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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR | 3.6017 |  | 1064 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | psram | 16m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 37.5ns | |||||||
| 595101-001-C | 43.7500 | | 8669 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-595101-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT29F2G01ABAGD12-IT：G TR | - | | 5973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
 | 71V65703S75BQ | 26.6900 | | 183 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | 71v65703 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA（13x15） | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||||||
| FM25V10-DGTR | 10.1479 | | 2683 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラム（強誘電性ラム） | 2V〜3.6V | 8-dfn （4x4.5） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 2,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 9 ns | フラム | 128k x 8 | spi | - | |||||||
 | MT29F4T08GMLBEJ4：b | - | | 4393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F4T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F4T08GMLBEJ4：b | 廃止 | 1,120 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | 平行 | - | ||||||||
| MX29GL512GDXFI-11G | 7.3590 | | 2673 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29GL | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga、CSPBGA | MX29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 110ns | ||||
| MT58L128V36P1F-5 | 7.7500 | | 103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 4mbit | 2.8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
 | Cy7C1415Bv18-250bzi | - | | 8804 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1415 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||||
 | SM671PXF-BFSS | 166.7500 | | 6719 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-BGA （11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PXF-BFSS | 1 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | EMMC | - | ||||||||||
| 70V18S15PF | - | | 5858 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | - | 800-70V18S15PF | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | Cy14b116n-z30xi | 73.5000 | | 6144 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | Cy14b116 | nvsram （不揮発性 sram） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 不揮発性 | 16mbit | 30 ns | nvsram | 1m x 16 | 平行 | 30ns | ||||
 | Cy7C2265KV18-400BZXI | 73.1500 | | 4731 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C2265 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 400 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||||
| Z9H53AA | 81.7500 | | 1906年年 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-Z9H53AA | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS42S16320D-7TLI-TR | 13.8300 | | 7481 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |||
 | IDT71V546XS133PFI | - | | 5059 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V546 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71v546xs133pfi | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
 | IS46TR85120A-125KBLA2 | - | | 7237 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA （9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR85120A-125KBLA2 | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| S26361-F3843-L517-C | 110.0000 | | 9982 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F3843-L517-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 7130la55pdgi | - | | 8490 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 穴を通して | 48-dip（0.600 "、15.24mm） | 7130la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 7 | 揮発性 | 8kbit | 55 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
| 7034L12PF8 | - | | 9670 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP（14x14 | - | 800-7034L12PF8TR | 1 | 揮発性 | 72kbit | 12 ns | sram | 4k x 18 | 平行 | 12ns | |||||||||
| 7006S17PFI | - | | 9469 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-LQFP | 7006S17 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 128kbit | 17 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 17ns | |||||
 | MX25U51279GXDR00 | 7.6600 | | 36 | 0.00000000 | マクロニックス | * | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 24-tbga | 24-bga （6x8） | - | ROHS準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 1092-MX25U51279GXDR00 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | ||||||||||||||
 | M25P64-VMF6G | - | | 1660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | M25P64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 50 | 50 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
 | cy62256ll-70zxc | - | | 8449 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | Cy62256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 2 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||||
 | Cy62136EV30LL-45BVXI | - | | 8732 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62136 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | 1 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 45ns | 確認されていません | ||||||||
| gd25lf16eeegr | 0.7582 | | 5042 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LF16EEEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 100µs 、4ms | ||||||||
| mt53e2d1bfw-dc | 22.5000 | | 7324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e2 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E2D1BFW-DC | 1,360 | ||||||||||||||||||||
| ndl48pfq-9met | 8.1000 | | 4257 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （7.5x10.6 | - | 1982-NDL48PFQ-9MET | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||||||||
| MT29F128G08AMCDBL1-6：D TR | - | | 7343 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
 | 93LC66A-I/SN15KVAO | - | | 8555 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | 93LC66 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | マイクロワイヤ | 6ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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