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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
D650N04TXPSA1	-	RFQ	9620	Infineon Technologies	-	バルク	廃止			シャーシマウント	do-200aa、a-puk	D650N04	標準		-	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		400 V		950 mV @ 450 a		20 mA @ 400 v	-40°C〜180°C	650A	-
SIDC03D60C8F1SA1	-	RFQ	1159	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ			表面マウント	死ぬ	SIDC03	標準		死ぬ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		600 V		1.95 V @ 10 a		27 µA @ 600 v	-40°C〜175°C	10a	-
UZ7707HR2	647.4450	RFQ	1017	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	スタッド			10 W	軸	-			影響を受けていない	150-UZ7707HR2	ear99	8541.10.0050	1							800 µA @ 5.7 v						7.5 v	0.7オーム
jans1n6661/tr	-	RFQ	3665	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/587	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		DO-35	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n6661/tr	ear99	8541.10.0070	1	標準回復> 500ns		225 v		1 V @ 400 Ma		50 Na @ 225 v	-65°C〜175°C	500mA	-
SMBJ5932AE3/TR13	0.8850	RFQ	2492	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5932		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 15.2 v						20 v	14オーム
1N5244B不透明Tr	-	RFQ	8919	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 10 V						14 v	15オーム
jan1n4616cur-1	16.7700	RFQ	2995	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4616		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V						2.2 v	1300オーム
R7011403XXUA	-	RFQ	7372	Powerex Inc.	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-200aa、a-puk	R7011403	標準、逆極性		DO-200AA 、R62	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1400 v		2.15 V @ 1500 a	9 µs	50 mA @ 1400 v	-65°C〜200°C	300a	-
1N5382A/TR8	-	RFQ	6244	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5382		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 101 v						140 v	230オーム
bzt52b7v5 rhg	0.2700	RFQ	8	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123F	BZT52B		500 MW	SOD-123F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 10 mA		900 Na @ 5 V						7.5 v	15オーム
1N6023D	5.1900	RFQ	9663	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6023		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 69 v						91 v	300オーム
UFR7040	97.1250	RFQ	1938年年	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-UFR7040			1
jan1n3008rb	-	RFQ	8097	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		10 µA @ 91.2 v						120 v	75オーム
RL254GP-BP	0.1425	RFQ	8107	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			穴を通して	R-3 、軸	RL254	標準		R-3	ダウンロード				353-RL254GP-BP	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 2.5 a		5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	2.5a	40pf @ 4V、1MHz
BU1010A-E3/51	2.3100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、bu	BU1010	標準		ISOCINK+™BU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250					1.1 V @ 5 a		5 µA @ 1000 v		3 a		単相	1 kV
DB151	0.1098	RFQ	5632	SMCダイオードソリューション	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-EDIP （0.321 "、8.15mm）	DB151	標準		DB-M	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 50 V		1.5 a		単相	50 v
BZX84-C10/DG/B3,23	-	RFQ	9175	Nexperia USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934065263235	ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 7 V						10 v	20オーム
PDB3ND431225	-	RFQ	1385	Powerex Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		PDB3-ND431225			10
SMAJ5921E3/TR13	-	RFQ	4805	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ5921		3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 5.2 v						6.8 v	2.5オーム
1N5994	3.4050	RFQ	5542	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5994	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1.5 v						5.6 v	70オーム
1N2998B	6.5000	RFQ	10	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa	1N2998		10 W	DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N2998B	ear99	8541.10.0080	10					1.5 V @ 2 a		5 µA @ 39.5 v						52 v	15オーム
1N5956B	-	RFQ	4203	onsemi	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5956		3 W	軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,000					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 152 v						200 v	1200オーム
BR5000	2.8100	RFQ	250	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	4 平方、BR-50		標準		BR-50	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-BR5000		8541.10.0000	50					1.1 V @ 25 a		10 µA @ 50 V		50 a		単相	50 v
BZT585B4V3T-7	0.2300	RFQ	17	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZT585		350 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 100 MA		3 µA @ 1 V						4.3 v	150オーム
243NQ100R-1	39.7300	RFQ	11	SMCダイオードソリューション	-	箱	アクティブ			シャーシマウント	ハーフパック	243nq	ショットキー		PRM1-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	1655-243NQ100R-1	ear99	8541.10.0080	27	高速回復= <500ns		100 V		860 mV @ 240 a		6 MA @ 100 V	-55°C〜175°C	240a	4800PF @ 5V、1MHz
UF3006PT_T0_00001	0.7965	RFQ	7284	Panjit International Inc.	-	チューブ	新しいデザインではありません			穴を通して	TO-247-3	UF3006	標準		to-247ad（to-3p）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	3757-UF3006PT_T0_00001	ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	15a	1.7 V @ 15 a	90 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
S40gr	6.3770	RFQ	3493	遺伝的半導体	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	S40g	標準、逆極性		DO-5	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		S40GRGN	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 40 a		10 µA @ 100 V	-65°C〜190°C	40a	-
HER102BULK	0.2100	RFQ	5	EIC半導体Inc。	-	バッグ	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-her102bulk		8541.10.0000	500	高速回復= <500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V、1MHz
1N1190ra	2.5000	RFQ	1760	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準、逆極性		DO-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N1190ra	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns				1.2 V @ 30 a			-65°C〜200°C	12a	-
JANTXV1N5533CUR-1	49.5150	RFQ	8605	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5533		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 11.7 v						13 v	90オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²