画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CAT25C256XI-TE13 | - | ![]() | 4732 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | CAT25C256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | NDD36PT6-2AAT | 3.7895 | ![]() | 8136 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | ndd | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | - | 1982-NDD36PT6-2AAT | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||||
![]() | DS1200S+ | 6.4800 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | sram-同期 | 4.5v〜5.5V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 4 MHz | 揮発性 | 1kbit | sram | 1k x 1 | i²c | - | ||||
![]() | 70V05L20J | - | ![]() | 4655 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 70V05L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 20ns | |||
S70KS1281DPBHV020 | - | ![]() | 1631 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram™KS | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | S70KS1281 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 338 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 36 ns | psram | 16m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | 1xd84at-c | 130.0000 | ![]() | 3458 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-1xd84at-c | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 70V05L25J8 | - | ![]() | 3954 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 70V05L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | MEM-DR464L-SL01-ER29-C | 745.0000 | ![]() | 2801 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR464L-SL01-ER29-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53E4G32D8GS-046 WT:C TR | 127.0200 | ![]() | 4837 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046WT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
![]() | SST38VF6403B-70I/CD | 7.1600 | ![]() | 480 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST38 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | SST38VF6403 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 10µs | |||
![]() | Cy62167dv18ll-70bvi | - | ![]() | 3091 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62167 | sram-非同期 | 1.65V〜2.25V | 48-VFBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16mbit | 70 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | S29GL512T11FHIV43 | 9.3625 | ![]() | 6212 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | |||
![]() | nds66pba-20it tr | 2.6821 | ![]() | 8931 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NDS66PBA-20ITTR | 2,500 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR | - | ![]() | 6462 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | - | MT29F3T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 272-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 3tbit | フラッシュ | 384g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | S25FL128SAGMFBR03 | 4.1125 | ![]() | 8631 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | mt53e2dbds-dc tr | 22.5000 | ![]() | 9307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | mt53e2 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E2DBDS-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1354S-166bgc | - | ![]() | 4882 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1354 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 7025L25PF8 | - | ![]() | 6823 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7025L25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 25ns | |||
![]() | CAT28LV64H13-20 | 2.1800 | ![]() | 380 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | CAT28LV64 | Eeprom | 3V〜3.6V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT28LV64H13-20-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | 5ms | ||||
![]() | M5M5W816WG-70HI bt | 14.5200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | S29GL256P11FAI010 | 11.0000 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2832-S29GL256P11FAI010 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 46 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 16 | CFI | 110ns | ||
![]() | MT62F1G64D8EK-031AAT:B TR | 62.0700 | ![]() | 4623 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AAT:BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
![]() | 71321LA20PFG8 | 29.1749 | ![]() | 4505 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 71321LA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 16kbit | 20 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 20ns | |||
![]() | S29GL512P11TFI013 | 9.0000 | ![]() | 9377 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2832-S29GL512P11TFI013-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 28 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 110ns | ||||
![]() | DS1350YP-70+ | 85.0400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 34-POWERCAP™モジュール | DS1350Y | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 34-POWERCAPモジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 175-ds1350yp-70+ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | nvsram | 512k x 8 | 平行 | 70ns | |||
![]() | IDT709389L7PF8 | - | ![]() | 4204 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT709389 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 709389L7PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1.125mbit | 7.5 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - | ||
![]() | Cy7C1361S-133AXC | - | ![]() | 1715 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1361 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 6.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
MT29F64G08CBABBWP-12:B TR | - | ![]() | 5963 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT58L64L18PT-7.5 | 8.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L64L18 | sram | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 1mbit | 4.2 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - | ||
![]() | MT62F512M32D2DR-031 WT:b | 11.7600 | ![]() | 1677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F512M32D2DR-031WT:b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - |
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