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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
S29WS128PABBFW000 Infineon Technologies S29WS128PABBFW000 -
RFQ
 ECAD 5470 0.00000000 Infineon Technologies WS-P トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-VFBGA S29WS128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 84-FBGA （11.6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 200 104 MHz 不揮発性 128mbit 80 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
25LC020A-I/SN Microchip Technology 25LC020A-I/SN 0.5400
RFQ
 ECAD 596 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 25LC020 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 25LC020AISN ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCBBJ7-6R：B TR -
RFQ
 ECAD 7502 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
CY14V101QS-SF108XI Infineon Technologies CY14V101QS-SF108XI 15.2500
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） Cy14V101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 92 108 MHz 不揮発性 1mbit nvsram 128k x 8 spi -
P00928-B21-C ProLabs P00928-B21-C 3.0000
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-P00928-B21-C ear99 8473.30.5100 1
M29W400FT5AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W400FT5AZA6F TR -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
IDT71V424L10Y8 Renesas Electronics America Inc IDT71V424L10Y8 -
RFQ
 ECAD 8239 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） IDT71v424 sram-非同期 3V〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V424L10Y8 3A991B2A 8542.32.0041 500 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 WT ES：A TR 96.1650
RFQ
 ECAD 1726 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） MT53E2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 影響を受けていない 557-MT53E2G32D4DT-046WTES：ATR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
5962-9150802MXA Renesas Electronics America Inc 5962-9150802MXA -
RFQ
 ECAD 6077 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 68-BPGA 5962-9150802 sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 68-PGA （29.46x29.46 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-5962-9150802MXA 廃止 3 揮発性 128kbit 70 ns sram 16k x 8 平行 70ns
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES -
RFQ
 ECAD 9497 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F256G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
71V3559S80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S80PFG 7.6600
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71V3559 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4.5mbit 8 ns sram 256k x 18 平行 -
S30MS01GR25TFW010 Infineon Technologies S30MS01GR25TFW010 -
RFQ
 ECAD 1468 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S30MS01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 96 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 64m x 16 平行 25ns
NV34C02MUW3VTBG onsemi NV34C02MUW3VTBG 0.4132
RFQ
 ECAD 1833 0.00000000 onsemi aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド NV34C02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-udfn （2x3） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 488-NV34C02MUW3VTBGTR ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
MT58L256L18P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L18P1T-7.5 5.9300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp mt58l1my18 sram 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 揮発性 4mbit 4 ns sram 256k x 18 平行 -
M95320-DFMC6TG STMicroelectronics M95320-DFMC6TG 0.5700
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド M95320 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-ufdfpn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 20 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 spi 5ms
W25N02KVTCIU TR Winbond Electronics w25n02kvtciu tr 4.0213
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVTCIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
MR3A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35 40.7800
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 Everspin Technologies Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga MR3A16 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 48-fbga （10x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 819-MR3A16ACMA35 ear99 8542.32.0071 240 不揮発性 8mbit 35 ns ラム 512K x 16 平行 35ns
S29GL064N11TFIV10 Infineon Technologies S29GL064N11TFIV10 -
RFQ
 ECAD 6823 0.00000000 Infineon Technologies gl-n トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL064 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 91 不揮発性 64mbit 110 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 110ns
CAT93C66LI Catalyst Semiconductor Inc. cat93c66li 0.2200
RFQ
 ECAD 3085 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） CAT93C66 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 1 2 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8、256 x 16 マイクロワイヤ -
MT53D1536M32D6BE-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1536M32D6BE-046 WT：d -
RFQ
 ECAD 5800 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D1536 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53D1536M32D6BE-046WT：D 1,360 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 1.5GX 32 - -
BR24S16FVJ-WE2 Rohm Semiconductor BR24S16FVJ-WE2 -
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） BR24S16 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-BJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない BR24S16FVJWE2 ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
MX25U12832FMI02 Macronix MX25U12832FMI02 1.8590
RFQ
 ECAD 3043 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MX25U12832 フラッシュ - 1.65V〜2V 16ソップ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1092-MX25U12832FMI02 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs、3ms
CAT93C46UI Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C46UI -
RFQ
 ECAD 2017年 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT93C46 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 マイクロワイヤ -
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. mt29c4g96maagbackd-5 wt tr -
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
CY7C194-25VCT Cypress Semiconductor Corp Cy7C194-25VCT 2.8100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 24-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C194 sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 25 ns sram 64k x 4 平行 25ns
AT25F512AN-10SU-2.7 Microchip Technology AT25F512AN-10SU-2.7 -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT25F512 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT25F512AN10SU2.7 ear99 8542.32.0071 100 20 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 100µs
M24C04-RMC6TG STMicroelectronics M24C04-RMC6TG 0.2600
RFQ
 ECAD 7307 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド M24C04 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-ufdfpn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 400 kHz 不揮発性 4kbit 900 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Micron Technology Inc. MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G -
RFQ
 ECAD 3953 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 162-VFBGA MT29RZ2B1 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA（10.5x8） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT「NAND ）、1GBit （LPDDR2」 フラッシュ、ラム 256M x 8 平行 -
S29GL256S90FHSS20 Infineon Technologies S29GL256S90FHSS20 6.9825
RFQ
 ECAD 5694 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
UPD46365092BF1-E40-EQ1-A Renesas Electronics America Inc upd46365092bf1-e40-eq1-a 60.1500
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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