画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N5115 | - | ![]() | 4657 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5115 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 200 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5115JTVL02 | - | ![]() | 4741 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5115 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5116JAN02 | - | ![]() | 1064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5116 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5116JTVL02 | - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5116 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5116JTXL02 | - | ![]() | 4372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | - | 穴を通して | to-206aa | 2N5116 | to-206aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6661-E3 | - | ![]() | 5595 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N6661 | モスフェット(金属酸化物) | to-39 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 90 v | 860ma | 5V、10V | 4ohm @ 1a 、10V | 2V @ 1MA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6661JAN02 | - | ![]() | 3321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N6661 | モスフェット(金属酸化物) | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 20 | nチャネル | 90 v | 860ma | 5V、10V | 4ohm @ 1a 、10V | 2V @ 1MA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6661JTXL02 | - | ![]() | 8572 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N6661 | モスフェット(金属酸化物) | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 20 | nチャネル | 90 v | 860ma | 5V、10V | 4ohm @ 1a 、10V | 2V @ 1MA | ±20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW | |||||||||||||||||||||
3N163-E3 | - | ![]() | 5647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | 3N163 | モスフェット(金属酸化物) | to-72 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 200 | pチャネル | 40 v | 50ma(ta) | 20V | 250OHM @ 100µA 、20V | 5V @ 10µA | ±30V | 3.5 PF @ 15 V | - | 375MW | ||||||||||||||||||||||
3N164 | - | ![]() | 4665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | - | モスフェット(金属酸化物) | to-72 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 200 | pチャネル | 30 V | 50ma(ta) | 20V | 300OHM @ 100µA 、20V | 5V @ 10µA | ±30V | 3.5 PF @ 15 V | - | 375MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86255 | 4.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | FDMS86 | モスフェット(金属酸化物) | 8-PQFN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 150 v | 10a(ta )、45a(tc) | 6V 、10V | 12.4mohm @ 10a 、10v | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ±20V | 4480 PF @ 75 v | - | 2.7W | ||||||||||||||||||||
CSD19506KCS | 4.9300 | ![]() | 323 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | Nexfet™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | CSD19506 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 80 v | 100a(ta) | 6V 、10V | 2.3mohm @ 100a 、10V | 3.2V @ 250µA | 156 NC @ 10 V | ±20V | 12200 PF @ 40 V | - | 375W | |||||||||||||||||||||
![]() | FCH47N60F-F085 | 18.1300 | ![]() | 316 | 0.00000000 | onsemi | Automotive 、AEC-Q101、SuperFet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | FCH47N60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 47a(tc) | 10V | 75mohm @ 47a 、10V | 5V @ 250µA | 250 NC @ 10 V | ±30V | 8000 pf @ 25 V | - | 417W | ||||||||||||||||||||
![]() | FCP104N60F | 6.3200 | ![]() | 5216 | 0.00000000 | onsemi | Hiperfet™、Polar™ | チューブ | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | FCP104 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 37a(tc) | 10V | 104mohm @ 18.5a 、10V | 5V @ 250µA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 6130 PF @ 25 V | - | 357W | ||||||||||||||||||||
![]() | NGTB20N120IHRWG | 5.8200 | ![]() | 68 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | NGTB20 | 標準 | 384 w | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V 、20A 、10OHM15V | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 40 a | 120 a | 2.45V @ 15V 、20a | 450µj (オフ) | 225 NC | - /235ns | |||||||||||||||||||||
![]() | NGTB30N120L2WG | 8.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | onsemi | * | チューブ | アクティブ | NGTB30 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NGTB30N135IHRWG | - | ![]() | 9323 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | NGTB30 | 標準 | 394 w | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V 、30A 、10OHM15V | トレンチフィールドストップ | 1350 v | 60 a | 120 a | 2.65V @ 15V 、30A | 850µj (オフ) | 234 NC | - /250ns | |||||||||||||||||||||
![]() | NGTB40N120FL2WG | - | ![]() | 1936年年 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | NGTB40 | 標準 | 535 w | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V 、40A 、10OHM15V | 240 ns | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 80 a | 200 a | 2.4V @ 15V 、40a | 3.4MJ (オン)、1.1MJ | 313 NC | 116ns/286ns | ||||||||||||||||||||
![]() | ngtb40n60flwg | - | ![]() | 6710 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | NGTB40 | 標準 | 257 W | TO-247 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、40a 、10ohm15V | 77 ns | トレンチフィールドストップ | 600 V | 80 a | 160 a | 2.1V @ 15V 、40a | 890µj(オン)、440µJ | 171 NC | 85ns/174ns | |||||||||||||||||||||
![]() | NGTB50N120FL2WG | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | NGTB50 | 標準 | 535 w | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | NGTB50N120FL2WGOS | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V、50A 、10OHM 、15V | 256 ns | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 100 a | 200 a | 2.2V @ 15V 、50a | 4.4mj | 311 NC | 118ns/282ns | |||||||||||||||||||
![]() | ngtg30n60flwg | - | ![]() | 7494 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | NGTG30 | 標準 | 250 W | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V、30A 、10OHM15V | トレンチフィールドストップ | 600 V | 60 a | 120 a | 1.9V @ 15V 、30a | 700µj(オン)、280µj (オフ) | 170 NC | 83ns/170ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | stdled623 | - | ![]() | 9026 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | stdled623 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 620 V | 3a(tc) | 10V | 3.6OHM @ 1.1A 、10V | 4.5V @ 50µA | 15.5 NC @ 10 V | ±30V | 350 PF @ 50 V | - | 45W | ||||||||||||||||||||
![]() | stfiled627 | - | ![]() | 9884 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-262-3 | stfiled627 | モスフェット(金属酸化物) | i2pakfp(to-281) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 620 V | 7a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 2.9A 、10V | 4.5V @ 50µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 890 PF @ 50 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | stpled627 | - | ![]() | 4443 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | stpled627 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 620 V | 7a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 2.8A 、10V | 4.5V @ 50µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 890 PF @ 50 V | - | 90W | ||||||||||||||||||||
![]() | ALD210808ASCL | 7.5122 | ![]() | 5149 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | epad®、ゼロしきい値™ | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C (TJ | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | ALD210808 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n チャネル、マッチングペア | 10.6V | 80ma | - | 20MV @ 10µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||
![]() | RJP5001APP-M0#T2 | - | ![]() | 6375 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RJP5001 | 標準 | 45 W | TO-220FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V、300A 、30OHM12V | - | 500 V | 300 a | 10V @ 12V、300A | - | 100ns/200ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | DMHC4035LSD-13 | 0.8700 | ![]() | 62 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | DMHC4035 | モスフェット(金属酸化物) | 1.5W | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2nおよび2pチャンネル(ハーフブリッジ) | 40V | 4.5a 、3.7a | 45mohm @ 3.9a 、10V | 3V @ 250µA | 12.5NC @ 10V | 574pf @ 20V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||
![]() | APT13005TF-G1 | - | ![]() | 8376 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | チューブ | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | APT13005 | 28 W | TO-220-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | APT13005TF-G1DI | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 450 v | 4 a | - | npn | 900mv @ 1a 、4a | 8 @ 2a 、5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||
IRF830bpbf | 1.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRF830 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 5.3a(tc) | 10V | 1.5OHM @ 2.5A 、10V | 5V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±30V | 325 PF @ 100 V | - | 104W | ||||||||||||||||||||||
![]() | sihu3n50d-ge3 | 0.3532 | ![]() | 7013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | sihu3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 500 V | 3a(tc) | 10V | 3.2OHM @ 2.5A 、10V | 5V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ±30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) |
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