SIC
close

トランジスタ（100539）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
BSM15GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies BSM15GD120DN2BOSA1 82.8670
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 前回購入します 150°C （TJ） シャーシマウント モジュール BSM15GD120 145 W 標準 モジュール - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 三相インバーター - 1200 v 25 a 3V @ 15V、15a 500 µA いいえ 100 pf @ 25 v
BSM75GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM75GD60DLCBOSA1 -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜125°C シャーシマウント モジュール BSM75G 330 W 標準 モジュール - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 フルブリッジ - 600 V 95 a 2.45V @ 15V 、75a 500 µA いいえ 3.3 NF @ 25 V
NGTD30T120F2SWK onsemi NGTD30T120FSWK -
RFQ
 ECAD 9465 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 死ぬ NGTD30 標準 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 - トレンチフィールドストップ 1200 v 200 a 2.4V @ 15V 、40a - -
IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5 25.5900
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 ixys coolmos™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 IXKR47 モスフェット（金属酸化物） ISOPLUS247™ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 47a（tc） 10V 45mohm @ 44a 、10V 3.5V @ 3MA 190 NC @ 10 V ±20V 6800 PF @ 100 V - -
STS4DNF60 STMicroelectronics STS4DNF60 -
RFQ
 ECAD 1776 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） sts4d モスフェット（金属酸化物） 2W 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 60V 4a 90mohm @ 2a 、10V 4V @ 250µA 10NC @ 10V 315pf @ 25V ロジックレベルゲート
TSM80N1R2CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CH C5G 2.5940
RFQ
 ECAD 7637 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 TSM80 モスフェット（金属酸化物） TO-251 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 800 V 5.5a（tc） 10V 1.2OHM @ 2.75A 、10V 4V @ 250µA 19.4 NC @ 10 V ±30V 685 PF @ 100 V - 110W
C3M0280090J-TR Wolfspeed, Inc. C3M0280090J-TR 6.5900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 wolfspeed C3M™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-8 C3M0280090 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 900 V 11a（tc） 15V 360mohm @ 7.5a、15V 3.5V @ 1.2MA 9.5 NC @ 15 V +18V、 -8V 150 pf @ 600 v - 50W （TC）
PSMN4R3-30PL,127 Nexperia USA Inc. PSMN4R3-30PL、127 1.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 PSMN4R3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 30 V 100a（tc） 4.5V 、10V 4.3mohm @ 15a 、10V 2.15V @ 1MA 41.5 NC @ 10 V ±20V 2400 pf @ 12 v - 103W
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H （T2L1後VM -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8045 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 46a（ta） 4.5V 、10V 3.6mohm @ 23a 、10V 2.3V @ 1MA 90 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 10 V - 1.6W
SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3410EV-T1_GE3 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 SQ3410 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 8a（tc） 4.5V 、10V 17.5mohm @ 5a、10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±20V 1005 pf @ 15 V - 5W （TC）
PD20010S-E STMicroelectronics PD20010S-E -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 40 v Powerso-10rf 露出ボトムパッド（2 ストレートリード） PD20010 2GHz ldmos Powerso-10rf （ストレートリード） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 5a 150 Ma 10W 11db - 13.6 v
IXTA220N04T2-7 IXYS IXTA220N04T2-7 6.4098
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 ixys trencht2™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 IXTA220 モスフェット（金属酸化物） TO-263-7 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない IXTA220N04T27 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 220A（TC） 10V 3.5mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±20V 6820 PF @ 25 V - 360W
DTA143TET1 onsemi DTA143TET1 1.0000
RFQ
 ECAD 4812 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ DTA143 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.21.0095 3,000
PTFB072707FH-V1-R0 Wolfspeed, Inc. PTFB072707FH-V1-R0 -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 wolfspeed - ストリップ 廃止 65 v シャーシマウント H-34288G-4/2 768MHz ldmos H-34288G-4/2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.33.0001 50 10µA 2 a 60W 18.5dB - 28 v
AOD4136 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4136 -
RFQ
 ECAD 9122 0.00000000 アルファ＆オメガ半導体Inc. SDMOS™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 AOD41 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 25 v 25a（tc） 4.5V 、10V 11mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 250µA 16.8 NC @ 10 V ±20V 734 PF @ 12.5 v - 2.1W
