | ![]() | 5432 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | バルク | sicで中止されました | シャーシ、スタッドマウント | モジュール | SHVM | 標準 | - | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 10000 V | 28 V @ 800 Ma | 2 µs | 1 µA @ 10000 V | -55°C〜150°C | 500mA | - | ||||||||||||||
![]() | 66SPB200A | 7.9226 | ![]() | 9185 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SPD-2A | 66SPB | ショットキー | SPD-2A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 66SPB200ASMC | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 60 a | 1.1 MA @ 200 v | -55°C〜175°C | 60a | 900pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1N5619 TR | - | ![]() | 9571 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&ボックス( TB) | 前回購入します | 穴を通して | R-1 、軸 | 1N5619 | 標準 | GPR-1A | - | 影響を受けていない | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 1 a | 250 ns | 500 NA @ 600 V | -65°C〜200°C | 1a | 27PF @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N4759AHB0G | - | ![]() | 3578 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4759 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||||||
BZT52B30-G | 0.0461 | ![]() | 8346 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B30-GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||||
CDLL5523A | 6.4800 | ![]() | 5147 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5523 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 26オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N3156 | 31.5600 | ![]() | 2743 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N3156 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 v | 8.4 v | 15オーム | |||||||||||||||||
![]() | FR1BAFC_R1_00001 | 0.0465 | ![]() | 6183 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | FR1B | 標準 | SMAF-C | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 120,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | FFAF60U60DNTU | - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | FFAF60 | 標準 | to-3pf | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 60a | 2.2 V @ 60 a | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
jan1n5544d-1/tr | 12.3823 | ![]() | 4731 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5544d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 25.2 v | 28 v | 100オーム | |||||||||||||||||
![]() | MS8351-P2819 | - | ![]() | 3213 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-MS8351-P2819 | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 15 Ma | 60pf @ 0V、1MHz | Schottky -1ペアシリーズ接続 | 3V | 9OHM @ 10MA 、100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SD101B-TAP | 0.0446 | ![]() | 6641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | SD101 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 15 ma | 200 Na @ 40 V | 125°C (最大) | 30ma | 2.1pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | jantxv1n758a-1/tr | 4.6284 | ![]() | 9770 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n758a-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 8 V | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||||
![]() | HZS36-2TD-E | 0.1100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B16 L0G | 0.0357 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 na @ 12 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX884-C75,315 | 0.0382 | ![]() | 9901 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | BZX884-C75 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 52.5 v | 75 v | 255オーム | |||||||||||||||
Jan1n968d-1 | 7.1850 | ![]() | 1989年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N968 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 15 V | 20 v | 25オーム | ||||||||||||||||
![]() | NTE6206 | 21.6900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 標準 | to-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-NTE6206 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.4 V @ 15 a | 200 ns | 5 ma @ 200 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | jantx1n4955c | 18.2850 | ![]() | 2601 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4955 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 100 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 1.5オーム |
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