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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -テスト
MRFG35010MR5 Freescale Semiconductor MRFG35010MR5 37.5500
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 フリースケール半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.21.0095 1
MRF6VP21KHR5 Freescale Semiconductor MRF6VP21KHR5 989.0600
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 フリースケール半導体 - バルク アクティブ 110 v シャーシマウント SOT-979A 235MHz ldmos NI-1230-4H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 デュアル 100µA 150 Ma 1000W 24dB - 50 v
IRF530NSPBF International Rectifier IRF530NSPBF -
RFQ
 ECAD 8799 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 17a（tc） 10V 90mohm @ 9a、10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 920 PF @ 25 V - 3.8W （TA ）、70W（TC）
RF1S640SM Harris Corporation RF1S640SM 2.5300
RFQ
 ECAD 665 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 18a（tc） 180mohm @ 10a 、10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±20V 1275 PF @ 25 V - 125W
BUK6228-55C,118 NXP USA Inc. buk6228-55c、118 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,268 nチャネル 55 v 31a（tc） 10V 29mohm @ 10a 、10V 2.8V @ 1MA 20.2 NC @ 10 V ±16V 1340 PF @ 25 V - 60W （TC）
IRF7739L2TRPBF International Rectifier IRF7739L2TRPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント DirectFet™等尺性L8 モスフェット（金属酸化物） DirectFet L8 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 246 nチャネル 40 v 46a（ta ）、 375a（tc） 10V 1mohm @ 160a 、10v 4V @ 250µA 330 NC @ 10 V ±20V 11880 PF @ 25 V - 3.8W
AUIRF3805S-7P International Rectifier AUIRF3805S-7P -
RFQ
 ECAD 3642 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） d2pak（7 リード） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 160a（tc） 10V 2.6mohm @ 140a 、10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 7820 PF @ 25 V - 300W （TC）
IRFB4115GPBF International Rectifier IRFB4115GPBF -
RFQ
 ECAD 3297 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 150 v 104a（tc） 10V 11mohm @ 62a 、10v 5V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 5270 PF @ 50 V - 380W
IRF710 Harris Corporation IRF710 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 IRF710 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 400 V 2a（tc） 10V 3.6OHM @ 1.1A 、10V 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±20V 135 PF @ 25 V - 36W （TC）
MRF5S19060MBR1 Freescale Semiconductor MRF5S19060MBR1 50.3500
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 フリースケール半導体 - バルク アクティブ 65 v TO-272bb MRF5 1.93GHz1.99GHz ldmos TO-272 WB-4 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 - 750 Ma 12W 14db - 28 v
IRF8113PBF International Rectifier IRF8113PBF -
RFQ
 ECAD 5677 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 30 V 17.2a 4.5V 、10V 5.6mohm @ 17.2a 、10V 2.2V @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ±20V 2910 PF @ 15 V - 2.5W
MRF5S9101NR1 Freescale Semiconductor MRF5S9101NR1 47.3000
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 フリースケール半導体 - バルク アクティブ 68 v 表面マウント TO-270AB 869MHz〜960MHz - TO-270 WB-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 500 - 10µA 700 Ma 100W 17.5dB - 26 v
IRLZ44ZSPBF International Rectifier IRLZ44ZSPBF -
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 国際整流器 hexfet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） PG-to263-3-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 51a（tc） 13.5mohm @ 31a 、10V 3V @ 250µA 36 NC @ 5 V ±16V 1620 pf @ 25 v - 80W
PSMN070-200P,127-NXP NXP USA Inc. PSMN070-200P、127-NXP -
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,000 nチャネル 200 v 35a（tc） 10V 70mohm @ 17a 、10V 4V @ 1MA 77 NC @ 10 V ±20V 4570 PF @ 25 V - 250W
BUK6218-40C,118-NEX Nexperia USA Inc. buk6218-40c、118-nex -
RFQ
 ECAD 1233 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 42a 10V 16mohm @ 10a 、10v 2.8V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±16V 1170 PF @ 25 V - 60W （TC）
BUK6215-75C,118-NEX Nexperia USA Inc. buk6215-75c、118-nex -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 75 v 57a（ta） 15mohm @ 15a 、10V 2.8V @ 1MA 61.8 NC @ 10 V ±16V 3900 PF @ 25 V - 128W
SIHA186N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA186N60EF-GE3 2.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix EF チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック SIHA186 モスフェット（金属酸化物） TO-220フルパック ダウンロード 1 （無制限） 742-SIHA186N60EF-GE3 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 8.4a（tc） 10V 193mohm @ 9.5a 、10V 5V @ 250µA 32 NC @ 10 V ±30V 1081 PF @ 100 V - 156W
