画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STK14CA8-NF25I | - | ![]() | 2862 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | STK14CA8 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 44 | 不揮発性 | 1mbit | 25 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | 647893-B21-C | 37.5000 | ![]() | 5395 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647893-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | M5M5V108DVP-70 | 6.3000 | ![]() | 538 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | EDF8132A3PB-JD-FD | - | ![]() | 3336 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | - | EDF8132 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA(12x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||||
![]() | PCA24S08D/DG 、118 | - | ![]() | 8868 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | PCA24 | Eeprom | 2.5V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 935287848118 | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | i²c | - | |||
![]() | M29W800FB70N3E | - | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||||
![]() | IS61NLP25672-200B1I | - | ![]() | 6231 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 209-BGA | IS61NLP25672 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 209-LFBGA(14x22) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 72 | 平行 | - | |||
![]() | 71T75602S150BGG | 41.3158 | ![]() | 6524 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | 71T75602 | sram- sdr(zbt) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 150 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.8 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
GS81302T18GE-350I | 220.9200 | ![]() | 4549 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS81302T18 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-fpbga(15x17 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS81302T18GE-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 350 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 8m x 18 | 平行 | - | ||||
71024S12TYGI8 | 2.9225 | ![]() | 1432 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | 71024S | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||||
![]() | MT29F256G08AUAAAC5-ITZ:TR | - | ![]() | 3942 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA(18x14) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | 25AA080BT-I/SN | 0.7050 | ![]() | 2522 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 25AA080 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 25AA080BT-I/SN-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | EMMC04G-M657-K03U | 4.4700 | ![]() | 137 | 0.00000000 | キングストン | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-BGA | EMMC04G | フラッシュ-nand (mlc) | 1.8V〜3.3V | 153-FBGA (9x7.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 3217-EMMC04G-M657-K03U | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | at45db041e-sshn-b | 1.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT45DB041 | フラッシュ | 1.65v〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1265-1067-5 | ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 85 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 264バイトx 2048ページ | spi | 8µs、3ms | |||
![]() | AT27C4096-55JC | - | ![]() | 4013 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 44-lcc | AT27C4096 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 44-PLCC(16.6x16.6 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT27C409655JC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 27 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | eprom | 256k x 16 | 平行 | - | |||
![]() | INT000088H5443 | - | ![]() | 8717 | 0.00000000 | IBM | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | GD25LE16CLIGR | - | ![]() | 2519 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 21-XFBGA 、WLSCP | GD25LE16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 21-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
![]() | 7025S12PFI8 | - | ![]() | 1995年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | - | 800-7025S12PFI8TR | 1 | 揮発性 | 128kbit | 12 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 12ns | |||||||||
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR | - | ![]() | 1152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (8x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | Cy7C144-55JXC | - | ![]() | 9056 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | Cy7C144 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.23x24.23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 64kbit | 55 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
MR5A16AUMA45 | 77.7900 | ![]() | 2907 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | MR5A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 48-fbga (10x10) | - | ROHS3準拠 | 6 (ラベルの時間) | 影響を受けていない | 819-MR5A16AUMA45 | ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 不揮発性 | 32mbit | 45 ns | ラム | 2m x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | S29GL01GS11FAIV23 | 12.4950 | ![]() | 4197 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | AT49BV040A-90VU | - | ![]() | 2820 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | AT49BV040 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 50µs | ||||
![]() | AT45DB321D-MU-SL955 | - | ![]() | 4653 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | AT45DB321 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-VDFN (6x5) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 512バイトx 8192ページ | spi | 6ms | ||||||
MT35XL256ABA1GSF-0AAT | - | ![]() | 6890 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | MT35XL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | |||||||
![]() | K6E0808C1E-JC12T | 1.1000 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | sram-非同期 | 5V | 28-SOJ | - | 3277-K6E0808C1E-JC12TTR | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 256kbit | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | 確認されていません | ||||||||
![]() | AT28C010-15JA | - | ![]() | 4887 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 32-lcc | AT28C010 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | - | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | Eeprom | 128k x 8 | 平行 | 10ms | ||||
![]() | at25128b-sshl-t | 0.8200 | ![]() | 6533 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25128 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | AT25160AN-10SU-2.7-T | - | ![]() | 7488 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25160 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | IS61LPS204818B-200B3L | 89.7750 | ![]() | 2839 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPS204818 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.1 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