画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C1370D-250AXC | - | ![]() | 6795 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1370 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | MT29F256G08CEECBH6-12:C Tr | - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.5V〜3.6V | 152-VBGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | S26HS01GTFPBHI033 | 19.3725 | ![]() | 7658 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 24-FBGA (8x8) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 5.45 ns | フラッシュ | 128m x 8 | ハイパーバス | 1.7ms | |||||
![]() | 7024S20PFG | - | ![]() | 9319 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7024S20 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | - | 800-7024S20PFG | 廃止 | 1 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 20ns | ||||||
![]() | Cy7C1346F-166AC | 4.1700 | ![]() | 154 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1346 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 2mbit | 3.5 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 7009L20PFI8 | - | ![]() | 7933 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 7009L20 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 20ns | |||
![]() | MEM-DR340L-SL01-ER16-C | 32.5000 | ![]() | 2040 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR340L-SL01-ER16-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AT27C010L-15PC | - | ![]() | 4442 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | AT27C010 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT27C010L15PC | ear99 | 8542.32.0061 | 12 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | ||
![]() | 71V3576S150PFG | 6.8200 | ![]() | 144 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71V3576 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||||
![]() | Cy7C1041D-2xWI | - | ![]() | 4973 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | - | Cy7C1041 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0071 | 91 | 揮発性 | 4mbit | sram | 256k x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | SST39VF200A-70-4C-B3KE | 1.4400 | ![]() | 4912 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | SST39VF200 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 128k x 16 | 平行 | 20µs | |||
![]() | MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B TR | 69.2400 | ![]() | 6178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | 556-WFBGA(12.4x12.4 | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT:BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5mx 64 | - | - | ||||||||
![]() | IS42S32160B-75BL | - | ![]() | 9759 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-lfbga | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-LFBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS62LV256AL-20TLI-TR | 1.1527 | ![]() | 2749 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS62LV256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 256kbit | 20 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 20ns | |||
![]() | 24FC16-E/SN36KVAO | - | ![]() | 5410 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24FC16 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-24FC16-E/SN36KVAO | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 450 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||
w25q64jvzpiq | 1.1000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVZPIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | CAT24WC02L | - | ![]() | 4288 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | CAT24WC02 | Eeprom | 2.5V〜6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 3.5 µs | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 10ms | ||
![]() | MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 | - | ![]() | 9345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mt29vzzzbd8 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||
![]() | IS61WV5128FBLL-10TLI | 2.3764 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV5128FBLL-10TLI | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | ||||||
![]() | NM24C16M8X | 0.8000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | NM24C16 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 100 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 3.5 µs | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 10ms | ||
AT25256B-XHL-T | 1.2400 | ![]() | 1935年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | AT25SF081B-MAHB-T | 0.5400 | ![]() | 162 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT25SF081 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | IS26KL512S-Dable00 | - | ![]() | 7974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | ハイパーフラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-VFBGA | - | 1 | 100 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | ハイパーバス | - | ||||||||
![]() | M24256-BHRMN6TP | - | ![]() | 9326 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M24256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 500 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | MT58L256L18D1T-6 | 6.7700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 4mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
FT24C04A-KTG-T | - | ![]() | 8031 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FT24C04 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 550 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | |||
25LC128T-E/ST | 1.3950 | ![]() | 6853 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25LC128 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 25LC128T-E/STTR | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | w66bl6nbuahj | 7.2012 | ![]() | 5829 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66bl6 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66BL6NBUAHJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 2.133 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | CG8102AAT | - | ![]() | 4045 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | |||||||||||||||||
![]() | S25FL256SDPNFV000 | 5.0050 | ![]() | 6985 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - |
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