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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
7130SA70JI8 Renesas Electronics America Inc 7130SA70JI8 -
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 ECAD 6025 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-lcc 7130SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 400 揮発性 8kbit 70 ns sram 1k x 8 平行 70ns
RM25C256DS-LTAI-T Adesto Technologies RM25C256DS-LTAI-T -
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 ECAD 8106 0.00000000 Adesto Technologies Mavriq™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） RM25C256 CBRAM 1.65v〜3.6V 8-tssop - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 4,000 20 MHz 不揮発性 256kbit CBRAM® 64バイトページサイズ spi 100µs、2.5ms
24LC025-E/SN Microchip Technology 24LC025-E/SN 0.4350
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 ECAD 3772 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 24LC025 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
S25HL512TDPBHB010 Infineon Technologies S25HL512TDPBHB010 11.8300
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 ECAD 1287 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 338 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
BR24G512FVM-5ATR Rohm Semiconductor BR24G512FVM-5ATR 1.0500
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 ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vssop、8-msop （0.110 "、2.80mm 幅） Eeprom 1.6V〜5.5V 8-msop ダウンロード 1 （無制限） 3,000 1 MHz 不揮発性 512kbit Eeprom 64k x 8 i²c 3.5ms
MT47H64M16NF-25E:M Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E：m -
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 ECAD 2493 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,368 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NH-062 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 272-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 272-WFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
SST39VF3201C-70-4I-EKE Microchip Technology SST39VF3201C-70-4I-EKE 3.6200
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 ECAD 3767 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） SST39VF3201 フラッシュ 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない SST39VF3201C704IEKE 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 10µs
7164L20YG Renesas Electronics America Inc 7164L20yg -
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 ECAD 9434 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） 7164L sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 27 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR 9.0440
RFQ
 ECAD 4756 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR 2,500 揮発性 16mbit 55 ns sram 1m x 16 平行 55ns
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AAT：L 9.2705
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 表面マウント 200-VFBGA 200-VFBGA （10x14.5 - 影響を受けていない 557-MT53E256M32D1KS-046AAT：L 1
71V65703S80BGG8 Renesas Electronics America Inc 71V65703S80BGG8 28.7073
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71v65703 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 9mbit 8 ns sram 256k x 36 平行 -
11LC080-E/SN Microchip Technology 11LC080-E/SN 0.4050
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 ECAD 3911 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 11LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 100 kHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 単一ワイヤ 5ms
MT47H128M4CF-25E:G Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E：g -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 128m x 4 平行 15ns
AS6C62256-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55STINTR 2.5643
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 ECAD 1601 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AS6C62256 sram-非同期 2.7V〜5.5V 28ステップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,500 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
S25FL164K0XMFA000 Nexperia USA Inc. S25FL164K0XMFA000 -
RFQ
 ECAD 3041 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FL164K0XMFA000 1
S26KS256SDABHI030 Infineon Technologies S26KS256SDABHI030 10.0975
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 ECAD 8124 0.00000000 Infineon Technologies Hyperflash™ks トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S26KS256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,690 100 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 32m x 8 平行 -
W25Q64JWWA Winbond Electronics w25q64jwwa -
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 ECAD 5870 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） - - W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWWA 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
MTFC32GAKAEEF-O1 AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gakaeef-o1 ait tr -
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 ECAD 7103 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
7130LA25TFI8 Renesas Electronics America Inc 7130LA25TFI8 -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-LQFP 7130la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP （10x10） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 500 揮発性 8kbit 25 ns sram 1k x 8 平行 25ns
DS1245WP-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1245WP-100+ 34.7088
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 ECAD 1956年年 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 34-POWERCAP™モジュール DS1245W nvsram （不揮発性 sram） 3V〜3.6V 34-POWERCAPモジュール ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -4941-DS1245WP-100+ 3A991B2A 8542.32.0041 40 不揮発性 1mbit 100 ns nvsram 128k x 8 平行 100ns
MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 5.4170
RFQ
 ECAD 1973年年 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド MB85RS2 フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 8-dfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 1,500 50 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi -
W987D6HBGX7E Winbond Electronics W987D6HBGX7E -
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-TFBGA W987D6 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 312 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
AT27C010-15PC Microchip Technology AT27C010-15PC -
RFQ
 ECAD 7027 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 穴を通して 32-dip（0.600 "、15.24mm） AT27C010 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT27C01015PC ear99 8542.32.0061 12 不揮発性 1mbit 150 ns eprom 128k x 8 平行 -
MX25U25635FXDI-10G Macronix MX25U25635FXDI-10G -
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 ECAD 1246 0.00000000 マクロニックス MX25XXX35/36 -MXSMIO™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MX25U25635 フラッシュ - 1.65V〜2V 24-cspbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
STK14CA8-NF45ITR Infineon Technologies STK14CA8-NF45ITR -
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 ECAD 3215 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） STK14CA8 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 32-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 1mbit 45 ns nvsram 128k x 8 平行 45ns
MT62F1G64D4EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AIT：B TR 58.0650
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 ECAD 1705 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D4EK-023AIT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
CY7C1414BV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1414Bv18-250bzc 49.1400
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 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1414 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 - ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 - 確認されていません
5YZ54AA-C ProLabs 5YZ54AA-C 197.5000
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-5YZ54AA-C ear99 8473.30.5100 1
5962-9150809MXA Renesas Electronics America Inc 5962-9150809MXA -
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 ECAD 5905 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 - 影響を受けていない 800-5962-9150809MXA 廃止 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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