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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
RM24C32C-LCSI-T Adesto Technologies RM24C32C-LCSI-T -
RFQ
 ECAD 6339 0.00000000 Adesto Technologies Mavriq™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-XFBGA 、WLCSP RM24C32 CBRAM 1.65v〜3.6V 6-wlcsp - ROHS3準拠 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 1 MHz 不揮発性 32kbit CBRAM® 32バイトページサイズ i²c 100μs1.2ms
S25FL256SAGMFIG01 Infineon Technologies S25FL256SAGMFIG01 6.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies fl-s チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 47 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
M29W800DB90N6T STMicroelectronics M29W800DB90N6T -
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
IS46TR16640C-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-107MBLA2 4.2332
RFQ
 ECAD 7810 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16640C-107MBLA2 190 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
BR25H010F-2CE2 Rohm Semiconductor BR25H010F-2CE2 0.9500
RFQ
 ECAD 1538 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） BR25H010 Eeprom 2.5V〜5.5V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 10 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 spi 4ms
93C46B-E/MS Microchip Technology 93C46B-E/MS 0.4350
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 ECAD 6724 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 93C46B Eeprom 4.5v〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 93C46B-E/MS-NDR ear99 8542.32.0051 100 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 64 x 16 マイクロワイヤ 2ms
AT27C1024-90VI Microchip Technology AT27C1024-90VI -
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 ECAD 9346 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 40-tfsop （0.488 "、幅 12.40mm AT27C1024 eprom -otp 4.5v〜5.5V 40-VSOP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT27C102490VI ear99 8542.32.0061 160 不揮発性 1mbit 90 ns eprom 64k x 16 平行 -
25LC080DT-E/SN Microchip Technology 25LC080DT-E/SN 0.8000
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 ECAD 2 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 25LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
7130LA100J Renesas Electronics America Inc 7130LA100J -
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 ECAD 6782 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7130la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 8kbit 100 ns sram 1k x 8 平行 100ns
IS43TR16256AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-107MBL -
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
S34SL02G200BHI000 SkyHigh Memory Limited S34SL02G200BHI000 -
RFQ
 ECAD 6866 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - トレイ sicで中止されました S34SL02 - ROHS準拠 3 （168 時間） 2120-S34SL02G200BHI000 3A991B1A 8542.32.0071 210 確認されていません
46W0711-C ProLabs 46W0711-C 72.5000
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-46W0711-C ear99 8473.30.5100 1
DS2502P-E64 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2502P-E64 -
RFQ
 ECAD 7766 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-smd、Jリード DS2502 eprom -otp 2.8V〜6V 6-TSOC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 120 不揮発性 1kbit eprom 128 x 8 1-Wire® -
AT45DB161E-SSHD-B Microchip Technology AT45DB161E-SSHD-B -
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT45DB161 フラッシュ 2.5V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 85 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 528バイトx 4096ページ spi 8µs 、6ms
IDT71V424S12PHI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V424S12PHI8 -
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IDT71v424 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V424S12PHI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 揮発性 4mbit 12 ns sram 512k x 8 平行 12ns
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBJ4-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 9051 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AITX：E TR 3.7059
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F32G08ABAAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP：TR -
RFQ
 ECAD 4400 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
CY7C1381B-133AC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1381B-133AC 29.1300
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1381 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 36 平行 -
28028557 A Infineon Technologies 28028557 a -
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
25AA640A-I/S16K Microchip Technology 25AA640A-I/S16K -
RFQ
 ECAD 1929年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ 25AA640 Eeprom 1.8V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 10 MHz 不揮発性 64kbit Eeprom 8k x 8 spi 5ms
CY15B104QI-20LPXC Infineon Technologies CY15B104Q-20LPXC 23.0000
RFQ
 ECAD 748 0.00000000 Infineon Technologies Excelon™-LP 、F-Ram™ トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-UQFN Cy15B104 フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 8-gqfn （3.23x3.28） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 20 MHz 不揮発性 4mbit フラム 512k x 8 spi -
FT24C04A-UNR-T Fremont Micro Devices Ltd FT24C04A-UNR-T -
RFQ
 ECAD 1775 0.00000000 Fremont Micro Devices Ltd - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wfdfn露出パッド FT24C04 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-dfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 不揮発性 4kbit 550 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
IDT71V2559S75BG8 Renesas Electronics America Inc IDT71V2559S75BG8 -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA IDT71V2559 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V2559S75BG8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4.5mbit 7.5 ns sram 256k x 18 平行 -
NAND512R3A3AZA6E STMicroelectronics NAND512R3A3AZA6E -
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 stmicroelectronics - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 55-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 55-VFBGA （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 512mbit 60 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns
MT25QL128ABA1EW7-0M02IT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-0M02IT -
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT25QL128ABA1EW7-0M02IT 廃止 2,940 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 1.8ms
IS39LV040-70JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV040-70JCE -
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 32-lcc IS39LV040 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512k x 8 平行 70ns
CY7C10612DV33-10ZSXI Infineon Technologies Cy7C10612DV33-10ZSXI -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C10612 sram-非同期 3V〜3.6V 54-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 108 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES：c -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53B1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
47C04-I/SN Microchip Technology 47C04-I/SN 0.7200
RFQ
 ECAD 6449 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 47C04 eeprom、sram 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 不揮発性 4kbit 400 ns イーラム 512 x 8 i²c 1ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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