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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR | 14.9250 |  | 8960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28EW01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 1gbit | 95 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
 | cy14b101i-sfxi | 14.0000 | | 2457 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | Cy14B101 | nvsram （不揮発性 sram） | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 46 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 1mbit | nvsram | 128k x 8 | i²c | - | ||||
 | 70V28L20PFGI8 | 122.1438 | | 5422 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V28 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 20ns | ||||
 | S98FL512SDSMFBG00 | 7.5145 | | 7829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 240 | |||||||||||||||||||||
 | M24C64-FCS6TP/k | 0.6100 | | 29 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 5-ufbga、wlcsp | M24C64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 5-wlcsp（ 0.96x1.07） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 450 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
| IS43LQ32640AL-062TBLI | 10.4241 | | 9537 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LQ32640AL-062TBLI | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
 | A3425746-C | 17.5000 | | 4960 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A3425746-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| A8423729-C | 110.0000 | | 2443 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A8423729-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 647653-M81-C | 37.0000 | | 6080 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647653-M81-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| W25Q80BVSSSG | - | | 5839 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | W25Q80 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25Q80BVSSSG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||||
 | IS49NLC96400A-25WBL | 52.8000 | | 2939 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC96400 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | |||
 | GD25VQ20CTIG | 0.2885 | | 6283 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25VQ20 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||||
| 71V546S133PFG8 | 7.4983 | | 4102 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | 71V546 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
 | ct8g3ersld8160b-c | 77.5000 | | 5048 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-CT8G3ERSLD8160B-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | AS4C2M32S-6TCN | - | | 7078 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | AS4C2M32 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 2ns | |||
 | MT46H32M32LFB5-5 AAT：b | - | | 5639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | w97ah2nbva1i | 5.6900 | | 117 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | W97AH2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W97AH2NBVA1I | ear99 | 8542.32.0032 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||
 | SST39VF200A-70-4I-M1QE-T | - | | 3400 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-wfbga | SST39VF200 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-wfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 128k x 16 | 平行 | 20µs | ||||
| MT29F8T08GQLCEG8-QB：c | 156.3000 | | 6470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08GQLCEG8-QB：c | 1 | ||||||||||||||||||||||
| IS49NLC36800A-25WBL | 27.7833 | | 8236 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLC36800A-25WBL | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | HSTL | - | |||||
 | Cy62177EV18LL-70BAXI | - | | 4786 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | Cy62177 | sram-非同期 | 1.65V〜2.25V | 48-FBGA （8x9.5） | ダウンロード | 131 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | sram | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | 確認されていません | ||||||||
 | S70GL0AGS00FHCR00 | - | | 7202 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | 廃止 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 180 | ||||||||||||||||||||
 | MT47H128M8B7-5E L：A TR | - | | 1824年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 600 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||
 | S29GL032N90TFI020 | - | | 8610 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | gl-n | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | S29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1 | 不揮発性 | 32mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 90ns | 検証 | |||||
| CG6142AA | - | | 6842 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
| mt53b2darn-dc | - | | 3925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,008 | |||||||||||||||||||||
 | IDT71V3578S133PFI | - | | 3594 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V3578 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71V3578S133PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
 | SM662GBD BFST | 49.3700 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GBDBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | |||||
 | CY7C11681KV18-450BZXC | 48.1000 | | 948 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C11681 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
| S34ML01G200TFV003 | - | | 6199 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | S34ML01 | - | ROHS準拠 | 3 （168 時間） | 2120-S34ML01G200TFV003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 確認されていません |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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