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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY7C1363A-117AJCT Cypress Semiconductor Corp Cy7C1363A-117AJCT 6.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1363 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 750 117 MHz 揮発性 9mbit 7 ns sram 512K x 18 平行 -
MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-QM：c 78.1500
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM：c 1
71V3556SA100BQI8 Renesas Electronics America Inc 71V3556SA100BQI8 8.5003
RFQ
 ECAD 5754 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA 71V3556 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 100 MHz 揮発性 4.5mbit 5 ns sram 128k x 36 平行 -
CY7C1265XV18-633BZXC Infineon Technologies Cy7C1265XV18-633BZXC 128.2750
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1265 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 680 633 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
AT25640T1-10TC-2.7 Microchip Technology AT25640T1-10TC-2.7 -
RFQ
 ECAD 9617 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT25640 Eeprom 2.7V〜5.5V 14-tssop ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 3 MHz 不揮発性 64kbit Eeprom 8k x 8 spi 5ms
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT：c -
RFQ
 ECAD 5519 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,120 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
R1LV5256ESP-7SR#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV5256ESP-7SR ＃B0 -
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-SOIC （0.330 "、8.40mm 幅） R1LV5256 sram 2.7V〜3.6V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
S29GL256P90FFSS93 Infineon Technologies S29GL256P90FFSS93 -
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 Infineon Technologies GL-P テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 32m x 8 平行 90ns
IDT71V67603S133PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V67603S133PFI8 -
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71v67603 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V67603S133PFI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 256k x 36 平行 -
S29GL01GS11FAIV13 Infineon Technologies S29GL01GS11FAIV13 12.4950
RFQ
 ECAD 8565 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
IS64LPS12832A-200TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS12832A-200TQLA3 13.3403
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS64LPS12832 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 揮発性 4mbit 3.1 ns sram 128k x 32 平行 -
AT49LV002T-12VC Microchip Technology AT49LV002T-12VC -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） AT49LV002 フラッシュ 3V〜3.6V 32-VSOP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT49LV002T12VC ear99 8542.32.0071 208 不揮発性 2mbit 120 ns フラッシュ 256k x 8 平行 50µs
MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT53D4DBBP-DC Micron Technology Inc. mt53d4dbbbbp-dc -
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 - - mt53d4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 揮発性 ドラム
AT27C020-55JU-T Microchip Technology AT27C020-55JU-T 4.7100
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-lcc AT27C020 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 750 不揮発性 2mbit 55 ns eprom 256k x 8 平行 -
CY14ME064Q2B-SXI Cypress Semiconductor Corp Cy14ME064Q2B-SXI 4.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CY14ME064 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 67 40 MHz 不揮発性 64kbit nvsram 8k x 8 spi - 確認されていません
FEMC128G-M10 Flexxon Pte Ltd FEMC128G-M10 30.6100
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Flexxon Pte Ltd ECON II トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 153-FBGA （11.5x13 ダウンロード 3 （168 時間） 3052-FEMC128G-M10 8542.32.0071 1 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC_5.1 -
AT45DB081E-SSHNHC-T Adesto Technologies at45db081e-sshnhc-t 1.8900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT45DB081 フラッシュ 1.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 85 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 256バイトx 4096ページ spi 8µs 、4ms
S29GL128P10FFI0102 Infineon Technologies S29GL128P10FFI0102 -
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Infineon Technologies GL-P トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 128mbit 100 ns フラッシュ 16m x 8 平行 100ns
CY7C1472V33-200AXCKJ Cypress Semiconductor Corp CY7C1472V33-200AXCKJ 137.3700
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp NOBL™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1472 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 72mbit 3 ns sram 4m x 18 平行 -
70T3599S133BCI Renesas Electronics America Inc 70T3599S133BCI 235.6872
RFQ
 ECAD 9695 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 256-lbga 70T3599 sram- デュアルポート、同期 2.4V〜2.6V 256-CABGA （17x17） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 6 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4.2 ns sram 128k x 36 平行 -
CAT24C02WGE Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C02WGE -
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT24C02 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B256M32D1GZ-062 WT：b -
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （11x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
S29NS512P0PBJW003 Spansion S29NS512P0PBJW003 6.6800
RFQ
 ECAD 701 0.00000000 スパンション * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 1
AT25320B-MEHL-T Atmel at25320b-mehl-t 0.8100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Atmel aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-xfdfn AT25320 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-XDFN （1.8x2.2 ダウンロード ear99 8542.32.0051 1 5 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 spi 5ms
M29F010B70K6E Micron Technology Inc. M29F010B70K6E -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc M29F010 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 1mbit 70 ns フラッシュ 128k x 8 平行 70ns
IS29GL128S-10TFV02-TR Infineon Technologies IS29GL128S-10TFV02-TR -
RFQ
 ECAD 5327 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 128mbit 100 ns フラッシュ 16m x 8 平行 60ns
MR5A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35 80.3300
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Everspin Technologies Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga MR5A16 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 48-fbga （10x10） - ROHS3準拠 6 （ラベルの時間） 影響を受けていない 819-MR5A16ACMA35 ear99 8542.32.0071 240 不揮発性 32mbit 35 ns ラム 2m x 16 平行 35ns
IS46TR16640A-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-125JBLA2 -
RFQ
 ECAD 4792 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AT45D011-JI Microchip Technology AT45D011-JI -
RFQ
 ECAD 4763 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-lcc AT45D011 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない AT45D011JI ear99 8542.32.0071 32 15 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 264バイトx 512ページ spi 15ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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