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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
CY62256LL-70SNXC Infineon Technologies Cy62256ll-70Snxc -
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 ECAD 2756 0.00000000 Infineon Technologies mobl® チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） Cy62256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 27 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
AT24C128C-MEHM-T Microchip Technology AT24C128C-MEHM-T -
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 ECAD 2052 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-xfdfn AT24C128C Eeprom 1.7V〜5.5V 8-XDFN （1.8x2.2 ダウンロード ROHS3準拠 150-AT24C128C-MEHM-TTR 廃止 3,000 1 MHz 不揮発性 128kbit 550 ns Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
IDT71V65602S133PF Renesas Electronics America Inc IDT71V65602S133PF -
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 ECAD 9149 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71v65602 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71v65602S133pf 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 256k x 36 平行 -
CAT25640VP2I-GE onsemi CAT25640VP2I-GE -
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 ECAD 5929 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド CAT25640 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tdfn （2x3） - 1 （無制限） 影響を受けていない 488-CAT25640VP2I-GE 廃止 100 10 MHz 不揮発性 64kbit Eeprom 8k x 8 spi 5ms
IS43R16320F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TLI 5.8923
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 ECAD 2955 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
F128BFHTPTTL75A SHARP/Socle Technology f128bfhtpttl75a -
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 ECAD 1100 0.00000000 シャープ/socleテクノロジー - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） F128b フラッシュ 2.7V〜3.3V 56-tsop ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 920 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8 平行 75ns
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACBWP-12：C TR -
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 ECAD 2406 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
FM22L16-55-TG Infineon Technologies FM22L16-55-TG 38.7800
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 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies f-ram™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） FM22L16 フラム（強誘電性ラム） 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 135 不揮発性 4mbit 110 ns フラム 256k x 16 平行 110ns
M29W640GL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GL70ZA6E -
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 ECAD 7784 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
IS42S32160B-75TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TLI -
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 ECAD 5177 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 144 133 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
S25FL256SDSMFB010 Infineon Technologies S25FL256SDSMFB010 10.0800
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 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 80 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
7134SA70L48B Renesas Electronics America Inc 7134SA70L48B -
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 ECAD 2329 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 表面マウント 48-lcc 7134SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 48-lcc（ 14.22x14.22） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 34 揮発性 32kbit 70 ns sram 4k x 8 平行 70ns
DS2431P-A1+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2431P-A1+ 3.6200
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 ECAD 4 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 6-smd、Jリード DS2431 Eeprom - 6-TSOC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 120 不揮発性 1kbit 2 µs Eeprom 256 x 4 1-Wire® -
IS62WV1288BLL-55QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55QLI-TR 1.6819
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 ECAD 4779 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） IS62WV1288 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
GS8321Z36AGD-250I GSI Technology Inc. GS8321Z36AGD-250I 46.9467
RFQ
 ECAD 3716 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜100°C （TJ 表面マウント 165-lbga GS8321Z sram- zbt 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V 165-fpbga （15x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2364-GS8321Z36AGD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
5962-8866206XA Renesas Electronics America Inc 5962-8866206XA -
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 ECAD 4799 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.600 "、15.24mm） 5962-8866206 sram-同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-5962-8866206XA 廃止 13 揮発性 256kbit 25 ns sram 32k x 8 平行 25ns
S70GL04GS00FHCR20 Infineon Technologies S70GL04GS00FHCR20 -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
W989D2DBJX6I Winbond Electronics W989D2DBJX6I 3.3234
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 ECAD 5436 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA W989D2 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
S29AL016J70BFA013 Infineon Technologies S29AL016J70BFA013 2.1383
RFQ
 ECAD 2881 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA S29AL016 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-FBGA （8.15x6.15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MT29F2G16ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP-IT：e -
RFQ
 ECAD 4693 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT46V32M8P-6T IT:G Micron Technology Inc. MT46V32M8P-6T IT：g -
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 ECAD 5382 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
CAT24C32C5ATR onsemi CAT24C32C5ATR 0.5190
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 ECAD 8173 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 5-XFBGA 、WLCSP CAT24C32 Eeprom 1.7V〜5.5V 5-wlcsp（1.34x0.91 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 32kbit 400 ns Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
IS62WV25616EALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TLI 4.4684
RFQ
 ECAD 9715 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS62WV25616 sram-非同期 1.65V〜2.2V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
W25Q64FWSSBQ Winbond Electronics W25Q64FWSSBQ -
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64FWSSBQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
DE28F800F3T115 Intel DE28F800F3T115 4.0000
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 インテル - バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 56ソップ フラッシュ -ブートブロック 3V〜3.6V 56スソップ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 700 不揮発性 8mbit 115 ns フラッシュ 512K x 16 cui 200µs
70V9369L9PF8 Renesas Electronics America Inc 70V9369L9PF8 -
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 ECAD 1991年年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V9369 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 288kbit 9 ns sram 16k x 18 平行 -
7008S25G Renesas Electronics America Inc 7008S25G -
RFQ
 ECAD 8008 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 84-bpga 7008S25 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 84-PGA （27.94x27.94 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 3 揮発性 512kbit 25 ns sram 64k x 8 平行 25ns
W25Q16CVSSJG TR Winbond Electronics w25q16cvssjg tr -
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 ECAD 3288 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q16CVSSJGTR ear99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
AT24C01A-10SI-2.5 Microchip Technology AT24C01A-10SI-2.5 -
RFQ
 ECAD 5509 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT24C01 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT24C01A10SI2.5 ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 1kbit 900 ns Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
GD25LQ64CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CVIGR -
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25LQ64 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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