画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C1061BV33-8ZXI | - | ![]() | 7508 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1061 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 108 | 揮発性 | 16mbit | 8 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 8ns | ||||
![]() | BV439AV-C | 17.5000 | ![]() | 7444 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-BV439AV-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MKV10Z16VFM7557 | - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | GS8160Z36DGT-250I | 23.9300 | ![]() | 542 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 100-lqfp | GS8160Z36 | sram- zbt | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 100-TQFP (20x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8160Z36DGT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | EDB8132B4PM-1DAT-FR TR | - | ![]() | 3813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 168-wfbga | EDB8132 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA(12x12) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||||
MT46H4M32LFB5-6 AT:K Tr | - | ![]() | 5356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H4M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS62WV2568EBLL-45BLI-TR | 2.2026 | ![]() | 2163 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS62WV2568 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 45ns | 確認されていません | |||
![]() | IS25LQ032B-JLLE | - | ![]() | 4303 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LQ032 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 1ms | ||||
![]() | BR24C02FJ-WE2 | 0.6696 | ![]() | 4592 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | BR24C02 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOP-J | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 10ms | ||||
BR93G76NUX-3TTR | 0.2484 | ![]() | 1717 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | BR93G76 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | VSON008X2030 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8、512 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | |||||
70T633S15BC8 | 288.3422 | ![]() | 4757 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 256-lbga | 70T633 | sram- デュアルポート、非同期 | 2.4V〜2.6V | 256-CABGA (17x17) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 9mbit | 15 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | S99FL127SABMFI101 | - | ![]() | 9054 | 0.00000000 | Analog Devices Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S99FL127SABMFI101 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CAT34C02HU4I-GTK | 0.1800 | ![]() | 52 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-CAT34C02HU4I-GTK-488 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 71v416S12ph | - | ![]() | 9847 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | 71V416S | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | 25AA160A-I/W15K | - | ![]() | 7247 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 25AA160 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | 71256S25YGI8 | - | ![]() | 9902 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | - | 800-71256S25YGI8TR | 1 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | |||||||||
IS65WV12816BLL-55TLA3 | 4.6436 | ![]() | 4136 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS65WV12816 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | Cy7C1470BV25-200BZC | - | ![]() | 7367 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1470 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | W632GG6AB-15 | - | ![]() | 7614 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | - | - | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | MEM-DR340L-SL04-ER13-C | 27.5000 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR340L-SL04-ER13-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25HL02GTFABHV150 | 22.0683 | ![]() | 9274 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 448-S25HL02GTFABHV150 | 1,300 | |||||||||||||||||||
![]() | S34MS04G200TFI000 | - | ![]() | 8858 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MS-2 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S34MS04 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4gbit | 45 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | SST39VF040-70-4C-B3KE | - | ![]() | 8791 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | SST39VF040 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 20µs | ||||
![]() | Cy7C1329S-133AXC | 5.4100 | ![]() | 262 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1329 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | 適用できない | 3A991B2A | 56 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 4 ns | sram | 64k x 32 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | STK12C68-5K55M | - | ![]() | 6765 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 28-CDIP (0.300 "、7.62mm) | STK12C68 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 26 | 不揮発性 | 64kbit | 55 ns | nvsram | 8k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 93LC86BT-I/SN | 0.5600 | ![]() | 1253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93LC86 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 1k x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | ||||
![]() | IS49RL18320-093BLI | - | ![]() | 9938 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-lbga | IS49RL18320 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 10 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS46QR81024A-083TBLA2-TR | 19.6175 | ![]() | 9373 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46QR81024A-083TBLA2-TR | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||
IS43LR16320B-6BLI-TR | - | ![]() | 9237 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 12ns | ||||
M29F400BB70N3T | - | ![]() | 6984 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 70ns |
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