画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NP89N03ZUGP-E1 | - | ![]() | 6349 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 未定義のベンダー | 廃止 | 0000.00.0000 | 3,000 | 400MA (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buk9m53-60ex | 0.6700 | ![]() | 6935 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOT-1210、8-LFPAK33 | buk9m53 | モスフェット(金属酸化物) | LFPAK33 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | nチャネル | 60 V | 17a(tc) | 5V | 46mohm @ 5a 、10V | 2.1V @ 1MA | 6 NC @ 5 V | ±10V | 683 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC859BLT1G | - | ![]() | 3988 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC859 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4399 | 4.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 5 W | to-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-2N4399 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 30 a | 5MA | PNP | 4V @ 6a 、30a | 40 @ 1a 、2V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3G07BATTL1 | 2.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3G07 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 40 v | 70a(ta) | 4.5V 、10V | 7.1mohm @ 70a 、10V | 2.5V @ 1MA | 105 NC @ 10 V | ±20V | 5550 PF @ 20 V | - | 101W | |||||||||||||||||||||||||
NTMS4802NR2G | - | ![]() | 3226 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | NTMS4802 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 11.1a(ta) | 4.5V 、10V | 4mohm @ 18a 、10V | 2.5V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ±20V | 5300 PF @ 25 V | - | 910MW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS6H852NWFT1G | 1.2300 | ![]() | 7965 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | NVMFS6 | モスフェット(金属酸化物) | 5-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | nチャネル | 80 v | 10a(タタ)、40a(tc) | 10V | 14.2mohm @ 10a 、10v | 4V @ 45µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 760 PF @ 40 V | - | 3.6W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6218PBF | - | ![]() | 8651 | 0.00000000 | 国際整流器 | hexfet® | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 50 | pチャネル | 150 v | 27a(tc) | 10V | 150mohm @ 16a 、10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2210 pf @ 25 v | - | 250W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | sud50p10-43l-e3 | 2.6500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | sud50 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 100 V | 37.1a | 4.5V 、10V | 43mohm @ 9.2a 、10V | 3V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 4600 PF @ 50 V | - | 8.3W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XMFHAT2L | 0.0668 | ![]() | 1035 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SOT-723 | DTA124 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR24N15DPBF | - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | 国際整流器 | hexfet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 150 v | 24a(tc) | 10V | 95mohm @ 14a 、10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±30V | 890 PF @ 25 V | - | 140W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirls3036 | - | ![]() | 1491 | 0.00000000 | 国際整流器 | hexfet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 60 V | 195a(tc) | 4.5V 、10V | 2.4mohm @ 165a 、10V | 2.5V @ 250µA | 140 NC @ 4.5 v | ±16V | 11210 PF @ 50 V | - | 380W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB5800 | 2.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | FDB580 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 60 V | 14a(タタ)、 80a(tc) | 4.5V 、10V | 6mohm @ 80a 、10V | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ±20V | 6625 PF @ 15 V | - | 242W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfs3006-7p-ir | 3.7500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 国際整流器 | hexfet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 60 V | 240a | 10V | 2.1mohm @ 168a 、10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 V | ±20V | 8850 PF @ 50 V | - | 375W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4063D1-EPBF | 1.0000 | ![]() | 6820 | 0.00000000 | 国際整流器 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRGP4063D | 標準 | 330 W | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V 、48A 、10OHM15V | 80 ns | - | 600 V | 100 a | 192 a | 2.14V @ 15V 、48a | 1.4MJ | 150 NC | 60ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | STD2NK70Z-1 | - | ![]() | 8571 | 0.00000000 | stmicroelectronics | SuperMesh™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | std2n | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 700 V | 1.6a(tc) | 10V | 7OHM @ 800MA 、10V | 4.5V @ 50µA | 11.4 NC @ 10 V | ±30V | 280 pf @ 25 v | - | 45W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1682T | 0.1500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI5N80TU | 0.8000 | ![]() | 993 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 800 V | 4.8a(tc) | 10V | 2.6OHM @ 2.4A 、10V | 5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1250 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA )、 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTNS3CS68NZT5G | 0.1200 | ![]() | 280 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-NTNS3CS68NZT5G-488 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD800R17KE3B2NOSA1-IR | - | ![]() | 3190 | 0.00000000 | 国際整流器 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PA1774SMB 、315 | 0.0600 | ![]() | 127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | 250 MW | DFN1006-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | PNP | 200mV @ 5MA 、50mA | 270 @ 1MA 、6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SUM10250E-GE3 | 2.8900 | ![]() | 5321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | Sum10250 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 250 v | 63.5a | 7.5V 、10V | 31mohm @ 30a 、10V | 4V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ±20V | 3002 PF @ 125 v | - | 375W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP3652 | 1.0000 | ![]() | 6194 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | nチャネル | 100 V | 9a(タタ61a(tc) | 6V 、10V | 16mohm @ 61a 、10v | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 2880 PF @ 25 V | - | 150W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXH160T120L2Q2F2S1G | 114.2122 | ![]() | 6764 | 0.00000000 | onsemi | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | 500 W | 標準 | 56-PIM/Q2PACK (93x47 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-NXH160T120L2Q2F2S1G | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 3つのレベルインバーター | - | 1200 v | 181 a | 2.7V @ 15V 、160a | 500 µA | はい | 38.8 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
APT94N60L2C3G | 26.7200 | ![]() | 6476 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT94N60 | モスフェット(金属酸化物) | 264 MAX™[L2] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 94a(tc) | 10V | 35mohm @ 60a 、10V | 3.9V @ 5.4ma | 640 NC @ 10 V | ±20V | 13600 PF @ 25 V | - | 833W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8876 | 0.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 30 V | 15a(タタ)、 73a(tc) | 4.5V 、10V | 8.2mohm @ 35a 、10V | 2.5V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 1700 PF @ 15 V | - | 70W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIRB40DP-T1-GE3 | 1.4000 | ![]() | 2477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | SIRB40 | モスフェット(金属酸化物) | 46.2w | PowerPak®SO-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 40V | 40a(tc) | 3.25mohm @ 10a 、10V | 2.4V @ 250µA | 45NC @ 4.5V | 4290pf @ 20V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH20N60SFDTU | 3.8000 | ![]() | 450 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | FGH20 | 標準 | 165 W | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 2266-FGH20N60SFDTU | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、20a 、10ohm15V | 34 ns | フィールドストップ | 600 V | 40 a | 60 a | 2.8V @ 15V 、20A | 370µj(on 160µj (オフ) | 65 NC | 13ns/90ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SQ4410EY-T1_GE3 | 1.5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SQ4410 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 15a(tc) | 4.5V 、10V | 12mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 2385 PF @ 25 V | - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DIW085N06 | 4.5997 | ![]() | 5286 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2796-DIW085N06 | 8541.29.0000 | 450 | nチャネル | 85a | 240W |
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