AONS36326 Alpha & Omega Semiconductor Inc. aons36326 -
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 アルファ＆オメガ半導体Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 aons363 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 785-AONS36326TR 廃止 3,000 -
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR826LDP-T1-RE3 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet®geniv テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®SO-8 SIR826 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SO-8 - ROHS3準拠 1 （無制限） 742-SIR826LDP-T1-RE3TR ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 21.3a 10V 5mohm @ 15a 、10V 2.4V @ 250µA 91 NC @ 10 V ±20V 3840 PF @ 40 V - 5W （TA ）、83W（TC）
IPB65R099CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R099CFD7AATMA1 7.4200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q101、CoolMos™CFD7A テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント TO-263-3 IPB65R099 モスフェット（金属酸化物） PG-to263-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 650 V 24a（tc） 10V 99mohm @ 12.5a 、10V 4.5V @ 630µA 53 NC @ 10 V ±20V 2513 PF @ 400 v - 127W
IST006N04NM6AUMA1 Infineon Technologies IST006N04NM6AUMA1 3.8800
RFQ
 ECAD 1241 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™6 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 5-POWERSFN IST006 モスフェット（金属酸化物） PG-HSOF-5-1 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 58a（タタ）、475a（tc） 6V 、10V 0.6mohm @ 100a 、10V 3.3V @ 250µA 178 NC @ 10 V ±20V 8800 PF @ 20 V - 3.8W
SIHB35N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB35N60EF-GE3 6.4600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix EF バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 SIHB35 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 32a 10V 97mohm @ 17a 、10V 4V @ 250µA 134 NC @ 10 V ±30V 2568 PF @ 100 V - 250W
AONR21321 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21321 0.4600
RFQ
 ECAD 332 0.00000000 アルファ＆オメガ半導体Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERVDFN AONR213 モスフェット（金属酸化物） 8-dfn-ep（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 24a（tc） 4.5V 、10V 16.5mohm @ 12a 、10V 2.3V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±25V 1180 PF @ 15 V - 4.1W
AONS21321 Alpha & Omega Semiconductor Inc. aons21321 0.5300
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 アルファ＆オメガ半導体Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERSMD 、フラットリード aons213 モスフェット（金属酸化物） 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 14a（ta ）、24a（tc） 4.5V 、10V 16.5mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±25V 1180 PF @ 15 V - 5W （TA ）、24.5W （TC）
AOL1454_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOL1454_001 -
RFQ
 ECAD 7012 0.00000000 アルファ＆オメガ半導体Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 3-Powersmd 、フラットリード AOL14 モスフェット（金属酸化物） ultraso-8™ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 12a（タタ）、50a（tc） 4.5V 、10V 9mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1920 pf @ 20 v - 2.1W
FDMS007N08LC onsemi FDMS007N08LC 2.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onsemi PowerTrench® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn FDMS007 モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 14a（タタ84a（tc） 4.5V 、10V 6.7mohm @ 21a 、10V 2.5V @ 120µA 46 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 40 V - 2.5W （TA ）、92.6W
DMHT3006LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT3006LFJ-13 0.5153
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 12-POWERVDFN DMHT3006 モスフェット（金属酸化物） 1.3W v-dfn5045-12 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 30V 13a（ta） 10mohm @ 10a 、10v 3V @ 250µA 17NC @ 10V 1171pf @ 15V -
DMN2040UVT-13 Diodes Incorporated DMN2040UVT-13 0.0798
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 DMN2040 モスフェット（金属酸化物） TSOT-26 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10,000 nチャネル 20 v 6.7a（ta） 2.5V 、4.5V 24mohm @ 6.2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ±8V 667 PF @ 10 V - 1.2W
DMTH10H010SCT Diodes Incorporated DMTH10H010SCT 1.2202
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 dmth10 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 100a（ta） 10V 9.5mohm @ 13a 、10V 4V @ 250µA 56.4 NC @ 10 V ±20V 4468 PF @ 50 V - 2.5W （TA ）、187W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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