画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MR25H128AMDFR | 8.8200 | ![]() | 2186 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MR25H128 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-dfn-ep、小さな旗(5x6) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 819-MR25H128AMDFRTR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 128kbit | ラム | 16k x 8 | spi | - | ||||
![]() | S25HS512TDSMHV013 | 9.3499 | ![]() | 3262 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1,450 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||||||
![]() | GVT71128E36T-10T | 1.7100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Galvantech | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 700 | ||||||||||||||||||
![]() | S25FL064LABNFV011 | 2.3450 | ![]() | 1981年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,475 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | Cy62167GE30-45ZXI | 20.4400 | ![]() | 8517 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | Cy62167 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | upd44164362bf5-e40-eq3-a | 37.1700 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AS4C64M8SA-7TCN | - | ![]() | 7016 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C64 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 96 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | at24c08by6-yh-t | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Atmel | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT24C08 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 550 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | S25FS064SDSMFA010 | - | ![]() | 1139 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FS064SDSMFA010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 | 5.4170 | ![]() | 6446 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | |||||
![]() | S34MS04G204BHI013 | - | ![]() | 9145 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MS-2 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34MS04 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-BGA (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 不揮発性 | 4gbit | 45 ns | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | 45ns | ||||
IS46DR16320D-3DBLA1 | 6.4315 | ![]() | 4911 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS62WV25616DALL -55BI -TR | - | ![]() | 7111 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV25616 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
FT24C04A-UTR-T | - | ![]() | 7356 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FT24C04 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 550 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | SM671PEC-ADST | - | ![]() | 5352 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | M50FW040NB5G | - | ![]() | 7239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -20°C〜85°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | M50FW040 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 32-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 250 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT53E1G64D4SQ-046 WT:a | - | ![]() | 8793 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT53E1G64D4SQ-046WT:a | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | |||||||
![]() | cy7c1069dv33-10bvxika | 40.7000 | ![]() | 459 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1069 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-VFBGA (8x9.5) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | 24LC024HT-E/SN | 0.4350 | ![]() | 6760 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC024H | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 400 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 78016013a | 51.0000 | ![]() | 289 | 0.00000000 | 高度なマイクロデバイス | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 28-CLCC | 780160 | - | 4.5v〜5.5V | 28-CLCC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 4kbit | 70 ns | プロム | 512 x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | C-2400D4SR16S/4G | 42.5000 | ![]() | 9132 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-2400D4SR16S/4G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C037V-15AC | 24.2500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C037 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 13 | 揮発性 | 576kbit | 15 ns | sram | 32k x 18 | 平行 | 15ns | 確認されていません | |||||
MR4A16BMA35 | 42.7400 | ![]() | 960 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-lfbga | MR4A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 48-fbga (10x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 不揮発性 | 16mbit | 35 ns | ラム | 1m x 16 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | MT29F256G08CMCABH2-12Z:TR | - | ![]() | 9450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
25LC160DT-E/ST16KVAO | - | ![]() | 7641 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25LC160 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 5 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | 24LC024-E/SN | 0.4400 | ![]() | 573 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC024 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IS46TR16128B-15HBLA2 | - | ![]() | 5762 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w25q01jvtbiq | 11.7800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01JVTBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7.5 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 3.5ms | ||
![]() | S25FL128SAGMFIR01 | 5.8100 | ![]() | 4223 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 47 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | S25FL128LAGMFM003 | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL128LAGMFM003 | 1 |
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