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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
BR24G32FVT-5E2 Rohm Semiconductor BR24G32FVT-5E2 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR24G32 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
FM24C04ULVM8 Fairchild Semiconductor FM24C04ULVM8 0.3700
RFQ
 ECAD 7808 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FM24C04 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 100 kHz 不揮発性 4kbit 3.5 µs Eeprom 512 x 8 i²c 15ms
CY7C2665KV18-550BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C2665KV18-550BZXC 442.7000
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C2665 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード 1 550 MHz 揮発性 144mbit sram 4m x 36 平行 - 確認されていません
CY7C1324F-117AI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1324F-117AI -
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1324 sram- sdr 3.15V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 MHz 揮発性 2mbit 7.5 ns sram 128k x 18 平行 -
7164S55TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S55TDB -
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.300 "、7.62mm） 7164S sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード 3A001A2C 8542.32.0041 1 揮発性 64kbit 55 ns sram 8k x 8 平行 55ns
MT28F400B3WG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8ベット -
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F400B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
93LC46CT-I/MS Microchip Technology 93LC46CT-I/MS 0.3900
RFQ
 ECAD 2016年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 93LC46 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 93LC46CT-I/MS-NDR ear99 8542.32.0051 2,500 3 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 マイクロワイヤ 6ms
EMF8132A3PF-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ EMF8132 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
AT93C46R-10SI-2.5 Microchip Technology AT93C46R-10SI-2.5 -
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93C46 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 3線シリアル 10ms
IS65C1024AL-45QLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C1024AL-45QLA3-TR 4.1213
RFQ
 ECAD 2117 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） IS65C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 45 ns sram 128k x 8 平行 45ns
CYD09S72V18-167BGXI Cypress Semiconductor Corp CYD09S72V18-167BGXI 152.5200
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FullFlex™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 484-BGA sram- デュアルポート、標準 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V 484-PBGA （23x23） - 2156-CYD09S72V18-167BGXI 2 167 MHz 揮発性 9mbit 11 ns sram 128k x 72 lvttl -
GD25Q40CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CSIGR 0.5200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25Q40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
S29GL256S10TFA020 Infineon Technologies S29GL256S10TFA020 7.6825
RFQ
 ECAD 1240 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 910 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
CAT64LC40VI-GT3 onsemi CAT64LC40VI-GT3 0.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onsemi CAT64LC40 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） Eeprom 2.5V〜6V 8-SOIC - 2156-CAT64LC40VI-GT3 2,219 1 MHz 不揮発性 4kbit 500 ns Eeprom 256 x 16 spi 5ms
709279L9PF Renesas Electronics America Inc 709279L9PF -
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 709279L sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 6 揮発性 512kbit 9 ns sram 32k x 16 平行 -
S25FL256SAGNFM003 Infineon Technologies S25FL256SAGNFM003 8.9250
RFQ
 ECAD 9008 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit 6.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 750µs
IS21ES32G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES32G-JCLI -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA IS21ES32 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS21ES32G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC -
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-062 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
IS46LQ16256A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16256A-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 LVSTL -
IS25LP020E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JYLE-TR 0.3100
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド IS25LP020 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP020E-JYLE-TR ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 8 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 1.2ms
24FC08-E/ST Microchip Technology 24FC08-E/ST 0.3200
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 24FC08 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 150-24FC08-E/ST ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 不揮発性 8kbit 450 ns Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
AT34C02Y1-10YI-2.7 Microchip Technology AT34C02Y1-10YI-2.7 -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-vdfn露出パッド AT34C02 Eeprom 2.7V〜5.5V 8 マップ（ 3x4.9） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT34C02Y1-10YI2.7 ear99 8542.32.0051 120 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
W988D2FBJX6I TR Winbond Electronics w988d2fbjx6i tr -
RFQ
 ECAD 7921 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA W988D2 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
7140SA35PF8 Renesas Electronics America Inc 7140SA35PF8 -
RFQ
 ECAD 4625 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 7140SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 8kbit 35 ns sram 1k x 8 平行 35ns
FM25V20-DG Infineon Technologies FM25V20-DG -
RFQ
 ECAD 2173 0.00000000 Infineon Technologies f-ram™ チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド FM25V20 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 74 40 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi -
W25Q64FWSSAQ Winbond Electronics w25q64fwssaq -
RFQ
 ECAD 9099 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64FWSSAQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
7130SA12PDG Renesas Electronics America Inc 7130SA12PDG -
RFQ
 ECAD 9740 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 前回購入します 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 48-dip（0.600 "、15.24mm） sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 48-pdip - 800-7130SA12PDG 1 揮発性 8kbit 12 ns sram 1k x 8 平行 12ns
IS43TR85120A-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBLI -
RFQ
 ECAD 7700 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR85120A-093NBLI ear99 8542.32.0036 220 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
MT47H32M16NF-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-187E：H Tr -
RFQ
 ECAD 5868 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 533 MHz 揮発性 512mbit 350 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
CY15B104QI-20LPXCT Infineon Technologies CY15B104Q-20LPXCT 21.6650
RFQ
 ECAD 4449 0.00000000 Infineon Technologies Excelon™-LP 、F-Ram™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-UQFN フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 8-gqfn （3.23x3.28） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1B2 8542.32.0071 2,500 20 MHz 不揮発性 4mbit 20 ns フラム 512k x 8 spi -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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