画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AT49BV512-12TI | - | ![]() | 9476 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49BV512 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 512kbit | 120 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 30µs | |||
![]() | SST38VF6401B-70-5I-B3KE-T | - | ![]() | 2755 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST38 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | SST38VF6401 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 10µs | ||||
CAT24C32YGI | - | ![]() | 1885 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | CAT24C32 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 32kbit | 400 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IS62WV1288FBLL-45TLI | 1.7723 | ![]() | 3352 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS62WV1288 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | |||
70V657S12DRI | - | ![]() | 6133 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 208-BFQFP | 70V657 | sram- デュアルポート、非同期 | 3.15V〜3.45V | 208-PQFP (28x28) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 1.125mbit | 12 ns | sram | 32K x 36 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | 70V9289L7PRFG | - | ![]() | 7619 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 128-LQFP | 70V9289 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 1mbit | 7.5 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | - | |||
![]() | AT28C010E-12FM/883 | 539.6253 | ![]() | 6601 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 32-cflatpack | AT28C010 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32 フラットパック、セラミックボトムブレーズ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 15 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | Eeprom | 128k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | 71T75602S100BGI8 | 43.1361 | ![]() | 5187 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BGA | 71T75602 | sram- sdr(zbt) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 18mbit | 5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 24LC32A-I/SN | 0.5000 | ![]() | 694 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC32A | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 32kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | Cy62167DV30LL-70ZXI | - | ![]() | 7057 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | Cy62167 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16mbit | 70 ns | sram | 1m x 16、2m x 8 | 平行 | 70ns | |||
IDT71256SA25YI | - | ![]() | 2713 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IDT71256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71256SA25YI | ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | AT28HC64B-90JC | - | ![]() | 7137 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-lcc | AT28HC64 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 64kbit | 90 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | Cy7C1392Sv18-250bzc | - | ![]() | 1135 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1392 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -cy7c1392Sv18 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 16mbit | sram | 2m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | Cy7C1426KV18-250BZXC | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1426 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 4m x 9 | 平行 | - | |||
![]() | CYD09S18V18-200BBBBXC | - | ![]() | 8252 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 256-lbga | CYD09S18 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 256-FBGA (17x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.3 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS45S32200L-7TLA2-TR | 4.4516 | ![]() | 4715 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | Cy62136FV30LL-55ZSXET | 7.6475 | ![]() | 7494 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62136 | sram-非同期 | 2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | |||
47c16t-e/st | 1.0350 | ![]() | 5684 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 47C16 | eeprom、sram | 4.5v〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 400 ns | イーラム | 2k x 8 | i²c | 1ms | ||||
![]() | BR93L46FJ-WE2 | 0.5200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | BR93L46 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOP-J | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | |||
![]() | AT24C02A-10PC-1.8 | - | ![]() | 1816年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT24C02 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | AT24C02A10PC1.8 | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |
![]() | IS61LPD102418A-200TQI-TR | - | ![]() | 1966年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPD102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | 24LC025-I/SN | 0.3600 | ![]() | 9636 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC025 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | AT49F008A-90RC | - | ![]() | 1944年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 44-SOIC (0.525 "、13.34mm 幅) | AT49F008 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 44-SOIC | - | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 50µs | |||
![]() | S26361-F4083-L816-C | 210.0000 | ![]() | 2291 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F4083-L816-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AT27C010L-55PC | - | ![]() | 6761 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | AT27C010 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT27C010L55PC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 12 | 不揮発性 | 1mbit | 55 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | ||
![]() | S25FL256SDPMFIG10 | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | スパンション | fl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||
![]() | 93C86CT-E/MS | 0.7050 | ![]() | 4950 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 93C86 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 93C86CT-E/MS-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8、1k x 16 | マイクロワイヤ | 2ms | ||
![]() | S25FL128P0XMFI003M | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-p | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 3ms | |||
![]() | IS42S16800F-6TL-TR | 2.1697 | ![]() | 5624 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | w972gg8jb-3 tr | - | ![]() | 1871年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W972GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-WBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns |
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