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メモリ（69470）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS6C62256-55SCNTR	2.4816	RFQ	3009	Alliance Memory	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-SOIC （0.330 "、幅8.38mm）	AS6C62256	sram-非同期	2.7V〜5.5V	28ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1,000		揮発性	256kbit	55 ns	sram	32k x 8	平行	55ns
IDT6116SA25SOI8	-	RFQ	3753	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IDT6116	sram-非同期	4.5v〜5.5V	24-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	6116SA25SOI8	ear99	8542.32.0041	1,000		揮発性	16kbit	25 ns	sram	2k x 8	平行	25ns
W25M02GVTCIG	-	RFQ	3107	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga	W25M02	フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	24-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25M02GVTCIG	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	不揮発性	2Gbit	7 ns	フラッシュ	256m x 8	spi -quad i/o	700µs
24AA32AF-I/MS	0.5400	RFQ	4092	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅）	24AA32	Eeprom	1.7V〜5.5V	8-msop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	24aa32afims	ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	不揮発性	32kbit	900 ns	Eeprom	4k x 8	i²c	5ms
w631gg8nb09i	4.9700	RFQ	239	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GG8NB09I	ear99	8542.32.0032	242	1.066 GHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	SSTL_15	15ns
IDT71v67602S150bg8	-	RFQ	3311	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	119-BGA	IDT71v67602	sram- sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71v67602S150bg8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	150 MHz	揮発性	9mbit	3.8 ns	sram	256k x 36	平行	-
MX66UW1G45GXDI00	14.7600	RFQ	6299	マクロニックス	-	トレイ	アクティブ								-		3 （168 時間）		1092-MX66UW1G45GXDI00			480
Cy7C2570xv18-633bzxc	590.5725	RFQ	2647	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C2570	sram- ddr II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	136	633 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-
S29AL016J70TAI020A	-	RFQ	6285	スパンション	*	バルク	アクティブ								ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0071	1
IS43R86400E-6TL	-	RFQ	2705	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43R86400E-6TL			108	166 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	SSTL_2	15ns
PF48F4000P0ZTQE3	-	RFQ	6201	Micron Technology Inc.	axcell™	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	88-VFBGA 、CSPBGA	48F4000P0	フラッシュ -	1.7V〜2V	88-scsp（ 8x11）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0051	176	52 MHz	不揮発性	256mbit	100 ns	フラッシュ	16m x 16	平行	100ns
MT29F2T08EELCHD4-QA：C Tr	41.9550	RFQ	3226	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-				557-MT29F2T08EELCHD4-QA：CTR			2,000
IS49NLC96400-33BL	-	RFQ	9056	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	64m x 9	平行	-
24cs512t-e/st	1.3400	RFQ	9591	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	24CS512	Eeprom	1.7V〜5.5V	8-tssop	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	2,500	3.4 MHz	不揮発性	512kbit	400 ns	Eeprom	64k x 8	i²c	5ms
A4869092-C	37.5000	RFQ	4131	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ								-	ROHS準拠			4932-A4869092-C	ear99	8473.30.5100	1
IS43R83200F-6TLI	4.2800	RFQ	278	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R83200	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	32m x 8	平行	15ns
IS62WV2568FBLL-45TLI-TR	1.5749	RFQ	5433	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）		sram-非同期	2.2V〜3.6V	32-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS62WV2568FBLL-45TLI-TR			1,500		揮発性	2mbit	45 ns	sram	256k x 8	平行	45ns
93C46/SM	0.4900	RFQ	2	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）			93C46	Eeprom	4.5v〜5.5V		ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	不揮発性	1kbit		Eeprom	64 x 16	マイクロワイヤ	2ms
GT28F800B3T120	0.6700	RFQ	4	インテル	ETOX™	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA		フラッシュ -ブートブロック	2.7V〜3.6V	48-ubga （7.7x9）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0071	1		不揮発性	8mbit	120 ns	フラッシュ	512K x 16	cui	165µs
S26KS256SDPBHA020	11.1125	RFQ	7212	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™KS	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-VBGA	S26KS256	フラッシュ -	1.7V〜1.95V	24-fbga （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,690	166 MHz	不揮発性	256mbit	96 ns	フラッシュ	32m x 8	平行	-
70V9089L12PFI8	-	RFQ	2146	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	70V9089	sram- デュアルポート、同期	3V〜3.6V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	750		揮発性	512kbit	12 ns	sram	64k x 8	平行	-
593995-001-00	-	RFQ	5670	Infineon Technologies	-	バルク	廃止								-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1
Cy7C1441KVE33-133AXI	71.1550	RFQ	6637	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp		sram-標準	3.135V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	揮発性	36mbit	6.5 ns	sram	1m x 36	平行	-
MT46V64M8BN-6 L：F TR	-	RFQ	6285	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	mt46v64m8	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-FBGA （10x12.5	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0024	1,000	167 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
w631gg8mb09j	-	RFQ	8132	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GG8MB09J	廃止		242	1.066 GHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	SSTL_15	15ns
MT53E128M32D2DS-053 AUT：a	12.1200	RFQ	1	Micron Technology Inc.	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C	表面マウント	200-WFBGA	MT53E128	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.1V	200-WFBGA （10x14.5	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	MT53E128M32D2DS-053AUT：a	ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	揮発性	4gbit		ドラム	128m x 32	-	-
Cy7C1021CV33-12BAI	2.4000	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	Cy7C1021	sram-非同期	3V〜3.6V	48-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	12 ns	sram	64k x 16	平行	12ns
IS46LD32128A-18BPLA1-TR	-	RFQ	6426	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	168-VFBGA	IS46LD32128	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46LD32128A-18BPLA1-TR	廃止		1	533 MHz	揮発性	4gbit	5.5 ns	ドラム	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS64LF25636B-7.5TQLA3-TR	16.1595	RFQ	3699	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	100-lqfp		sram-標準	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS64LF25636B-7.5TQLA3-TR			800	117 MHz	揮発性	9mbit	7.5 ns	sram	256k x 36	平行	-
upd44325362bf5-e40y-fq1-a	57.0300	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ								ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991	8542.32.0041	1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²