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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
SM668PEB-ACS Silicon Motion, Inc. SM668PEB-ACS -
RFQ
 ECAD 8314 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ 廃止 SM668 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 1
NDL88PFO-8KIT TR Insignis Technology Corporation NDL88PFO-8KIT TR 19.7505
RFQ
 ECAD 8094 0.00000000 Insignis Technology Corporation NDL88P テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1982-NDL88PFO-8KITTR 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
70V9079S7PF8 Renesas Electronics America Inc 70V9079S7PF8 -
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V9079 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 256kbit 7.5 ns sram 32k x 8 平行 -
MT53E512M16D1FW-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046AIT：D TR 9.3750
RFQ
 ECAD 3734 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M16D1FW-046AIT：DTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 512m x 16 平行 18ns
A3721515-C ProLabs A3721515-C 30.0000
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A3721515-C ear99 8473.30.5100 1
70V3379S4BCG Renesas Electronics America Inc 70V3379S4BCG 108.4075
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 256-lbga 70V3379 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 256-CABGA （17x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 6 揮発性 576kbit 4.2 ns sram 32k x 18 平行 -
IDT71V3558S100PF Renesas Electronics America Inc IDT71V3558S100PF -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71V3558 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3558S100PF 3A991B2A 8542.32.0041 72 100 MHz 揮発性 4.5mbit 5 ns sram 256k x 18 平行 -
MT28F320J3BS-11 MET Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11 Met -
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
AT25HP512C1-10CI-2.7 Microchip Technology AT25HP512C1-10CI-2.7 -
RFQ
 ECAD 4972 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-tdfn AT25HP512 Eeprom 2.7V〜5.5V 8 ラップ（8x5） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT25HP512C10CI2.7 ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 512kbit Eeprom 64k x 8 spi 10ms
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga （10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IDT71V3557SA85BQI Renesas Electronics America Inc IDT71V3557SA85BQI -
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IDT71V3557 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3557SA85BQI 3A991B2A 8542.32.0041 136 揮発性 4.5mbit 8.5 ns sram 128k x 36 平行 -
AT49BV642D-70TU Microchip Technology AT49BV642D-70TU -
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT49BV642 フラッシュ 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 120µs
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M32D2DS-046 WT ES：a -
RFQ
 ECAD 3645 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 廃止 1,360 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT53B4DBNQ-DC TR Micron Technology Inc. mt53b4dbnq-dc tr -
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 200-VFBGA mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,000 揮発性 ドラム
CY7C1069G30-10BVXI Infineon Technologies CY7C1069G30-10BVXI 44.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy7C1069 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 10 ns sram 2m x 8 平行 10ns
S29GL128S10DHI013 Infineon Technologies S29GL128S10DHI013 6.2300
RFQ
 ECAD 1029 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 128mbit 100 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
IS61C64AL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C64AL-10JLI-TR 1.2505
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IS61C64 sram-非同期 4.75v〜5.25V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 64kbit 10 ns sram 8k x 8 平行 10ns
70T3589S166BF8 Renesas Electronics America Inc 70T3589S166BF8 173.0621
RFQ
 ECAD 4743 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 208-LFBGA 70T3589 sram- デュアルポート、同期 2.4V〜2.6V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 166 MHz 揮発性 2mbit 3.6 ns sram 64k x 36 平行 -
7130LA45TFI Renesas Electronics America Inc 7130la45tfi -
RFQ
 ECAD 8954 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-LQFP 7130la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP （10x10） - ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 160 揮発性 8kbit 45 ns sram 1k x 8 平行 45ns
CY7C1347G-166AXCKJ Cypress Semiconductor Corp Cy7C1347G-166AXCKJ 5.0900
RFQ
 ECAD 912 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1347 sram- sdr 3.15V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.5 ns sram 128k x 36 平行 -
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37：b -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
S29WS512P0SBFW003 Spansion S29WS512P0SBFW003 -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 スパンション WS-P バルク アクティブ -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-VFBGA S29WS512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 84-FBGA （11.6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 1 80 MHz 不揮発性 512mbit 80 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
AT45DB041E-MHN-Y Adesto Technologies at45db041e-mhn-y 1.1693
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 Adesto Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-udfn露出パッド AT45DB041 フラッシュ 1.65v〜3.6V 8-udfn （5x6） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1265-1065 ear99 8542.32.0071 570 85 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 264バイトx 2048ページ spi 8µs、3ms
CY7C199-35SI Cypress Semiconductor Corp Cy7C199-35SI 1.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ Cy7C199 sram-非同期 4.5v〜5.5V ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 35 ns sram 32k x 8 平行 35ns
71V124SA12YGI8 Renesas Electronics America Inc 71V124SA12YGI8 -
RFQ
 ECAD 7953 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） 71V124 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
IS61LF12836A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-7.5TQI-TR -
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LF12836 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 揮発性 4.5mbit 7.5 ns sram 128k x 36 平行 -
DS28E81P+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E81P+ -
RFQ
 ECAD 7708 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ - - DS28E81 - - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 90-2881p+000 0000.00.0000 120
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC2M16ECLL-7010BLI 4.2635
RFQ
 ECAD 1225 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA IS66WVC2M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
BR24G32FVT-5E2 Rohm Semiconductor BR24G32FVT-5E2 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR24G32 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
M58LT128KST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KST8ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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