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ダイオード（166326）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
SS2P3HE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P3HE3/84A -
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive 、AEC-Q100、ESMP® テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント DO-220AA SS2p3 ショットキー DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 550 mv @ 2 a 150 µA @ 30 V -55°C〜150°C 2a -
ACZRA4744-HF Comchip Technology ACZRA4744-HF 0.1711
RFQ
 ECAD 8275 0.00000000 comchipテクノロジー aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AC、SMA ACZRA4744 1 W do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 11.4 v 15 V 14オーム
D4201N20TXPSA1 Infineon Technologies D4201N20TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 5058 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 シャーシマウント DO-200AE D4201N20 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 2000 v 1 V @ 4000 a 200 MA @ 2000 v -40°C〜160°C 6010a -
SBL8L40HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL8L40HE3/45 -
RFQ
 ECAD 3430 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 SBL8L40 ショットキー TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 40 v 500 mV @ 8 a 1 MA @ 40 V -65°C〜125°C 8a -
1N4689/TR Microchip Technology 1N4689/tr 4.0698
RFQ
 ECAD 3111 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AA 500 MW do-7 （do-204aa） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-1N4689/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 µA @ 3 V 5.1 v
BAT54WSHE3-TP Micro Commercial Co BAT54WSHE3-TP 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micro Commercial Co aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 BAT54 ショットキー SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 1 V @ 100 MA 5 ns 2 µA @ 25 V -55°C〜125°C 200mA 10pf @ 1V、1MHz
JANTXV1N5520DUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5520dur-1/tr 55.0221
RFQ
 ECAD 1163 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/437 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 500 MW DO-213AA - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jantxv1n5520dur-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 1 V 3.9 v 22オーム
BZT52C39Q Yangjie Technology BZT52C39Q 0.0270
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-BZT52C39QTR ear99 3,000
JANTXV1N4460D Microchip Technology jantxv1n4460d 38.4450
RFQ
 ECAD 7962 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/406 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4460 1.5 w DO-41 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 mA 10 µA @ 3.72 v 6.2 v 4オーム
3N250-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N250-E4/72 -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 箱 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 3N250 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 a 5 µA @ 600 v 1.5 a 単相 600 V
R7011003XXUA Powerex Inc. R7011003XXUA -
RFQ
 ECAD 2081 0.00000000 Powerex Inc. - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-200aa、a-puk R7011003 標準、逆極性 DO-200AA 、R62 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1000 V 2.15 V @ 1500 a 9 µs 50 mA @ 1000 v -65°C〜200°C 300a -
DD104N16KKHPSA1 Infineon Technologies DD104N16KKHPSA1 -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 シャーシマウント Pow-R-Blok™モジュール DD104N16 標準 Pow-R-Blok™モジュール ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 15 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 1600 v 104a 1.4 V @ 300 a 20 mA @ 1600 v 150°C
SE40NJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40NJHM3/i 0.4800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント、濡れ可能な側面 2-vdfn 標準 DFN3820A ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 14,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 4 a 1.2 µs 10 µA @ 600 V -55°C〜175°C 4a 24pf @ 4V、1MHz
CDBU43-HF Comchip Technology CDBU43-HF 0.0600
RFQ
 ECAD 6543 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CDBU43 ショットキー 0603/SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 1 V @ 200 mA 5 ns 500 NA @ 25 V 125°C （最大） 200mA 10pf @ 1V、1MHz
ESH1PA-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PA-E3/85A -
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント DO-220AA ESH1 標準 DO-220AA - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 50 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µA @ 50 V -55°C〜175°C 1a -
D650N04TXPSA1 Infineon Technologies D650N04TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 シャーシマウント do-200aa、a-puk D650N04 標準 - ダウンロード 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 400 V 950 mV @ 450 a 20 mA @ 400 v -40°C〜180°C 650A -
SIDC03D60C8F1SA1 Infineon Technologies SIDC03D60C8F1SA1 -
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 表面マウント 死ぬ SIDC03 標準 死ぬ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 600 V 1.95 V @ 10 a 27 µA @ 600 v -40°C〜175°C 10a -
UZ7707HR2 Microchip Technology UZ7707HR2 647.4450
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C スタッドマウント スタッド 10 W 軸 - 影響を受けていない 150-UZ7707HR2 ear99 8541.10.0050 1 800 µA @ 5.7 v 7.5 v 0.7オーム
JANS1N6661/TR Microchip Technology jans1n6661/tr -
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/587 テープ＆リール（ tr） アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 DO-35 - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jans1n6661/tr ear99 8541.10.0070 1 標準回復> 500ns 225 v 1 V @ 400 Ma 50 Na @ 225 v -65°C〜175°C 500mA -
SMBJ5932AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5932AE3/TR13 0.8850
RFQ
 ECAD 2492 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ5932 2 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 15.2 v 20 v 14オーム
1N5244B OPAQUE TR Central Semiconductor Corp 1N5244B不透明Tr -
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 Corp - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 10 V 14 v 15オーム
JAN1N4616CUR-1 Microchip Technology jan1n4616cur-1 16.7700
RFQ
 ECAD 2995 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 1N4616 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 2.2 v 1300オーム
R7011403XXUA Powerex Inc. R7011403XXUA -
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 Powerex Inc. - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-200aa、a-puk R7011403 標準、逆極性 DO-200AA 、R62 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1400 v 2.15 V @ 1500 a 9 µs 50 mA @ 1400 v -65°C〜200°C 300a -
1N5382A/TR8 Microsemi Corporation 1N5382A/TR8 -
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 Microsemi Corporation - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -65°C〜150°C 穴を通して T-18 、軸 1N5382 5 W T-18 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 a 500 NA @ 101 v 140 v 230オーム
BZT52B7V5 RHG Taiwan Semiconductor Corporation bzt52b7v5 rhg 0.2700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 mA 900 Na @ 5 V 7.5 v 15オーム
1N6023D Microchip Technology 1N6023D 5.1900
RFQ
 ECAD 9663 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N6023 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 69 v 91 v 300オーム
UFR7040 Microchip Technology UFR7040 97.1250
RFQ
 ECAD 1938年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 影響を受けていない 150-UFR7040 1
JAN1N3008RB Microchip Technology jan1n3008rb -
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/124 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C スタッドマウント do-203aa 10 W do-213aa - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 a 10 µA @ 91.2 v 120 v 75オーム
RL254GP-BP Micro Commercial Co RL254GP-BP 0.1425
RFQ
 ECAD 8107 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ 穴を通して R-3 、軸 RL254 標準 R-3 ダウンロード 353-RL254GP-BP ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 2.5 a 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 2.5a 40pf @ 4V、1MHz
BU1010A-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1010A-E3/51 2.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、bu BU1010 標準 ISOCINK+™BU ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 5 a 5 µA @ 1000 v 3 a 単相 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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