IXTT30N50L2 IXYS IXTT30N50L2 18.2200
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 ixys 線形L2™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-268-3 IXTT30 モスフェット（金属酸化物） TO-268AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない -ixtt30n50l2 ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 500 V 30a（tc） 10V 200mohm @ 15a 、10V 4.5V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 25 V - 400W （TC）
NGTB40N60L2WG onsemi NGTB40N60L2WG 6.0800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 NGTB40 標準 417 w TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 400V 、40a 、10ohm15V 73 ns トレンチフィールドストップ 600 V 80 a 160 a 2.61V @ 15V 、40a 1.17MJ （オン）、280µJ 228 NC 98ns/213ns
SQJ409EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ409EP-T1_BE3 1.4900
RFQ
 ECAD 1565 0.00000000 Vishay Siliconix 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント PowerPak®SO-8 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SO-8 ダウンロード 1 （無制限） 742-SQJ409EP-T1_BE3TR ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 60a（tc） 4.5V 、10V 7mohm @ 10a 、10v 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 V ±20V 11000 pf @ 25 V - 68W （TC）
IRGS4610DTRLPBF Infineon Technologies IRGS4610DTRLPBF -
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 標準 77 W d2pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない SP001536494 ear99 8541.29.0095 800 400V 、6a 、47ohm、15V 74 ns - 600 V 16 a 18 a 2V @ 15V、6a 56µj（122µj（オフ） 13 NC 27ns/75ns
APTGT30X60T3G Microchip Technology aptgt30x60t3g 76.3606
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP3 aptgt30 90 w 標準 SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 三相インバーター トレンチフィールドストップ 600 V 50 a 1.9V @ 15V 、30a 250 µA はい 1.6 nf @ 25 v
SI3473DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3473DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 SI3473 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 5.9a（ta） 1.8V 、4.5V 23mohm @ 7.9a 、4.5V 1V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ±8V - 1.1W
RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor rgt8bm65dtl 2.3300
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜175°C 表面マウント to-252-3 RGT8BM65 標準 62 w TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 400V 、4a 、50ohm15V 40 ns トレンチフィールドストップ 650 V 8 a 12 a 2.1V @ 15V 、4a - 13.5 NC 17ns/69ns
PJZ18NA50_T0_10001 Panjit International Inc. PJZ18NA50_T0_10001 -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Panjit International Inc. - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 PJZ18NA50 モスフェット（金属酸化物） to-3pl - 3757-PJZ18NA50_T0_10001 廃止 1 nチャネル 500 V 18a（ta） 10V 350mohm @ 9a、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 2407 PF @ 25 V - 240W
R6511ENJTL Rohm Semiconductor R6511ENJTL 4.0600
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 R6511 モスフェット（金属酸化物） LPTS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 650 V 11a（tc） 10V 400mohm @ 3.8a 、10V 4V @ 320µA 32 NC @ 10 V ±20V 670 PF @ 25 V - 124W
FS800R07A2E3IBPSA1 Infineon Technologies FS800R07A2E3IBPSA1 -
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Infineon Technologies HybridPack™2 トレイ sicで中止されました FS800R07 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 3
BLC9G21LS-60AVZ Ampleon USA Inc. BLC9G21LS-60AVZ 52.8400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Ampleon USA Inc. - トレイ sicで中止されました 65 v シャーシマウント SOT-1275-1 BLC9 1.805GHz〜2.2GHz ldmos DFM6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 20 デュアル、共通のソース 1.4µA 100 Ma 60W 17.5dB - 28 v
JANSD2N3499 Microchip Technology jansd2n3499 41.5800
RFQ
 ECAD 1624 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/366 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1 W to-39 - 影響を受けていない 150-Jansd2N3499 1 100 V 500 Ma 10µa（icbo） npn 600MV @ 30MA、300MA 100 @ 150ma 、10V -
STGB10H60DF STMicroelectronics STGB10H60DF 1.9100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 STGB10 標準 115 W d²pak（ to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 400V 、10A 、10OHM15V 107 ns トレンチフィールドストップ 600 V 20 a 40 a 1.95V @ 15V 、10a 83µj（on140µj （オフ） 57 NC 19.5ns/103ns
BSS159N E6327 Infineon Technologies BSS159N E6327 -
RFQ
 ECAD 9615 0.00000000 Infineon Technologies SIPMOS® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） PG-SOT23 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 230ma（ta） 0V 、10V 3.5OHM @ 160MA 、10V 2.4V @ 26µA 2.9 NC @ 5 V ±20V 44 PF @ 25 V 枯渇モード 360MW
2SD863E-AE onsemi 2SD863E-AE 0.1400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます