画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | テスト条件 | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FP10R12W1T7B3BOMA1 | 43.5000 | ![]() | 5105 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypim™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | FP10R12 | 20 MW | 三相ブリッジ整流器 | ag-easy1b-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 三相インバーター | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 10 a | 1.6V @ 15V | 4.5 µA | はい | 1.89 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR900R12IP4DBPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Econopack™2 | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | FR900R12 | 20 MW | 標準 | AG-PRIME3-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2 | デュアルブレーキチョッパー | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 900 a | 2.05V @ 15V 、900A | 5 Ma | はい | 54 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGP20N6S2D | - | ![]() | 2535 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 標準 | 125 w | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 390V 、7a、25OHM、15V | 31 ns | - | 600 V | 28 a | 40 a | 2.7V @ 15V 、7a | 25µj(on )、 58µj(オフ) | 30 NC | 7.7ns/87ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75531SK8T | - | ![]() | 5192 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 80 v | 6a(ta) | 10V | 30mohm @ 6a 、10V | 4V @ 250µA | 82 NC @ 20 V | ±20V | 1210 pf @ 25 v | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hufa76429p3 | - | ![]() | 2376 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 437 | nチャネル | 60 V | 47a(tc) | 4.5V 、10V | 22mohm @ 47a 、10V | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ±16V | 1480 PF @ 25 V | - | 110W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6434-TL-E | 0.2300 | ![]() | 168 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | 6 cph | - | 適用できない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 6a(ta) | 41mohm @ 3a 、4v | - | 7 NC @ 4 V | 790 PF @ 10 V | - | 1.6W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6572A | 1.7300 | ![]() | 373 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 16a(ta) | 2.5V 、4.5V | 6mohm @ 16a 、4.5v | 1.5V @ 250µA | 80 NC @ 4.5 v | ±12V | 5914 PF @ 10 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGP13N60UFTU | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | SGP13N60 | 標準 | 60 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V 、6.5A 、50OHM、15V | - | 600 V | 13 a | 52 a | 2.6V @ 15V 、6.5a | 85µj(95µj(オフ) | 25 NC | 20ns/70ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | upa2810t1l-e1-ay | 1.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn3333 (3.3x3.3 | - | 適用できない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 13a(ta) | 12mohm @ 13a 、10V | 2.5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | 1860 pf @ 10 v | - | 1.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTA380N036T4-7-TR | 4.2820 | ![]() | 7461 | 0.00000000 | ixys | 溝 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | IXTA380 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263-7 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-IXTA380N036T4-7-TR | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 36 v | 380a | 10V | 1mohm @ 100a 、10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ±15V | 13400 PF @ 25 V | - | 480W | |||||||||||||||||||||||||||
IXTA08N120P-TRL | 2.5952 | ![]() | 1599 | 0.00000000 | ixys | 極 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IXTA08 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-IXTA08N120P-TRLTR | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 1200 v | 800ma | 10V | 25OHM @ 400MA 、10V | 4.5V @ 50µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 333 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGT72N60A3-TRL | 8.7981 | ![]() | 4357 | 0.00000000 | ixys | genx3™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | IXGT72 | 標準 | 540 w | TO-268 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-IXGT72N60A3-TRLTR | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 480V 、50A、 3OHM、15V | 34 ns | pt | 600 V | 75 a | 400 a | 1.35V @ 15V 、60a | 1.38MJ | 230 NC | 31ns/320ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXG70IF1200NA | 25.1170 | ![]() | 5432 | 0.00000000 | ixys | x2pt™xpt™ | チューブ | アクティブ | - | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | IXG70IF1200 | 標準 | SOT-227B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-IXG70IF1200NA | 0000.00.0000 | 10 | - | pt | 1200 v | 130 a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixyk30n170cv1 | 27.4088 | ![]() | 7667 | 0.00000000 | ixys | XPT™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | Ixyk30 | 標準 | 937 w | to-264 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-IXYK30N170CV1 | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 850v | 33 ns | pt | 1700 v | 100 a | 250 a | 4V @ 15V、30a | 3.6MJ (オン)、1.8MJ | 150 NC | 16ns/143ns | |||||||||||||||||||||||||||
