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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Cy7C25652KV18-400BZI | - |  | 2539 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C25652 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
 | S29GL256S10DHI020 | - | | 2609 | 0.00000000 | スパンション | gl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （9x9） | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | ||||||
 | 70V08S20PF | - | | 6509 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | 70V08S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 512kbit | 20 ns | sram | 64k x 8 | 平行 | 20ns | |||
 | INT70P0144 | - | | 6419 | 0.00000000 | IBM | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 1 | |||||||||||||||||||
 | SM662PAC BFSS | 25.9100 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PACBFSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | ||||
 | AT25DN512C-SSHFGP-B | 0.3078 | | 4205 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | AT25DN512 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi | 8µs 、1.75ms | |||
 | mtfc4gmvea-4m it | - | | 3351 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||
 | hyb25d512800ce-6 | 7.1400 | | 1 | 0.00000000 | キモンダ | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | hyb25d512 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 64m x 8 | 平行 | - | |||||
| snptn78yc/32g-c-taa | 337.5000 | | 9475 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SNPTN78YC/32G-C-TAA | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| mt29c4g96mazapcmj-5 it | - | | 2585 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | - | - | MT29C4G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
| CG8637AA | - | | 8791 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||
 | AT25128B-MAPDGV-E | - | | 1209 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT25128 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-udfn （2x3） | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 15,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | 5ms | ||||
 | AM27C010-150DI | - | | 2703 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 穴を通して | 32-CDIP （0.600 "、15.24mm） | AM27C010 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 32-CDIP | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | ||||
| 4ZC7A08744-C | 745.0000 | | 3247 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-4ZC7A08744-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT29F128G08CBCCBH6-6R：c | - | | 2322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
 | IS61VPS51236B-200B3LI-TR | 15.6750 | | 6367 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPS51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
 | Cy7C024-25JXCT | - | | 6219 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 84-LCC | Cy7C024 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 25ns | |||
 | w25q01nwzeiq | 10.1250 | | 3352 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q01 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson （8x6） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25Q01NWZEIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | |
 | 93c06e/p | 0.9400 | | 3 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 穴を通して | 8-dip （0.300 "、7.62mm） | 93C06 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 256ビット | Eeprom | 16 x 16 | マイクロワイヤ | 2ms | |||
 | IS61WV25616BLL-10TL | 3.6500 | | 4 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS61WV25616 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||
 | MT58L512L18PF-7.5 | 17.7000 | | 245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | MT58L512L18 | sram-同期 | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
 | NM24C05LM8X | 0.4300 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | NM24C05 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 3.5 µs | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 15ms | ||
 | UCS-ML-1x324RU-GC | 230.0000 | | 6472 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-ucs-ml-1x324ru-gc | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| S25FL256LDPNFB013 | - | | 1657 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL256LDPNFB013 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | IS46LR32160C-6BLA1-TR | 10.2750 | | 6939 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS46LR32160 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 12ns | ||
 | IDT71V25761YSA166BGI | - | | 8674 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 119-BGA | IDT71V25761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71V25761YSA166BGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |
 | S34ML08G101TFI000 | - | | 1237 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-1 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | S34ML08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | 25ns | ||||
 | S29JL032J70BHI310 | 5.1900 | | 3221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | JL-J | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29JL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA （8.15x6.15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| AK6480BH | - | | 6818 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdevices/akm | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-lssop 、8-msop（0.110 "、2.80mm 幅） | AK6480 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 512 x 16 | spi | - | |||||
 | 11LC010-I/SN | 0.3000 | | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | 11LC010 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | 単一ワイヤ | 5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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