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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M24512-DRMN3TP/K STMicroelectronics M24512-DRMN3TP/K 2.2500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 stmicroelectronics aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M24512 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 512kbit 450 ns Eeprom 64k x 8 i²c 4ms
IS46TR16512S2DL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA1 -
RFQ
 ECAD 1535 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1 ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
S29AL008J70TFM020 Infineon Technologies S29AL008J70TFM020 -
RFQ
 ECAD 1914年年 0.00000000 Infineon Technologies al-j トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29AL008 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
IS43QR85120B-083RBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-083RBLI-TR 9.5494
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43QR85120B-083RBLI-TR 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 ポッド 15ns
AT27C256R-45JU Microchip Technology AT27C256R-45JU 2.7400
RFQ
 ECAD 6791 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-lcc AT27C256 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない AT27C256R45JU ear99 8542.32.0061 32 不揮発性 256kbit 45 ns eprom 32k x 8 平行 -
MT25TL512BBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512BBA8ESF-0AAT 14.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25TL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
PC28F640J3D75E Micron Technology Inc. PC28F640J3D75E -
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 75ns
71V65603S133BQGI Renesas Electronics America Inc 71V65603S133BQGI 28.5570
RFQ
 ECAD 5978 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA 71v65603 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 256k x 36 平行 -
MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1LF-25 WT：TR -
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-wfbga MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 168-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
SST25PF040CT-40V/SN Microchip Technology SST25PF040CT-40V/SN 1.2000
RFQ
 ECAD 7443 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 自動車、AEC-Q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SST25PF040 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,300 40 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 5ms
CY7C1019CV33-12ZXC Infineon Technologies Cy7C1019CV33-12ZXC -
RFQ
 ECAD 4887 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） Cy7C1019 sram-非同期 3V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 585 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
24LC128T-I/SMG Microchip Technology 24LC128T-I/SMG 0.8250
RFQ
 ECAD 9087 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） 24LC128 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,100 400 kHz 不揮発性 128kbit 900 ns Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
R1LV0816ABG-5SI#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV0816ABG-5SI＃S0 -
RFQ
 ECAD 7083 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA R1LV0816A sram 2.7V〜3.6V 48-TFBGA （7.5x8.5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
W25Q64JVSFJQ TR Winbond Electronics w25q64jvsfjq tr -
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q64jvsfjqtr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
MTFC16GLUAM-WT Micron Technology Inc. mtfc16gluam-wt -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
M27C64A-20F6 STMicroelectronics M27C64A-20F6 -
RFQ
 ECAD 1050 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 28-CDIP （0.600 "、15.24mm ）ウィンドウ M27C64 EPROM -UV 4.5v〜5.5V ウィンドウ付きの28CDIPフリットシール ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 13 不揮発性 64kbit 200 ns eprom 8k x 8 平行 -
IDT71V65603S150PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V65603S150PF8 -
RFQ
 ECAD 2864 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71v65603 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71v65603S150pf8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 150 MHz 揮発性 9mbit 3.8 ns sram 256k x 36 平行 -
IDT71V25761S183PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V25761S183PFI8 -
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71V25761 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V25761S183PFI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 183 MHz 揮発性 4.5mbit 5.5 ns sram 128k x 36 平行 -
DS28E10P-W22+2TW Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E10P-W22+2TW -
RFQ
 ECAD 9701 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-smd、Jリード DS28E10 eprom -otp 2.8V〜3.6V 6-TSOC - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 224bit eprom 28 x 8 1-Wire® -
IDT71V2546S150PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V2546S150PF8 -
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71V2546 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V2546S150PF8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 150 MHz 揮発性 4.5mbit 3.8 ns sram 128k x 36 平行 -
RC28F256P30TFF TR Micron Technology Inc. RC28F256P30TFF TR -
RFQ
 ECAD 4887 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,000 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
FM28V020-TG Infineon Technologies FM28V020-TG 10.7100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies f-ram™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） FM28V020 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 32 STSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 234 不揮発性 256kbit 140 ns フラム 32k x 8 平行 140ns
24AA01HT-I/SN Microchip Technology 24AA01HT-I/SN 0.3000
RFQ
 ECAD 5318 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 24AA01 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 24AA01HT-I/SNTR ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 1kbit 900 ns Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
CY7C1623KV18-300BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1623KV18-300BZXC 215.4000
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1623 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 300 MHz 揮発性 144mbit sram 8m x 18 平行 -
IDT71V3557SA80BGI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3557SA80BGI8 -
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA IDT71V3557 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3557SA80BGI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4.5mbit 8 ns sram 128k x 36 平行 -
CAT28F001H-12T Catalyst Semiconductor Inc. CAT28F001H-12T -
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） CAT28F001 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-tsop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 1mbit 120 ns フラッシュ 128k x 8 平行 120ns
7025L20J8 Renesas Electronics America Inc 7025L20J8 -
RFQ
 ECAD 1374 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 84-LCC 7025L20 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 84-PLCC （29.31x29.31 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 200 揮発性 128kbit 20 ns sram 8k x 16 平行 20ns
MX25V8035FM1I Macronix MX25V8035FM1I 0.5200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） MX25V8035 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1092-1195 ear99 8542.32.0071 98 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 2m x 4、4m x 2、8m x 1 spi 100µs 、4ms
CY14E116N-Z30XIT Infineon Technologies cy14e116n-z30xit 86.3625
RFQ
 ECAD 3238 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） Cy14E116 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 不揮発性 16mbit 30 ns nvsram 1m x 16 平行 30ns
MR25H40CDF Everspin Technologies Inc. MR25H40CDF 21.0200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド MR25H40 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 8-dfn-ep、小さな旗（5x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 819-1040 ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 不揮発性 4mbit ラム 512k x 8 spi -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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