画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FM24C256LZM8 | 0.8700 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24C256 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 256kbit | 3.5 µs | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 6ms | |||
![]() | Cy7C1363B-117BGI | 10.6000 | ![]() | 379 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1363 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | CY7C1320KV18-300BZXC | 32.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1320 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 300 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | N04L163WC1AT2-70I | 3.5600 | ![]() | 103 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | - | 2156-N04L163WC1AT2-70I | 103 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 8909007445 | - | ![]() | 6577 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1357A-100ACT | 7.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1357 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | M25PE10-VMN6P | 1.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M25PE10 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 6 ns | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 3ms | |||
BQ2024DBZRG4 | - | ![]() | 2703 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -20°C〜70°C(TA) | 表面マウント | TO-236-3 | BQ2024 | eprom -otp | 2.65V〜5.5V | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0061 | 3,000 | 不揮発性 | 1.5kbit | eprom | 32バイトx 6ページ | 単一ワイヤ | - | ||||||
MR0A08BCSO35 | - | ![]() | 9529 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MR0A08 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 不揮発性 | 1mbit | 35 ns | ラム | 128k x 8 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | IS61QDPB22M18A-333M3L | 71.5551 | ![]() | 8467 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDPB22 | sram- quadp | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | 540746-003-00 | - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1413JV18-300BZXC | 67.2400 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1413 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
CAT24WC04W-TE13 | - | ![]() | 8495 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT24WC04 | Eeprom | 2.5V〜6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 3.5 µs | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 10ms | ||||
![]() | 70V18L20PFI | - | ![]() | 3998 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V18L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 576kbit | 20 ns | sram | 64k x 9 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | S29GL128P90TFIR20 | 6.8800 | ![]() | 6119 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SP005671177 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 90ns | |||
![]() | mtfc32gapalbh-aat | - | ![]() | 2868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 前回購入します | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | 5962-9086902mya | 471.5200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | インターシル | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 32-CLCC | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-CLCC(13.97x11.43 | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 512kbit | 250 ns | Eeprom | 64k x 8 | 平行 | 10ms | |||||
![]() | MT58L512L18PS-10 | 8.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L512L18 | sram-同期 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 8mbit | 5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | DS2229T-4M7 | - | ![]() | 9651 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | * | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL256P11WEI019 | - | ![]() | 7856 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | ウェーハ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 25 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 110ns | ||||
![]() | AT49BV4096A-12TI | - | ![]() | 6782 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49BV4096 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 120 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 30µs | ||||
![]() | W9825G6KH-6I TR | 1.9510 | ![]() | 5513 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | W9825G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
EM016LXQADG13IS1T | 19.5696 | ![]() | 4890 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | ミスター(磁気抵抗ラム) | 1.65V〜2V | 8-dfn (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 819-EM016LXQADG13IS1T | ear99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | 不揮発性 | 16mbit | ラム | 2m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||||||
![]() | S34ML04G100TFV000 | 4.3400 | ![]() | 891 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-1 | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S34ML04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | |||||||
![]() | CG8083AA | - | ![]() | 3198 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
AS7C4096A-12TINTR | 4.5617 | ![]() | 4558 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C4096 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 12ns | |||||
![]() | 70P255L65BYGI8 | - | ![]() | 2790 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-TFBGA | 70P255L | sram- デュアルポート、非同期 | 1.7V〜1.9V | 100-CABGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 3,000 | 揮発性 | 128kbit | 65 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 65ns | ||||
![]() | MT29F1G1666ABBEAH4-AITX:E TR | - | ![]() | 6796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | CY7C09199V-6AXC | - | ![]() | 1554 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C09199 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 100 MHz | 揮発性 | 1.152mbit | 6.5 ns | sram | 128k x 9 | 平行 | - | |||
![]() | Cy10E484L-7DCQ | 53.2000 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜75°C(Ta) | 穴を通して | 28-CDIP (0.400 "、10.16mm) | Cy10E484 | sram-非同期 | 4.94V〜5.46V | 28-CDIP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 7 ns | sram | 4k x 4 | 平行 | 8ns |
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