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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42S16800E-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7BL -
RFQ
 ECAD 9324 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
MTFC32GJVED-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc32gved-4m it tr -
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
IS42S32200L-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7B -
RFQ
 ECAD 7440 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
AS4C512M8D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12BINTR -
RFQ
 ECAD 4053 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
MT53D384M32D2DS-053 XT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 XT：c -
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
AK6508DU Asahi Kasei Microdevices/AKM AK6508DU -
RFQ
 ECAD 5685 0.00000000 Asahi Kasei Microdevices/akm - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント 8-ufdfn露出パッド AK6508 Eeprom 1.6V〜4.5V 8-USON - 1 （無制限） ear99 8542.32.0051 5,000 10 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi -
MT62F1G32D2DS-023 IT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 IT：C Tr 25.1400
RFQ
 ECAD 2118 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F1G32D2DS-023IT：CTR 2,000
IS61NLP102418B-250B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-250B3LI-TR 18.0600
RFQ
 ECAD 1912年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NLP102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 1m x 18 平行 -
S30MS02GR25TFW100 Infineon Technologies S30MS02GR25TFW100 -
RFQ
 ECAD 6623 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S30MS02 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 96 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
MTFC4GMWDQ-3M AIT TR Micron Technology Inc. mtfc4gmwdq-3m ait tr -
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
70V3399S166BFG Renesas Electronics America Inc 70V3399S166BFG 188.0919
RFQ
 ECAD 6018 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 208-LFBGA 70V3399 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 7 166 MHz 揮発性 2mbit 3.6 ns sram 128k x 18 平行 -
MT58L512Y36FT-6.8 Micron Technology Inc. MT58L512Y36FT-6.8 18.6700
RFQ
 ECAD 607 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 6.8 ns sram 512K x 36 平行 -
MT54W1MH18JF-7.5 Micron Technology Inc. MT54W1MH18JF-7.5 23.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 500 PS sram 1m x 18 HSTL -
MT58L512L18FF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18FF-7.5 16.5800
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-標準 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 揮発性 8mbit 7.5 ns sram 512K x 18 平行 -
S25HS512TFANHI013 Infineon Technologies S25HS512TFANHI013 9.7825
RFQ
 ECAD 7119 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 166 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
S29PL127J70TFI130H Infineon Technologies S29PL127J70TFI130H -
RFQ
 ECAD 7017 0.00000000 Infineon Technologies pl-j トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29PL127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 91 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 平行 70ns
S25FL132K0XBHI030 Infineon Technologies S25FL132K0XBHI030 -
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 Infineon Technologies fl1-k トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL132 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
S25FL064P0XMFA003 Infineon Technologies S25FL064P0XMFA003 4.4100
RFQ
 ECAD 2114 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
IS43QR16256A-083RBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-083RBLI-TR -
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 15ns
R1LV3216RSA-7SI#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV3216RSA-7SI ＃B0 -
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） R1LV3216 sram 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 32mbit 70 ns sram 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
IS62C256AL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-45TLI 1.5200
RFQ
 ECAD 919 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） IS62C256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 45 ns sram 32k x 8 平行 45ns
AT29C512-15PC Microchip Technology AT29C512-15PC -
RFQ
 ECAD 3999 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 穴を通して 32-dip（0.600 "、15.24mm） AT29C512 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-PDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT29C51215PC ear99 8542.32.0071 12 不揮発性 512kbit 150 ns フラッシュ 64k x 8 平行 10ms
BR93H56RF-2CE2 Rohm Semiconductor BR93H56RF-2CE2 0.4900
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） BR93H56 Eeprom 2.5V〜5.5V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 128 x 16 マイクロワイヤ 4ms
CAT24C64WGE onsemi CAT24C64WGE 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onsemi * バルク 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT24C64 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-CAT24C64WGE-488 ear99 8542.32.0071 1 1 MHz 不揮発性 64kbit 400 ns Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACYAMD-5 IT -
RFQ
 ECAD 1462 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT62F512M32D2DS-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031 WT：B TR 12.2400
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 - 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F512M32D2DS-031WT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
IS45S16320F-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-6TLA1 13.3133
RFQ
 ECAD 4679 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
MX25U51279GXDJ00 Macronix MX25U51279GXDJ00 6.8475
RFQ
 ECAD 6173 0.00000000 マクロニックス - トレイ アクティブ - 3 （168 時間） 1092-MX25U51279GXDJ00 480
AS4C128M8D3-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BAN -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1088 ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
S71PL127JB0BFWQB0F Infineon Technologies S71PL127JB0BFWQB0F -
RFQ
 ECAD 6713 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - - - - - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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