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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
71V2546S100BG8 Renesas Electronics America Inc 71V2546S100BG8 7.4983
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71v2546 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 100 MHz 揮発性 4.5mbit 5 ns sram 128k x 36 平行 -
STK17TA8-RF45 Infineon Technologies STK17TA8-RF45 -
RFQ
 ECAD 1343 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） STK17TA8 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48スソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 60 不揮発性 1mbit 45 ns nvsram 128k x 8 平行 45ns
MT58L256L32PS-6 Micron Technology Inc. MT58L256L32PS-6 6.8200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 8mbit 3.5 ns sram 256k x 32 平行 -
CY7C0832V-167AXC Infineon Technologies Cy7C0832V-167AXC -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 120-LQFP Cy7C0832 sram- デュアルポート、同期 3.135V〜3.465V 120-TQFP（14x14 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 90 167 MHz 揮発性 4.5mbit sram 256k x 18 平行 -
QMP29GL512P10TAI010 Infineon Technologies QMP29GL512P10TAI010 -
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 Infineon Technologies GL-P バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） QMP29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 512mbit フラッシュ 32m x 16 平行 -
S29GL256S90DHSS33 Infineon Technologies S29GL256S90DHSS33 6.9825
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
CY7C1643KV18-450BZC Infineon Technologies Cy7C1643Kv18-450bzc -
RFQ
 ECAD 8226 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1643 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 450 MHz 揮発性 144mbit sram 8m x 18 平行 -
SM662GAB-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GABベス 19.4700
RFQ
 ECAD 5598 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-sm662gab-bess 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 80gbit フラッシュ 10g x 8 EMMC -
AT27C4096-55PC Microchip Technology AT27C4096-55PC -
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 ECAD 9901 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 穴を通して 40-dip（0.600 "、15.24mm） AT27C4096 eprom -otp 4.5v〜5.5V 40-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT27C409655PC 3A991B1B1 8542.32.0061 10 不揮発性 4mbit 55 ns eprom 256k x 16 平行 -
W29GL128CL9C TR Winbond Electronics W29GL128CL9C TR -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFBGA W29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 90ns
MT28F320J3BS-11 MET Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11 Met -
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
CYD09S72V18-200BGXI Cypress Semiconductor Corp CYD09S72V18-200BGXI -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 484-FBGA CYD09S72 sram- デュアルポート、同期 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V 484-PBGA （27x27 ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 60 200 MHz 揮発性 9mbit 3.3 ns sram 128k x 72 平行 - 確認されていません
IS61WV25616BLS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLS-25TLI 4.4433
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS61WV25616 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 25 ns sram 256k x 16 平行 25ns
AT25040A-10TQ-2.7 Atmel AT25040A-10TQ-2.7 0.9700
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 ECAD 14 0.00000000 Atmel - バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT25040 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 20 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 5ms
S29GL256S90TFI013 Infineon Technologies S29GL256S90TFI013 6.9825
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
IDT71T75702S85PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71T75702S85PFI8 -
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 ECAD 5516 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71T75 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71T75702S85PFI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 18mbit 8.5 ns sram 512K x 36 平行 -
M30LW128D110N6 STMicroelectronics M30LW128D110N6 -
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 ECAD 2958 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M30LW128 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 110 ns フラッシュ 8m x 8 x 2、4m x 16 平行 110ns
CY7C2263KV18-450BZXI Infineon Technologies Cy7C2263Kv18-450bzxi 90.2825
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 ECAD 5812 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C2263 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 450 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
93LC86C-I/S15K Microchip Technology 93LC86C-I/S15K -
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 ECAD 5580 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ 93LC86 Eeprom 2.5V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 3 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8、1k x 16 マイクロワイヤ 5ms
71V30S55TFG Renesas Electronics America Inc 71V30S55TFG -
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 ECAD 4532 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 71V30 sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP （10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 40 揮発性 8kbit 55 ns sram 1k x 8 平行 55ns
CY7C2568KV18-500BZC Infineon Technologies Cy7C2568KV18-500BZC -
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C2568 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 500 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
S25FL032P0XBHI030 Cypress Semiconductor Corp S25FL032P0XBHI030 0.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-p トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3A991B1A 8542.32.0071 575 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
CAT24C04WI-GT3JN onsemi CAT24C04WI-GT3JN -
RFQ
 ECAD 2618 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT24C04 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 4kbit 900 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
IS42S32400F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7TL 4.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1272 ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
S28HS01GTFPBHM033 Infineon Technologies S28HS01GTFPBHM033 27.2300
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-VBGA フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 24-FBGA （8x8） ダウンロード 2,500 166 MHz 不揮発性 1gbit 5.45 ns フラッシュ 128m x 8 SPI -OCTAL I/O 1.7ms
AT24C128N-10SU-2.7 Microchip Technology AT24C128N-10SU-2.7 -
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT24C128 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT24C128N-10SU2.7 ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 不揮発性 128kbit 550 ns Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
CY7C1418KV18-333BZC Infineon Technologies Cy7C1418KV18-333BZC 62.5625
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1418 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 680 333 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
71T75602S166BGG Renesas Electronics America Inc 71T75602S166BGG 43.6204
RFQ
 ECAD 7742 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71T75602 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 36 平行 -
AT27C256R-12JI Microchip Technology AT27C256R-12JI -
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-lcc AT27C256 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない AT27C256R12JI ear99 8542.32.0061 32 不揮発性 256kbit 120 ns eprom 32k x 8 平行 -
71V67903S80BQ8 Renesas Electronics America Inc 71V67903S80BQ8 26.1188
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA 71v67903 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 100 MHz 揮発性 9mbit 8 ns sram 512K x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

    標準製品ユニット

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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