IXTA3N110-TRL | 4.3470 | ![]() | 1435 | 0.00000000 | ixys | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IXTA3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-IXTA3N110-TRLTR | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 1100 v | 3a(tc) | 10V | 4ohm @ 1.5a 、10V | 4.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 1300 PF @ 25 V | - | 150W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GTRA263902FC-V2-R0 | 185.3754 | ![]() | 4388 | 0.00000000 | wolfspeed | ガン | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125 v | 表面マウント | H-37248C-4 | GTRA263902 | 2.495GHz〜2.69GHz | hemt | H-37248C-4 | ダウンロード | 1697-GTRA263902FC-V2-R0TR | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 280 Ma | 370W | 13.8db | - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GTRA362802FC-V1-R0 | 197.9200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | wolfspeed | ガン | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125 v | 表面マウント | H-37248C-4 | GTRA362802 | 3.4GHz3.6GHz | hemt | H-37248C-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ディスク3A001B3 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200 ma | 280W | 13.5dB | - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB201402FC-V1-R0 | - | ![]() | 8385 | 0.00000000 | wolfspeed | - | トレイ | 廃止 | 65 v | 表面マウント | H-37248-4 | 2.01GHz〜2.025GHz | ldmos | H-37248-4 | - | 1697-PTFB201402FC-V1-R0 | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | デュアル、共通のソース | 10µA | 650 Ma | 140W | 16dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PXFE211507FC-V1-R0 | 66.3392 | ![]() | 2594 | 0.00000000 | wolfspeed | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 65 v | 表面マウント | H-37248G-4/2 | PXFE211507 | 2.11GHz〜2.17GHz | ldmos | H-37248G-4/2 | ダウンロード | 1697-PXFE211507FC-V1-R0TR | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 10µA | 900 Ma | 170W | 18db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH27015p | 87.5968 | ![]() | 3229 | 0.00000000 | wolfspeed | ガン | トレイ | アクティブ | 84 v | 表面マウント | 440196 | CGH27015 | 2.3GHz〜2.9GHz | hemt | 440196 | ダウンロード | 1697-CGH27015p | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 Ma | 15W | 15dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | rjk03b9dpa-00#J53 | 0.5100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERWDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-wpak | - | 適用できない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 30a(ta) | 10.6mohm @ 15a 、10V | - | 7.4 NC @ 4.5 v | 1110 PF @ 10 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqu3n40tu | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 70 | nチャネル | 400 V | 2a(tc) | 10V | 3.4OHM @ 1A 、10V | 5V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 V | ±30V | 230 PF @ 25 V | - | 2.5w | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP2P25 | - | ![]() | 3576 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 750 | pチャネル | 250 v | 2.3a | 10V | 4ohm @ 1.15a 、10V | 5V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 V | ±30V | 250 PF @ 25 V | - | 52W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76639S3S | - | ![]() | 3617 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 188 | nチャネル | 100 V | 51a(tc) | 4.5V 、10V | 26mohm @ 51a 、10V | 3V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±16V | 2400 PF @ 25 V | - | 180W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP16N15 | 0.6400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 150 v | 16.4a | 10V | 160mohm @ 8.2a 、10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±25V | 910 PF @ 25 V | - | 108W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa76429d3s | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | nチャネル | 60 V | 20a(tc) | 4.5V 、10V | 23mohm @ 20a 、10v | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ±16V | 1480 PF @ 25 V | - | 110W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS634B_FP001 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 250 v | 8.1a(tc) | 10V | 450mohm @ 4.05a 、10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1000 pf @ 25 v | - | 38W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP82N04MLG-S18-ay | 2.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 900 | nチャネル | 40 v | 82a(tc) | 4.2mohm @ 41a 、10V | 2.5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | 9 PF @ 25 V | - | 1.8W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB45N06L | - | ![]() | 7994 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | NTB45 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGU15N40LTU | 0.8000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | to-251-3 | SGU15 | 標準 | 45 W | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 70 | - | 溝 | 400 V | 130 a | 8V @ 4.5V 、130a | - | - |
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