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メモリ（69470）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	sicプログラム可能	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
25LC160A-I/p	0.8400	RFQ	56	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	8-dip （0.300 "、7.62mm）	25LC160	Eeprom		2.5V〜5.5V	8-pdip	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	60	10 MHz	不揮発性	16kbit		Eeprom	2k x 8	spi	5ms
70121S35J	-	RFQ	2935	Renesas Electronics America Inc	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	52-lcc	70121S35	sram- デュアルポート、非同期		4.5v〜5.5V	52-plcc （19.13x19.13	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	24		揮発性	18kbit	35 ns	sram	2k x 9	平行	35ns
Cy7C11501KV18-400BZXI	45.8800	RFQ	655	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	Cy7C11501	sram- ddr II+		1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B2A	8542.32.0041	7	400 MHz	揮発性	18mbit		sram	512K x 36	平行	-	確認されていません
IS49NLS18160-25BLI	-	RFQ	2479	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLS18160	rldram 2		1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	16m x 18	平行	-
Cy7C2665Kv18-550bzi	-	RFQ	4190	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	Cy7C2665	sram- qdr ii+		1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS非準拠						105	550 MHz	揮発性	144mbit		sram	4m x 36	平行	-	確認されていません
AT29C020-15TC	-	RFQ	9885	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C	表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	AT29C020	フラッシュ	確認されていません	4.5v〜5.5V	32-tsop	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	AT29C02015TC	ear99	8542.32.0071	156		不揮発性	2mbit	150 ns	フラッシュ	256k x 8	平行	10ms
DS1250YP-70+	105.7650	RFQ	3148	Analog Devices Inc./Maxim Integrated	-	チューブ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	34-POWERCAP™モジュール	DS1250Y	nvsram （不揮発性 sram）		4.5v〜5.5V	34-POWERCAPモジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	-4941-DS1250YP-70+	3A991B2A	8542.32.0041	40		不揮発性	4mbit	70 ns	nvsram	512k x 8	平行	70ns
gd25ve32csigr	-	RFQ	3345	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	GD25ve32	フラッシュ -		2.1V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	-
IDT71T75802S100PFGI	-	RFQ	3517	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IDT71T75	sram- sdr（zbt）		2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない	71T75802S100PFGI	3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	揮発性	18mbit	5 ns	sram	1m x 18	平行	-
IDT71124S15Y8	-	RFQ	6097	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅）	IDT71124	sram-非同期		4.5v〜5.5V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71124S15Y8	3A991B2B	8542.32.0041	1,000		揮発性	1mbit	15 ns	sram	128k x 8	平行	15ns
RM25C256DS-LTAI-T	-	RFQ	8106	Adesto Technologies	Mavriq™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	RM25C256	CBRAM		1.65v〜3.6V	8-tssop	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	4,000	20 MHz	不揮発性	256kbit		CBRAM®	64バイトページサイズ	spi	100µs、2.5ms
MT47H64M8B6-25E L：D TR	-	RFQ	7394	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	60-FBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	60-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	64m x 8	平行	15ns
70T651S15BF	288.3424	RFQ	5744	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	208-LFBGA	70T651	sram- デュアルポート、非同期		2.4V〜2.6V	208-CABGA （15x15	ダウンロード	ROHS非準拠	4 （72 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	7		揮発性	9mbit	15 ns	sram	256k x 36	平行	15ns
at49f512-90pi	-	RFQ	5287	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（TC）	穴を通して	32-dip（0.600 "、15.24mm）	AT49F512	フラッシュ		4.5v〜5.5V	32-PDIP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	at49f51290pi	ear99	8542.32.0071	12		不揮発性	512kbit	90 ns	フラッシュ	64k x 8	平行	50µs
MT41K512M8V90BWC1	-	RFQ	1635	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC			MT41K512M8	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V		-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			廃止	0000.00.0000	100		揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
IS42VM16160E-6BLI	-	RFQ	5436	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42VM16160	sdram-モバイル		1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	348	166 MHz	揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
ct8g3ersld8160b-c	77.5000	RFQ	5048	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ									-	ROHS準拠			4932-CT8G3ERSLD8160B-C	ear99	8473.30.5100	1
GS816036DGT-333I	38.9400	RFQ	36	GSI Technology Inc.	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜100°C （TJ	表面マウント	100-lqfp	GS816036	sram- 同期、標準		2.3V〜2.7V、3V〜3.6V	100-TQFP （20x14	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	2364-GS816036DGT-333I	ear99	8542.32.0041	36	333 MHz	揮発性	18mbit		sram	512K x 36	平行	-
71V321L35PFGI	28.5737	RFQ	6802	Renesas Electronics America Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-LQFP	71V321L	sram- デュアルポート、非同期		3V〜3.6V	64-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	45		揮発性	16kbit	35 ns	sram	2k x 8	平行	35ns
MD27256-20/b	-	RFQ	7207	ロチェスターエレクトロニクス、LLC	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A001A2C	8542.32.0051	1
IS25WP032D-JLLE	-	RFQ	4663	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WP032	フラッシュ -		1.65V〜1.95V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	800µs
GD25LR128EYIGR	1.8135	RFQ	5749	Gigadevice Semiconductor	GD25LR	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド		フラッシュ - （slc）		1.65V〜2V	8-wson （6x8）	-				1970-GD25LR128EYIGRTR			3,000	200 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	-
AT49F002NT-70VI	-	RFQ	9440	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm）	AT49F002	フラッシュ		4.5v〜5.5V	32-VSOP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	AT49F002NT70VI	ear99	8542.32.0071	208		不揮発性	2mbit	70 ns	フラッシュ	256k x 8	平行	50µs
MCM6729DWJ-10R	15.0000	RFQ	1	Samsung Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント			sram-非同期		5V	32-SOJ	-				3277-MCM6729DWJ-10RTR	ear99	8542.32.0041	100		揮発性	1mbit		sram	256k x 4	平行	10ns	確認されていません
MX25L3233FM1I-08Q	0.8000	RFQ	40	マクロニックス	MXSMIO™	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	MX25L3233	フラッシュ -		2.65V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	8m x 4	spi -quad i/o	50μs1.2ms
IS46TR16128DL-107MBLA2-TR	6.4148	RFQ	4841	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46TR16128DL-107MBLA2-TR			1,500	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
71V65903S80BGI8	28.7073	RFQ	5305	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	119-BGA	71v65903	sram- sdr（zbt）		3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	9mbit	8 ns	sram	512K x 18	平行	-
SM671PAE-BFSS	88.9000	RFQ	3884	シリコンモーション、Inc。	ferri-ufs™	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C	表面マウント	153-TBGA		フラッシュ-nand（slc）		-	153-BGA （11.5x13	ダウンロード				1984-SM671PAE-BFSS			1		不揮発性	640GBIT		フラッシュ	80g x 8	UFS2.1	-
SST39LF020-55-4C-MME	-	RFQ	6500	マイクロチップテクノロジー	SST39 MPF™	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	34-wfbga	SST39LF020	フラッシュ		3V〜3.6V	34-wfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	740		不揮発性	2mbit	55 ns	フラッシュ	256k x 8	平行	20µs
SST39LF801C-55-4C-B3KE	1.8450	RFQ	1473	マイクロチップテクノロジー	SST39 MPF™	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	48-TFBGA	SST39LF801	フラッシュ		3V〜3.6V	48-TFBGA	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	SST39LF801C554CB3KE	ear99	8542.32.0051	480		不揮発性	8mbit	55 ns	フラッシュ	512K x 16	平行	10µs

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²