画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | mtfc64gajaedn-it | - | ![]() | 9723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
SM671PBF-BFST | 131.2045 | ![]() | 4108 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PBF-BFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | UFS2.1 | - | |||||||||
MT41K256M16TW-093:P Tr | 5.2703 | ![]() | 5905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | mtfc16gakaecn-4m it tr | - | ![]() | 8826 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 153-VFBGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||||
MT40A1G8WE-083EAAT:b | - | ![]() | 2286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (8x12) | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,900 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||||
![]() | M25P32-VMW6TGBA TR | - | ![]() | 1542 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | M25p3 2 | フラッシュ - | 確認されていません | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||||
![]() | w25x40vssig t&r | - | ![]() | 6542 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25x40 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 3ms | |||||
![]() | GS8662R36BGD-350I | 146.0353 | ![]() | 2478 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS8662R | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-fpbga (15x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8662R36BGD-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 350 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
25AA010AT-I/OT | 0.5000 | ![]() | 7077 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | SOT-23-6 | 25AA010 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | SOT-23-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | CYD09S72V18-200BGXI | - | ![]() | 8897 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 484-FBGA | CYD09S72 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 484-PBGA (27x27 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.3 ns | sram | 128k x 72 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
AT25040A-10TQ-2.7 | 0.9700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Atmel | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25040 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | S29GL01GS11FHB023 | - | ![]() | 3922 | 0.00000000 | スパンション | gl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | ||||||||
![]() | S29GL256S90TFI013 | 6.9825 | ![]() | 3742 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | |||||
![]() | EMFP112A3PB-DV-FR TR | - | ![]() | 7712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | IDT71T75702S85PFI8 | - | ![]() | 5516 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71T75 | sram- sdr(zbt) | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71T75702S85PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 18mbit | 8.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | STK22C48-SF25I | - | ![]() | 9421 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.342 "、幅8.69mm) | STK22C48 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 50 | 不揮発性 | 16kbit | 25 ns | nvsram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | MT42L64M32D1LF-18それ:c | - | ![]() | 6363 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 168-wfbga | MT42L64M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 168-FBGA(12x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | - | ||||||
MT41K64M16TW-107 AUT:J | 4.9009 | ![]() | 2414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | S29AS008J70BHI030 | - | ![]() | 1325 | 0.00000000 | Infineon Technologies | as-j | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29AS008 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||||
![]() | MT47H256M4B7-37E:TR | - | ![]() | 3936 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA (11x19) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT41K256M8DA-125 AUT:k | 6.7739 | ![]() | 3967 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1314Bv18-167bzi | - | ![]() | 9516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1314 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 119 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||||
![]() | MT44K32M18RB-093F:b | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M18 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 7.5 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | STK17TA8-RF45 | - | ![]() | 1343 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | STK17TA8 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 60 | 不揮発性 | 1mbit | 45 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | |||||
AT25640A-10TI-2.7 | - | ![]() | 7065 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25640 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | AT93C57W-10SC-2.5 | - | ![]() | 2253 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | at93c57 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 94 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | 3線シリアル | 10ms | |||||
![]() | S99FL132KI010 | - | ![]() | 3718 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1514AV18-200BZC | - | ![]() | 6132 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1514 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||||
MT35XU02GCBA2G12-0AAT TR | 32.6250 | ![]() | 5059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu02 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT35XU02GCBA2G12-0AATTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | xccelaバス | - | |||||
![]() | SMJ68CE16L-45JDM | 31.0400 | ![]() | 808 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 |
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