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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
CAT25C256XI-TE13 Catalyst Semiconductor Inc. CAT25C256XI-TE13 -
RFQ
ECAD 4732 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) CAT25C256 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 2,000 5 MHz 不揮発性 256kbit Eeprom 32k x 8 spi 5ms
NDD36PT6-2AAT Insignis Technology Corporation NDD36PT6-2AAT 3.7895
RFQ
ECAD 8136 0.00000000 Insignis Technology Corporation ndd トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II - 1982-NDD36PT6-2AAT 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 SSTL_2 15ns
DS1200S+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1200S+ 6.4800
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - バルク アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) sram-同期 4.5v〜5.5V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1 4 MHz 揮発性 1kbit sram 1k x 1 i²c -
70V05L20J Renesas Electronics America Inc 70V05L20J -
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 68-lcc 70V05L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 68-PLCC(24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 18 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
S70KS1281DPBHV020 Infineon Technologies S70KS1281DPBHV020 -
RFQ
ECAD 1631 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™KS トレイ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-VBGA S70KS1281 psram(pseudo sram 1.7V〜1.95V 24-fbga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 338 166 MHz 揮発性 128mbit 36 ns psram 16m x 8 平行 -
1XD84AT-C ProLabs 1xd84at-c 130.0000
RFQ
ECAD 3458 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-1xd84at-c ear99 8473.30.5100 1
70V05L25J8 Renesas Electronics America Inc 70V05L25J8 -
RFQ
ECAD 3954 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 68-lcc 70V05L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 68-PLCC(24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 250 揮発性 64kbit 25 ns sram 8k x 8 平行 25ns
MEM-DR464L-SL01-ER29-C ProLabs MEM-DR464L-SL01-ER29-C 745.0000
RFQ
ECAD 2801 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-MEM-DR464L-SL01-ER29-C ear99 8473.30.5100 1
MT53E4G32D8GS-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 WT:C TR 127.0200
RFQ
ECAD 4837 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM-モバイルLPDDR4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WT:CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
SST38VF6403B-70I/CD Microchip Technology SST38VF6403B-70I/CD 7.1600
RFQ
ECAD 480 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST38 トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA SST38VF6403 フラッシュ 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 10µs
CY62167DV18LL-70BVI Cypress Semiconductor Corp Cy62167dv18ll-70bvi -
RFQ
ECAD 3091 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62167 sram-非同期 1.65V〜2.25V 48-VFBGA (8x9.5) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 16mbit 70 ns sram 1m x 16 平行 70ns
S29GL512T11FHIV43 Infineon Technologies S29GL512T11FHIV43 9.3625
RFQ
ECAD 6212 0.00000000 Infineon Technologies gl-t テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns
NDS66PBA-20IT TR Insignis Technology Corporation nds66pba-20it tr 2.6821
RFQ
ECAD 8931 0.00000000 Insignis Technology Corporation * テープ&リール( tr) アクティブ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1982-NDS66PBA-20ITTR 2,500
MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR -
RFQ
ECAD 6462 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント - MT29F3T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-TBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 3tbit フラッシュ 384g x 8 平行 -
S25FL128SAGMFBR03 Infineon Technologies S25FL128SAGMFBR03 4.1125
RFQ
ECAD 8631 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
MT53E2DBDS-DC TR Micron Technology Inc. mt53e2dbds-dc tr 22.5000
RFQ
ECAD 9307 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ mt53e2 - 影響を受けていない 557-MT53E2DBDS-DCTR 2,000
CY7C1354S-166BGC Infineon Technologies Cy7C1354S-166bgc -
RFQ
ECAD 4882 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 119-BGA Cy7C1354 sram- sdr 3.135V〜3.6V 119-PBGA - ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
7025L25PF8 Renesas Electronics America Inc 7025L25PF8 -
RFQ
ECAD 6823 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp 7025L25 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 128kbit 25 ns sram 8k x 16 平行 25ns
CAT28LV64H13-20 onsemi CAT28LV64H13-20 2.1800
RFQ
ECAD 380 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) CAT28LV64 Eeprom 3V〜3.6V 28-tsop ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-CAT28LV64H13-20-488 ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 64kbit 200 ns Eeprom 8k x 8 5ms
M5M5W816WG-70HI#BT Renesas Electronics America Inc M5M5W816WG-70HI bt 14.5200
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
S29GL256P11FAI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL256P11FAI010 11.0000
RFQ
ECAD 122 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2832-S29GL256P11FAI010 3A991B1A 8542.32.0070 46 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 16m x 16 CFI 110ns
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031AAT:B TR 62.0700
RFQ
ECAD 4623 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D8EK-031AAT:BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
71321LA20PFG8 Renesas Electronics America Inc 71321LA20PFG8 29.1749
RFQ
ECAD 4505 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 64-LQFP 71321LA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 16kbit 20 ns sram 2k x 8 平行 20ns
S29GL512P11TFI013 Cypress Semiconductor Corp S29GL512P11TFI013 9.0000
RFQ
ECAD 9377 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2832-S29GL512P11TFI013-TR 3A991B1A 8542.32.0071 28 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 平行 110ns
DS1350YP-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1350YP-70+ 85.0400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 34-POWERCAP™モジュール DS1350Y nvsram (不揮発性 sram) 4.5v〜5.5V 34-POWERCAPモジュール ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 175-ds1350yp-70+ 3A991B2A 8542.32.0041 40 不揮発性 4mbit 70 ns nvsram 512k x 8 平行 70ns
IDT709389L7PF8 Renesas Electronics America Inc IDT709389L7PF8 -
RFQ
ECAD 4204 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp IDT709389 sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 709389L7PF8 3A991B2A 8542.32.0041 750 揮発性 1.125mbit 7.5 ns sram 64k x 18 平行 -
CY7C1361S-133AXC Infineon Technologies Cy7C1361S-133AXC -
RFQ
ECAD 1715 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp Cy7C1361 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP(14x14 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 9mbit 6.5 ns sram 256k x 36 平行 -
MT29F64G08CBABBWP-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12:B TR -
RFQ
ECAD 5963 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT58L64L18PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18PT-7.5 8.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp MT58L64L18 sram 3.135V〜3.6V 100-TQFP(14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 1mbit 4.2 ns sram 64k x 18 平行 -
MT62F512M32D2DR-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DR-031 WT:b 11.7600
RFQ
ECAD 1677 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F512M32D2DR-031WT:b 1 3.2 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