画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS49NLC18160-33B | - | ![]() | 1608 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | S29GL128S11DHIV20 | 6.2300 | ![]() | 4106 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 128mbit | 110 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | MX30LF1G08AA-XKI | - | ![]() | 2756 | 0.00000000 | マクロニックス | MX30LF | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MX30LF1 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 220 | 不揮発性 | 1gbit | 30 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 30ns | |||
Cy7C1440AV33-250AXC | - | ![]() | 5444 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1440 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 2.6 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
IS41LV16105B-60TL | - | ![]() | 7481 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS41LV16105 | DRAM -FP | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 揮発性 | 16mbit | 30 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | 7027S25PF | - | ![]() | 6671 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7027S25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 512kbit | 25 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 25ns | |||
![]() | STK11C68-SF45I | - | ![]() | 4748 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.342 "、幅8.69mm) | STK11C68 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 25 | 不揮発性 | 64kbit | 45 ns | nvsram | 8k x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | S29JL064J70BHI000 | - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29JL064J70BHI000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 7027S35G | 205.1156 | ![]() | 2221 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 108-bpga | 7027S35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 108-PGA (30.48x30.48) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 3 | 揮発性 | 512kbit | 35 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 35ns | |||
![]() | NLQ83PFS-6NIT | 18.1702 | ![]() | 7007 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA (10x14.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NLQ83PFS-6NIT | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | UCS-ML-128G4RW-C | 1.0000 | ![]() | 5936 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-UCS-ML-128G4RW-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C1550KV18-400BZXC | 245.4375 | ![]() | 2397 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1550 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S25FL128LAGMFB003 | - | ![]() | 3185 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL128LAGMFB003 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT62F512M32DS-031 AUT:B TR | 19.6650 | ![]() | 1446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 200-WFBGA (10x14.5 | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AUT:BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||||||
![]() | 7025L25GB/2725 | - | ![]() | 4519 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 800-7025L25GB/2725 | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71V416L15BEGI | 8.6840 | ![]() | 4387 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | 71V416L | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT53E1536M64D8HJ-046 WT:c | 67.8450 | ![]() | 5012 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | 556-WFBGA(12.4x12.4 | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT:c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5mx 64 | - | - | ||||||||
![]() | EDF8164A3PM-GD-FD | - | ![]() | 6034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | EDF8164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
MX25L6406EZNI-12GF | 1.3698 | ![]() | 5630 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX05/06/08 | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MX25L6406 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 86 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 300μs5ms | ||||
MT47H64M8SH-25E AAT:h | - | ![]() | 4507 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,518 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | 7132SA55PDG | - | ![]() | 1415 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | - | 800-7132SA55PDG | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 25AA160D-I/SN | 0.7200 | ![]() | 7356 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 25AA160 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | A2537139-C | 106.2500 | ![]() | 9938 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A2537139-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT47H16M16BG-3 IT:B TR | - | ![]() | 7483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-FBGA | MT47H16M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 256mbit | 450 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
CAT25320VI-GT3 | 0.5400 | ![]() | 6472 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT25320 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | 24C01-I | 0.1400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 24C01 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | MT28F800B3WG-9 TET TR | - | ![]() | 5919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28F800B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | IDT71V3557SA75BQI8 | - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V3557 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3557SA75BQI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | at93c56ay1-10yu-1.8 | - | ![]() | 4080 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | 93C56A | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8 マップ( 3x4.9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | at93c56ay110yu1.8 | ear99 | 8542.32.0051 | 120 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | 3線シリアル | 10ms | ||
![]() | 752373-091-C | 837.5000 | ![]() | 6564 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-752373-091-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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