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メモリ（69470）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
S29GL01GS12DAE020	116.3750	RFQ	3744	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q100、GL-S	トレイ	アクティブ	-55°C〜125°C	表面マウント	64-lbga		フラッシュ - （slc）	2.7V〜3.6V	64-FBGA （9x9）	ダウンロード					3A991B1A	8542.32.0071	2,600		不揮発性	1gbit	120 ns	フラッシュ	128m x 8	CFI	60ns
S25FL256SDSBHVA10	5.0050	RFQ	8243	Infineon Technologies	fl-s	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga		フラッシュ - （slc）	2.7V〜3.6V	24-bga （8x6）	ダウンロード					3A991B1A	8542.32.0071	676	80 MHz	不揮発性	256mbit	6.5 ns	フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	750µs
AS4C4M32S-6BCN	5.3800	RFQ	190	Alliance Memory	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	AS4C4M32	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1450-AS4C4M32S-6BCN	ear99	8542.32.0002	190	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	lvttl	-
S29GL256P11TFIV20	14.5400	RFQ	44	Cypress Semiconductor Corp	GL-P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	S29GL256	フラッシュ -	1.65v〜3.6V	56-tsop	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	未定義のベンダー	2832-S29GL256P11TFIV20	3A991B1A	8542.32.0050	35		不揮発性	256mbit	110 ns	フラッシュ	32m x 8	平行	110ns	確認されていません
S26KS512SDGBHV030	12.4200	RFQ	257	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash™ks	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-VBGA	S26KS512	フラッシュ -	1.7V〜1.95V	24-fbga （6x8）	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー				1	133 MHz	不揮発性	512mbit	96 ns	フラッシュ	64m x 8	平行	-	確認されていません
IS25WE512M-RMLE	-	RFQ	4762	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		フラッシュ -	1.7V〜1.95V	16-SOIC	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25WE512M-RMLE	廃止		1	112 MHz	不揮発性	512mbit		フラッシュ	64m x 8	spi -quad i/o	50µs、1ms
Cy7C1019D-10VXI	3.1472	RFQ	4	Cypress Semiconductor Corp	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy7C1019	sram-非同期	4.5v〜5.5V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	未定義のベンダー	2832-CY7C1019D-10VXI			200		揮発性	1mbit	10 ns	sram	128k x 8	平行	10ns	確認されていません
70V24S15PFG8	-	RFQ	9755	Renesas Electronics America Inc	-	バルク	廃止								-			影響を受けていない	800-70V24S15PFG8	ear99	8542.32.0041	1
7007L35GB	-	RFQ	7849	Renesas Electronics America Inc	-	バルク	廃止								-			影響を受けていない	800-7007L35GB	廃止		1
7025L25GB/2725	-	RFQ	4519	Renesas Electronics America Inc	-	バルク	廃止								-			影響を受けていない	800-7025L25GB/2725	廃止		1
IS46LD32640C-18BLA2	-	RFQ	6906	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	134-TFBGA		SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46LD32640C-18BLA2			1	533 MHz	揮発性	2Gbit	5.5 ns	ドラム	64m x 32	HSUL_12	15ns
Cy7C1543V18-333Bzi	159.2200	RFQ	33	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	Cy7C1543	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	2	333 MHz	揮発性	72mbit		sram	4m x 18	平行	-	確認されていません
W9751G8NB25I	2.5867	RFQ	6206	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	60-VFBGA	W9751G8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-VFBGA （8x9.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W9751G8NB25I	ear99	8542.32.0028	209	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	64m x 8	平行	15ns
mt29az5a5cmgwd-18ait.87c	-	RFQ	9067	Micron Technology Inc.	-	チューブ	廃止				mt29az5				-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		557-MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C	廃止		1,440
S29PL127J70BFI040	10.5053	RFQ	3927	Infineon Technologies	pl-j	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	56-VFBGA	S29PL127	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	56-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	210		不揮発性	128mbit	70 ns	フラッシュ	8m x 16	平行	70ns
S29GL128S11DHBV13	5.7400	RFQ	6066	Infineon Technologies	gl-s	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	64-lbga	S29GL128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-FBGA （9x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		不揮発性	128mbit	110 ns	フラッシュ	8m x 16	平行	60ns
S25FL256LDPBHB023	6.3525	RFQ	2470	Infineon Technologies	fl-l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	S25FL256	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	24-bga （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	-
Cy7C1315CV18-250BZI	36.7400	RFQ	379	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	Cy7C1315	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	揮発性	18mbit		sram	512K x 36	平行	-	確認されていません
CAT28LV256G-25T	3.5200	RFQ	455	Catalyst Semiconductor Inc.	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-lcc	CAT28LV256	Eeprom	3V〜3.6V	32-PLCC（ 13.97x11.43	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.32.0051	500		不揮発性	256kbit	250 ns	Eeprom	32k x 8	平行	10ms
CY7C1514V18-250BZC	136.3600	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1514	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-	確認されていません
Cy62148bnll-70Sxi	4.7300	RFQ	1107	Infineon Technologies	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm）	Cy62148	sram	4.5v〜5.5V	32-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	25		揮発性	4mbit	70 ns	sram	512k x 8	平行	70ns
Cy7C1370DV25-200BZC	32.1200	RFQ	373	Cypress Semiconductor Corp	NOBL™	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1370	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	10	200 MHz	揮発性	18mbit	3 ns	sram	512K x 36	平行	-	確認されていません
Cy7C144E-15AXC	1.0000	RFQ	1861年年	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	64-LQFP	Cy7C144	sram- デュアルポート、非同期	4.5v〜5.5V	64-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.32.0041	90		揮発性	64kbit	15 ns	sram	8k x 8	平行	15ns	確認されていません
Cy7C12451KV18-400BZC	-	RFQ	2696	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C12451	sram- qdr ii+	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	揮発性	36mbit		sram	1m x 36	平行	-	確認されていません
Cy7C1313Cv18-167bzc	31.9600	RFQ	843	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1313	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	10	167 MHz	揮発性	18mbit		sram	1m x 18	平行	-	確認されていません
cy14b104n-ba20xi	14.5000	RFQ	312	Cypress Semiconductor Corp	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	Cy14B104	nvsram （不揮発性 sram）	2.7V〜3.6V	48-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B2B	8542.32.0041	21		不揮発性	4mbit	20 ns	nvsram	256k x 16	平行	20ns	確認されていません
Cy7C1563V18-400BZXC	188.2700	RFQ	223	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1563	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	揮発性	72mbit		sram	4m x 18	平行	-	確認されていません
w25r128jvpiq tr	2.2050	RFQ	4876	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25R128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25R128JVPIQTR	3A991B1A	8542.32.0071	5,000	104 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	3ms
CG7734AA	1.0000	RFQ	8645	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	廃止								-	適用できない						1									確認されていません
R1LV0108ESP-5SI ＃B0	5.0500	RFQ	93	Renesas Electronics America Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-SOIC （0.450 "、11.40mm 幅）	R1LV0108	sram	2.7V〜3.6V	32ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	55 ns	sram	128k x 8	平行	55ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²