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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61NLP12836EC-200B3LI-TR | 7.7561 |  | 1239 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP12836 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
 | 500658-B21-C | 35.0000 | | 8941 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-500658-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 70V25L35PFI | - | | 7030 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V25L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 128kbit | 35 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 35ns | ||||
 | MT29F2G01ABAGDSF-IT：G TR | - | | 4528 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
 | IS43LD32640B-18BLI | 11.6591 | | 3570 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD32640 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 171 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| CG5816AA | - | | 5301 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
 | PC28F640P30B85E | - | | 8044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F640 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 85 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 85ns | ||
 | 24CS256T-E/OT | 0.9300 | | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | フラッシュ-nand、dram -lpddr | 1.7V〜5.5V | SOT-23-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 400 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | |||
| S27KL0641DABHB020 | 3.5500 | | 89 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 2156-S27KL0641DABHB020 | 89 | |||||||||||||||||||||
| IS25WJ064F-JBLE-TR | 0.9320 | | 6199 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25WJ064F-JBLE-TR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1.6ms | ||||
| MT62F2G64D8EK-026 WT：C TR | 90.4650 | | 7627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-026WT：CTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | w631gg8mb11i | - | | 3767 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W631GG8MB11I | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
 | IS45S16320F-7TLA1 | 12.9316 | | 4894 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
 | 70V9269L15PRF | - | | 9049 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 128-LQFP | 70V9269 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | - | |||
| Z9H53AA＃AC3-C | 81.7500 | | 7843 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-Z9H53AA ＃AC3-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 70V05L20PFI | - | | 5780 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-LQFP | 70V05L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 20ns | |||
 | IS43TR82560B-15HBL | - | | 8242 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | Cy7C1565V18-375BZC | - | | 1013 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1565 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 375 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
| H6y75et-C | 19.7500 | | 4351 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-H6Y75et-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 46W0843-C | 770.0000 | | 3038 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-46W0843-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | GS81282Z18GB-250I | 212.4680 | | 3871 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C （TJ | 表面マウント | 119-BGA | GS81282Z18 | sram- zbt | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 119-fpbga（22x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 2364-GS81282Z18GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 8m x 18 | 平行 | - | ||
 | AT25010B-SSHL-B | 0.3200 | | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | AT25010 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | AT25010BSSHLB | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | ||
| EDB4432BBBJ-1DAUT-FR TR | - | | 1981年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 134-wfbga | EDB4432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-FBGA （10x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||
| W631GU8NB-12 | 3.2692 | | 6499 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 78-VFBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W631GU8NB-12 | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
 | IS42S16160b-6bl | - | | 5461 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-LFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-LFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS42S32400D-7BI-TR | - | | 6197 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
| IS43LR32800G-6BLI | 6.3864 | | 6355 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS43LR32800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | Cy62128ell-45Sxat | 7.1500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） | Cy62128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | |||
 | Cy7C1019CV33-12BVXI | 0.8500 | | 802 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1019 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||
 | MT49H16M16FM-5 TR | - | | 6053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M16 | ドラム | 1.7V〜1.95V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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