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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
AT28HC256-90SU Atmel AT28HC256-90SU 1.0000
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Atmel - バルク アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） AT28HC256 Eeprom 4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ear99 8542.32.0051 1 不揮発性 256kbit 90 ns Eeprom 32k x 8 平行 10ms 確認されていません
29L8095 IBM 29L8095 -
RFQ
 ECAD 3893 0.00000000 IBM * バルク アクティブ 29L8095 - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 1
S29GL01GS11FAIV20 Infineon Technologies S29GL01GS11FAIV20 12.4950
RFQ
 ECAD 6555 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 900 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
JS28F00AP33TF Micron Technology Inc. JS28F00AP33TF -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AP33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない Q4518329 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 1gbit 105 ns フラッシュ 64m x 16 平行 105ns
MT58L128L32P1F-10 Micron Technology Inc. MT58L128L32P1F-10 7.5200
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-標準 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4mbit 5 ns sram 128k x 32 平行 -
S25FL256LAGMFB001 Nexperia USA Inc. S25FL256LAGMFB001 -
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FL256LAGMFB001 1
MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 16.7100
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 1
5962-9166207MXA Renesas Electronics America Inc 5962-9166207MXA 508.6652
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -55°C〜125°C 穴を通して 84-bpga 5962-9166207 sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 84-PGA （27.94x27.94 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-5962-9166207MXA 3 揮発性 64kbit 35 ns sram 4k x 16 平行 35ns
IS42S83200G-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-7TLI-TR 6.1201
RFQ
 ECAD 1355 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IDT71V3556S166BG8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3556S166BG8 -
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA IDT71V3556 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3556S166BG8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.5 ns sram 128k x 36 平行 -
S25FL128SDSBHV203 Infineon Technologies S25FL128SDSBHV203 3.6925
RFQ
 ECAD 3469 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 80 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
W66BL6NBUAFJ TR Winbond Electronics w66bl6nbuafj tr 5.6550
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66bl6 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66BL6NBUAFJTR ear99 8542.32.0036 2,500 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
IDT71V2556S166PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V2556S166PFI8 -
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71v2556 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V2556S166PFI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.5 ns sram 128k x 36 平行 -
AT24C1024BU4-UU-T Atmel AT24C1024BU4-UU-T -
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Atmel - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-VFBGA AT24C1024 Eeprom 1.8V〜3.6V 8-VFBGA （2.47x4.07） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 不揮発性 1mbit 550 ns Eeprom 128k x 8 i²c 5ms
SM662GX8-ACS Silicon Motion, Inc. SM662GX8-ACS -
RFQ
 ECAD 8643 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ 廃止 SM662 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
CG8975AMT Infineon Technologies CG8975AMT -
RFQ
 ECAD 4857 0.00000000 Infineon Technologies - バルク sicで中止されました - 影響を受けていない 1
S29GL256S90TFA020 Infineon Technologies S29GL256S90TFA020 7.6825
RFQ
 ECAD 5166 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 910 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
AT25DN512C-XMHF-B Adesto Technologies AT25DN512C-XMHF-B 0.3140
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 Adesto Technologies - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT25DN512 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 8µs 、1.75ms
MT48LC32M16A2P-75:C TR Alliance Memory, Inc. MT48LC32M16A2P-75：C Tr -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
AT25DN512C-SSHF-B Adesto Technologies AT25DN512C-SSHF-B 0.3900
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Adesto Technologies - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT25DN512 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 98 104 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 8µs 、1.75ms
25LC040AT-I/ST Microchip Technology 25LC040AT-I/ST 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 25LC040 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 10 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 5ms
25AA040/P Microchip Technology 25AA040/p 0.7950
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 25AA040 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 25AA040/p-ndr ear99 8542.32.0051 60 1 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 5ms
NM93C46AEN Fairchild Semiconductor NM93C46AEN 0.2000
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 93C46A Eeprom 4.5v〜5.5V 8ディップ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 マイクロワイヤ 10ms
IS61VVF409618B-7.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVF409618B-7.5TQL-TR 125.3000
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IS61VVF409618 sram- sdr 1.71V〜1.89V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 揮発性 72mbit 7.5 ns sram 4m x 18 平行 -
CY7C027-20AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C027-20AXC 38.2700
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C027 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 512kbit 20 ns sram 32k x 16 平行 20ns
S29GL032N90TFI040 Cypress Semiconductor Corp S29GL032N90TFI040 7.4700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2832-S29GL032N90TFI040 70 不揮発性 32mbit 90 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 90ns 検証
71V3557S80PFG8 Renesas Electronics America Inc 71V3557S80PFG8 8.5003
RFQ
 ECAD 2910 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71V3557 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4.5mbit 8 ns sram 128k x 36 平行 -
34VL02T/OT Microchip Technology 34VL02T/OT 0.4400
RFQ
 ECAD 1148 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント SOT-23-6 34VL02 Eeprom 1.5V〜3.6V SOT-23-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
71V416L10BE IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L10BE 8.3300
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFBGA 71V416L sram-非同期 3V〜3.6V 48-cabga （9x9） ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
7164L20TPG Renesas Electronics America Inc 7164L20TPG -
RFQ
 ECAD 5880 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip （0.300 "、7.62mm） 7164L sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 14 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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