画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy62167DV20L-70BVI | - | ![]() | 9352 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL2™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62167 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-VFBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16mbit | 70 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | S25FL128SAGMFBG00 | 4.1125 | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,400 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | 71v416S15yg | - | ![]() | 8666 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | 71V416S | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | CY7C1049DV33-10VXIT | - | ![]() | 3394 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1049 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 36-SOJ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||
![]() | CY7C0851V-167AXC | - | ![]() | 7336 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 176-LQFP | Cy7C0851 | sram- デュアルポート、同期 | 3.135V〜3.465V | 176-TQFP (24x24) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 167 MHz | 揮発性 | 2mbit | sram | 64k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | AT28HC64B-70SI | - | ![]() | 3430 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | AT28HC64 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT28HC64B70SI | ear99 | 8542.32.0051 | 27 | 不揮発性 | 64kbit | 70 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 10ms | ||
![]() | MT40A512M16LY-062E:e | 7.9500 | ![]() | 9044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,080 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 WT:b | 90.4650 | ![]() | 6037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT:b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
![]() | IS25WP032D-RMLE | - | ![]() | 4027 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IS25WP032 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1646 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 8 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |
![]() | N25Q00AA13GSF40G | - | ![]() | 5717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | N25Q00AA13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-1571-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 256m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||
![]() | S25FS064SDSMFM013 | - | ![]() | 9740 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、FS-S | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FS064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||
![]() | SMJ61CD16LA-70JDM | 18.3000 | ![]() | 306 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | AS4C4M32D1-5BCN | - | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | - | AS4C4M32 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 144-BGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1323 | ear99 | 8542.32.0002 | 189 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 12ns | |
![]() | AT28C010-15TI | - | ![]() | 9890 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT28C010 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 156 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | Eeprom | 128k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | 8 611 200 915 | - | ![]() | 6654 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | sicで中止されました | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AT45DB321D-TU-SL383 | - | ![]() | 3041 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AT45DB321 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 28-tsop | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 528バイトx 8192ページ | spi | 6ms | |||||
![]() | MB85R1001ANC-GE1 | 10.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | MB85R1001 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 128 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | フラム | 128k x 8 | 平行 | 150ns | |||
![]() | S29AL008J70TFA010 | 1.9042 | ![]() | 9992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | al-j | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ -ブートブロック | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 16、1m x 8 | CFI | 70ns | |||||||
![]() | MT53D2G32D8QD-062 WT:d | - | ![]() | 9049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||||
![]() | 71V256SA12YI | - | ![]() | 7530 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | 71v256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | AS7C4096A-20JCN | 5.2767 | ![]() | 2789 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C4096 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 揮発性 | 4mbit | 20 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 20ns | |||
![]() | MX25U25643GBJI00 | 3.1460 | ![]() | 3180 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-xfbga 、wlcsp | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 32-WLCSP | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25U25643GBJI00TR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 8 ns | フラッシュ | 64m x 4、128m x 2、256m x 1 | spi -quad i/o | 40µs、3ms | ||||||
![]() | w25q32fvtbig | - | ![]() | 9691 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | SST26VF032-80-5I-VA | - | ![]() | 9094 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST26SQI® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | SST26VF032 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | ウェーハ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 150-SST26VF032-80-5I-VA | 廃止 | 90 | 80 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 1.5ms | ||||
![]() | 70V05L20PFG8 | - | ![]() | 3541 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 70V05L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP(14x14 | - | 800-70V05L20PFG8TR | 廃止 | 750 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 20ns | ||||||
![]() | CG8142AA | - | ![]() | 6747 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 675 | |||||||||||||||||
![]() | W25N02KWTBIR | 4.3845 | ![]() | 3690 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25N02KWTBIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 8 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |||
AT24C256-10TU-2.7 | - | ![]() | 1002 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24C256 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 550 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 10ms | |||
![]() | S25HL512TFABHV013 | 10.2375 | ![]() | 1435 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||||
![]() | 510401-001-C | 17.5000 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-510401-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
毎日の平均RFQボリューム
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