画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MX25L3235EZNI-10G | 0.8770 | ![]() | 9164 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MX25L3235 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 50µs、3ms | ||||
![]() | Cy7C166-15VC | 4.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 24-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | Cy7C166 | sram-標準 | 4.5v〜5.5V | 24-SOJ | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 64kbit | 15 ns | sram | 16k x 4 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | AT25SF041-SHD-B | - | ![]() | 4181 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT25SF041 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 5µs 、2.5ms | ||||
![]() | Cy7C1145KV18-400ZXC | 31.1600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1145 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 450 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1460KV25-167BZCT | - | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1460 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 47L64T-I/MNY | 1.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 47L64 | eeprom、sram | 2.7V〜3.6V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 150-47L64T-I/MNYTR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 550 ns | イーラム | 8k x 8 | i²c | - | ||||
![]() | Cy2149-35pc | 5.6700 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 18-dip(0.300 "、7.62mm) | Cy2149 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 18-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4kbit | 35 ns | sram | 1k x 4 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | BR25H128F-2ACE2 | 1.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) | BR25H128 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | 4ms | ||||
![]() | 71V67602S166PFG | 26.6900 | ![]() | 211 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71v67602 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||||
![]() | S29GL256P10FFI022 | 9.1700 | ![]() | 9018 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 400 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | JS28F128J3F75A | - | ![]() | 9351 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | JS28F128J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-JS28F128J3F75A | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 128mbit | 75 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 75ns | |||
![]() | NDS36PBA-20IT TR | 3.4484 | ![]() | 2903 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NDS36PBA-20ITTR | 2,500 | ||||||||||||||||||||
![]() | S25FL256SAGBHI303 | 4.5850 | ![]() | 7297 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
BR24G64NUX-3ATTR | 0.3900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | BR24G64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | VSON008X2030 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | S29GL512N11FFA023 | 14.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | スパンション | Automotive | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | 適用できない | 3A991B1A | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 110ns | ||||||
![]() | 7142LA5J | - | ![]() | 2995 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | - | 800-7142LA5J | 1 | 揮発性 | 16kbit | sram | 2k x 8 | 平行 | - | ||||||||||
![]() | MT55L128L36F1T-11 | 6.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | 揮発性 | 4mbit | 8.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | S25FL129P0XBHV313 | - | ![]() | 6089 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-p | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL129 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 5µs、3ms | ||||
![]() | S29GL01GS12FHIV20 | 12.4950 | ![]() | 6224 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2832-S29GL01GS12FHIV20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 1gbit | 120 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | at45db081e-sshn-b | 1.8900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT45DB081 | フラッシュ | 1.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1265-1104-5 | ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 85 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 264バイトx 4096ページ | spi | 8µs 、4ms | |||
![]() | W29N01HVDIAA | - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | トレイ | アクティブ | W29N01 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | S29PL032J70BAI123 | - | ![]() | 2610 | 0.00000000 | Infineon Technologies | pl-j | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29PL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | Cy7C1362A-166BGC | 9.0000 | ![]() | 285 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1362 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | AS7C256-20JC | 0.8000 | ![]() | 413 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | - | 3277-AS7C256-20JC | ear99 | 8542.32.0041 | 100 | 揮発性 | 256kbit | sram | 32k x 8 | 平行 | 20ns | 確認されていません | |||||||
![]() | AT24C08D-PUM | 0.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT24C08 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1611-AT24C08D-PUM | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 4.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | CY7C1420KV18-250BZXI | 42.8800 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1420 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 7 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||
![]() | MT48LC16M8A2P-75:G TR | - | ![]() | 5811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 8 | 平行 | 15ns | |||
AT93C56A-SQ27U5 | 0.5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Atmel | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 93C56A | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | 3線シリアル | 10ms | |||||
![]() | IS29GL512S-11DHV02 | - | ![]() | 5417 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | IS29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | 70V9389L7PF8 | - | ![]() | 9439 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9389 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1.125mbit | 7.5 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - |
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