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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46DR16128A-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128A-3DBLA1 -
RFQ
 ECAD 6878 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-LFBGA IS46DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-lfbga（ 10.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 162 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
71V65803S150BQG Renesas Electronics America Inc 71V65803S150BQG 26.1188
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA 71v65803 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 150 MHz 揮発性 9mbit 3.8 ns sram 512K x 18 平行 -
3247P1197-1 IBM 3247P1197-1 -
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 IBM * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 1
LE24L322M-TLM-E Sanyo LE24L322M-TLM-E 0.3000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 sanyo * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 0000.00.0000 1,000
S29GL512T11DHB023 Infineon Technologies S29GL512T11DHB023 13.1600
RFQ
 ECAD 6171 0.00000000 Infineon Technologies gl-t テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns
IS49NLC93200-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25BL -
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC93200 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 32m x 9 平行 -
IDT71V416YS10PHI Renesas Electronics America Inc IDT71v416ys10phi -
RFQ
 ECAD 4239 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IDT71V416 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71v416ys10phi 3A991B2A 8542.32.0041 26 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS61LF12836A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-7.5TQLI 10.4000
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LF12836 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 揮発性 4.5mbit 7.5 ns sram 128k x 36 平行 -
S29GL032N90FFIS42 Infineon Technologies S29GL032N90FFIS42 -
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 Infineon Technologies gl-n テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 500 不揮発性 32mbit 90 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 90ns
W25Q16DVSSJG Winbond Electronics W25Q16DVSSJG -
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
IS42S16100C1-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-5TL -
RFQ
 ECAD 1225 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 200 MHz 揮発性 16mbit 5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
MT29F4G08ABBDAHC:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC：D Tr -
RFQ
 ECAD 6680 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
IS42S16160D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR 20.2200
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 149-VFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-VFBGA （8x9.5） - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR 2,000 不揮発性、揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ、ラム 1g x 8 onfi 30ns
CAT25020VI-GT3D onsemi CAT25020VI-GT3D -
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT25020 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC - 1 （無制限） 影響を受けていない 488-CAT250202020VI-GT3DTR 廃止 3,000 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
MT58L512L18FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18FT-8.5 11.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 8mbit 8.5 ns sram 512K x 18 平行 -
93LC46C-E/SN15KVAO Microchip Technology 93LC46C-E/SN15KVAO -
RFQ
 ECAD 7080 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93LC46 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 マイクロワイヤ 6ms
CY7C007A-20JXC Infineon Technologies CY7C007A-20JXC -
RFQ
 ECAD 1442 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 68-lcc Cy7C007 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC（24.23x24.23 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -cy7c007a ear99 8542.32.0041 18 揮発性 256kbit 20 ns sram 32k x 8 平行 20ns
71V65903S80BG8 Renesas Electronics America Inc 71v65903S80bg8 26.1188
RFQ
 ECAD 8468 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71v65903 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 9mbit 8 ns sram 512K x 18 平行 -
24LC512T-I/SM Microchip Technology 24LC512T-I/SM 1.9500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） 24LC512 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,100 400 kHz 不揮発性 512kbit 900 ns Eeprom 64k x 8 i²c 5ms
AT49BV320D-70TU Microchip Technology AT49BV320D-70TU -
RFQ
 ECAD 5797 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT49BV320 フラッシュ 2.65V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 120µs
AT25XV021A-XMHV-B Adesto Technologies AT25XV021A-XMHV-B 1.0166
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Adesto Technologies - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT25XV021 フラッシュ 1.65V〜4.4V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 70 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 8µs、2.5ms
W25Q16CVSSJP TR Winbond Electronics w25q16cvssjp tr -
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q16CVSSJPTR ear99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
93LC56CT-E/MS Microchip Technology 93LC56CT-E/MS 0.4950
RFQ
 ECAD 2874 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 93LC56 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 93LC56CT-E/MS-NDR ear99 8542.32.0051 2,500 3 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 マイクロワイヤ 6ms
AS4C8M16SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6TCN 3.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1266 ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
CY14ME256J2-SXIT Infineon Technologies cy14me256j2-sxit -
RFQ
 ECAD 5885 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CY14ME256 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 3.4 MHz 不揮発性 256kbit nvsram 32k x 8 i²c -
CG6643AAT Cypress Semiconductor Corp CG6643AAT -
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1
M48Z512AV-85PM1 STMicroelectronics M48Z512AV-85pm1 -
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-dipモジュール（0.600 "、15.24mm） M48Z512 nvsram （不揮発性 sram） 3V〜3.6V 32-PMDIPモジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 72 不揮発性 4mbit 85 ns nvsram 512k x 8 平行 85ns
CY7C1062GN30-10BGXIT Infineon Technologies Cy7C1062GN30-10BGXIT 57.8550
RFQ
 ECAD 5229 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA Cy7C1062 sram-非同期 2.2V〜3.6V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 揮発性 16mbit 10 ns sram 512K x 32 平行 10ns
BR93G76F-3GTE2 Rohm Semiconductor BR93G76F-3GTE2 0.6700
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） BR93G76 Eeprom 1.7V〜5.5V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 3 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8、512 x 16 マイクロワイヤ 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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