画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
M24C08-DRDW3TP/K | 0.5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | stmicroelectronics | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | M24C08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 450 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 4ms | ||||
![]() | MT46V32M8P-6T:GTR | - | ![]() | 7161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | |||
93aa86at-i/st | - | ![]() | 2252 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 93AA86 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | マイクロワイヤ | 5ms | |||||
![]() | MT29F2T08GELCEJ4-QM:C Tr | 39.0600 | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QM:CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 24LC1025-E/SN | 4.3600 | ![]() | 512 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC1025 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 1mbit | 900 ns | Eeprom | 128k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | M29W320DT70N6F TR | - | ![]() | 4615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | MT53D1G16D1Z32MWC1 | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53D1G16D1Z32MWC1 | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT28GU01GAAA1EGC-0SIT | - | ![]() | 8997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | MT28GU01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | 71T75602S133BGGI8 | 43.1361 | ![]() | 1993年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BGA | 71T75602 | sram- sdr(zbt) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4.2 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 47C04-I/SN | 0.7200 | ![]() | 6449 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 47C04 | eeprom、sram | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 400 ns | イーラム | 512 x 8 | i²c | 1ms | |||
![]() | GD25LQ16CTIG | 0.4057 | ![]() | 5669 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | GD25LQ16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
S26KL512SDABHA030 | 11.6550 | ![]() | 6268 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™Kl | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 100 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | S25FL256SAGMFIG01 | 6.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 47 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
M29W800DB90N6T | - | ![]() | 3007 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 90ns | |||||
![]() | mt29c4g48mazbbakb-48 it tr | 16.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA(12x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit(nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | M3008316035NX0PBCY | 30.9944 | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 484-BGA | ミスター(磁気抵抗ラム) | 2.7V〜3.6V | 484-CABGA (23x23 | - | ROHS3準拠 | 800-M3008316035NX0PBCY | 168 | 不揮発性 | 8mbit | 35 ns | ラム | 512K x 16 | 平行 | 35ns | ||||||||
![]() | Cy7C25652Kv18-550bzxi | 315.0500 | ![]() | 603 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C25652 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2832-CY7C25652KV18-550BZXI | 5 | 550 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | Cy7C1041BV33-15VC | 4.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1041 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 17 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
25AA320XT-I/ST | 0.9300 | ![]() | 1835 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25AA320 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | MT28F320J3RP-11 et Tr | - | ![]() | 7985 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28F320J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | CG7854AA | - | ![]() | 8905 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | - | 影響を受けていない | 廃止 | 485 | |||||||||||||||||||||
![]() | AT29C010A-70TC | - | ![]() | 2760 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT29C010 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 1mbit | 70 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 10ms | ||||
![]() | 7142LA100J | - | ![]() | 3876 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7142la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 16kbit | 100 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | MT46V64M8TG-75 L:D TR | - | ![]() | 6585 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
IDT71256TTSA15Y | - | ![]() | 1769 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IDT71256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71256TTSA15Y | ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS25LQ016B-JNLE-TR | - | ![]() | 8919 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25LQ016 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 1ms | ||||
![]() | IS61QDB22M18C-250M3L | - | ![]() | 9855 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB22 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | 71V35761SA200BQG8 | 15.1970 | ![]() | 9642 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | 71V35761S | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy62157EV30LL-45BVXI | 11.4900 | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62157 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | ||||
EM032LXQAB313IS1T | 31.4250 | ![]() | 8182 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | ミスター(磁気抵抗ラム) | 1.65V〜2V | 24-tbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 819-EM032LXQAB313IS1T | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 不揮発性 | 32mbit | ラム | 4m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - |
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