SIC
close

メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F256G08CJAAAWP:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP：a -
RFQ
 ECAD 4452 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） Q9135013 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
IS66WV51216BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55BLI -
RFQ
 ECAD 1690 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WV51216 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 312 揮発性 8mbit 55 ns psram 512K x 16 平行 55ns
AT45DQ161-SSHD-T Adesto Technologies AT45DQ161-SSHD-T -
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT45DQ161 フラッシュ 2.5V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 85 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 528バイトx 4096ページ spi -quad i/o 8µs 、6ms
TC58CVG1S3HRAIG Kioxia America, Inc. TC58CVG1S3HRAIG -
RFQ
 ECAD 4511 0.00000000 Kioxia America - トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド TC58CVG1 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -
M29W400DT55N6F TR Micron Technology Inc. M29W400DT55N6F TR -
RFQ
 ECAD 8566 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
AT27BV010-15JC Microchip Technology AT27BV010-15JC -
RFQ
 ECAD 8758 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-lcc AT27BV010 eprom -otp 2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない AT27BV01015JC ear99 8542.32.0061 32 不揮発性 1mbit 150 ns eprom 128k x 8 平行 -
BR93H56RFVT-2CE2 Rohm Semiconductor BR93H56RFVT-2CE2 0.5000
RFQ
 ECAD 4078 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR93H56 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 128 x 16 マイクロワイヤ 4ms
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AUT：C TR 64.9800
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E2G32D4DE-046AUT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 2g x 32 平行 18ns
V29GL01GP11FFIR20 Infineon Technologies V29GL01GP11FFIR20 -
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 Infineon Technologies GL-P バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga 29GL01GP フラッシュ - 3V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
W632GG8NB-09 TR Winbond Electronics w632gg8nb-09 tr 4.2475
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W632GG8NB-09TR ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
RM25C32DS-LSNI-B Adesto Technologies RM25C32DS-LSNI-B -
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Adesto Technologies Mavriq™ チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） RM25C32 CBRAM 1.65v〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 98 20 MHz 不揮発性 32kbit CBRAM® 32バイトページサイズ spi 100µs、2.5ms
M10082040108X0ISAR Renesas Electronics America Inc M10082040108X0ISAR 20.3740
RFQ
 ECAD 8237 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M10082040108 ミスター（磁気抵抗ラム） 1.71V〜2V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 800-M10082040108X0ISARTR ear99 8542.32.0071 2,000 108 MHz 不揮発性 8mbit ラム 2m x 4 - -
IS46R16320D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2 11.0031
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS46R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
M29W800FB70N3F Alliance Memory, Inc. M29W800FB70N3F 2.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ -ブートブロック 3V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 512K x 16、1m x 8 CFI 70ns
MT46V128M4TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-75：d -
RFQ
 ECAD 9836 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 128m x 4 平行 15ns
M58LW032D110ZA6 STMicroelectronics M58LW032D110ZA6 -
RFQ
 ECAD 8500 0.00000000 stmicroelectronics - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M58LW032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT28F640J3FS-115 XMET Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 XMET -
RFQ
 ECAD 9707 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F640J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 115 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 -
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AUT：B TR -
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT53E128M16D1DS-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-046 AIT：a -
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E128M16D1DS-046AIT：a 廃止 1,360 2.133 GHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 - -
W25N512GWPIT Winbond Electronics W25N512GWPIT -
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N512 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GWPIT 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
AT25DF021A-MAHNHR-T Adesto Technologies AT25DF021A-MAHNHR-T 1.4000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-ufdfn露出パッド AT25DF021 フラッシュ 1.7V〜3.6V 8-udfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 85 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 12µs 、5ms
S25FL512SDSBHMC13 Infineon Technologies S25FL512SDSBHMC13 12.9500
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 80 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
MT48LC32M8A2P-75 L:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75 L：D TR -
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 15ns
AT24C02B-TSU-T Microchip Technology AT24C02B-TSU-T -
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント SOT-23-5薄い、TSOT-23-5 AT24C02 Eeprom 1.8V〜5.5V SOT-23-5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 2kbit 550 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
AT45DQ161E-CCUF-T Adesto Technologies at45dq161e-ccuf-t -
RFQ
 ECAD 5369 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 9-UBGA AT45DQ161 フラッシュ 2.3V〜3.6V 9 -UBGA （6x6） - 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 4,000 85 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 528バイトx 4096ページ spi -quad i/o 8µs 、6ms
S25FL129P0XBHV210 Infineon Technologies S25FL129P0XBHV210 -
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 Infineon Technologies fl-p トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga S25FL129 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
AT28C010-15LM/883 Microchip Technology AT28C010-15LM/883 -
RFQ
 ECAD 1253 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 44-CLCC AT28C010 Eeprom 4.5v〜5.5V 44-clcc （16.55x16.55） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT28C01015LM883 3A001A2C 8542.32.0051 29 不揮発性 1mbit 150 ns Eeprom 128k x 8 平行 10ms
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESFE01-2S​​ IT TR -
RFQ
 ECAD 3471 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
93LC46AT/SN Microchip Technology 93LC46AT/SN 0.3200
RFQ
 ECAD 563 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93LC46 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 マイクロワイヤ 6ms
93AA56AT-I/ST Microchip Technology 93aa56at-i/st 0.3900
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 93AA56 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 93AA56AT-I/ST-NDR ear99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 マイクロワイヤ 6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます