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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ve16ctigr -
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 ECAD 8137 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） GD25ve16 フラッシュ - 2.1V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o -
MT47H64M8CF-25E L:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E L：G TR -
RFQ
 ECAD 6018 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
M58LT128KSB8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KSB8ZA6E -
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT41K256M16TW-093 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-093 IT：P Tr -
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
IDT6116SA35SOI8 Renesas Electronics America Inc IDT6116SA35SOI8 -
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IDT6116 sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 6116SA35SOI8 ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
MX25R8035FZUIL0 Macronix MX25R8035FZUIL0 0.6700
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 ECAD 49 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド MX25R8035 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 12,000 33 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 100μs10ms
MT49H16M18SJ-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18SJ-25：B Tr 30.0900
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 ECAD 5617 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
AT45DQ161-SHFHD-T Adesto Technologies AT45DQ161-SHFHD-T 3.6200
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 ECAD 2 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） AT45DQ161 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 85 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 528バイトx 4096ページ spi -quad i/o 8µs 、6ms
W25Q128JVTIM TR Winbond Electronics w25q128jvtim tr -
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 ECAD 9527 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
SST39VF1602C-70-4I-EKE Microchip Technology SST39VF1602C-70-4I-EKE 2.4700
RFQ
 ECAD 206 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） SST39VF1602 フラッシュ 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 10µs
AS4C1G8D3LA-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BCN 28.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1485 ear99 8542.32.0032 220 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
S25FL128SAGMFA003 Infineon Technologies S25FL128SAGMFA003 4.1388
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
M27C256B-90C6 STMicroelectronics M27C256B-90C6 -
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 ECAD 1966年年 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc M27C256 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PLCC（11.35x13.89） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0061 32 不揮発性 256kbit 90 ns eprom 32k x 8 平行 -
IS43R16800E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TL-TR 2.1360
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R16800 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 8m x 16 平行 12ns
IS25CD010-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD010-JNLE-TR -
RFQ
 ECAD 3222 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25CD010 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 5ms
AS4C32M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3L-12bin 4.7491
RFQ
 ECAD 4590 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C32 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1428 ear99 8542.32.0028 190 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 32m x 16 平行
71V65703S75BGG Renesas Electronics America Inc 71V65703S75BGG 28.7073
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71v65703 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 揮発性 9mbit 7.5 ns sram 256k x 36 平行 -
FT24C32A-USR-T Fremont Micro Devices Ltd FT24C32A-USR-T 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fremont Micro Devices Ltd - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FT24C32 Eeprom 1.8V〜5.5V 8ソップ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 800 kHz 不揮発性 32kbit 700 ns Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
IS42S16800F-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7B -
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 ECAD 5802 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
M27C322-100S1 STMicroelectronics M27C322-100S1 -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 42-sdip（0.600 "、15.24mm） M27C322 eprom -otp 4.5v〜5.5V 42-sdip ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0061 13 不揮発性 32mbit 100 ns eprom 2m x 16 平行 -
93C56C-E/P Microchip Technology 93c56c-e/p 0.4600
RFQ
 ECAD 9079 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 93C56C Eeprom 4.5v〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 93C56C-E/P-NDR ear99 8542.32.0051 60 3 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 マイクロワイヤ 2ms
IS42SM32200KWS-1 Semtech Corporation IS42SM32200KWS-1 -
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 ECAD 1791 0.00000000 Semtech Corporation - バルク 廃止 - 600-IS42SM32200KWS-1 1
EDFA232A2PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA232A2PD-GD-FD -
RFQ
 ECAD 6334 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA232 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MX25L12835FZNI-10G Macronix MX25L12835FZNI-10G 3.2300
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 ECAD 14 0.00000000 マクロニックス MX25XXX35/36 -MXSMIO™ トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MX25L12835 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 30µs、1.5ms
AT28HC256-70JU-T Microchip Technology AT28HC256-70JU-T 15.2000
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 ECAD 1924年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-lcc AT28HC256 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 750 不揮発性 256kbit 70 ns Eeprom 32k x 8 平行 10ms
BR24T32FJ-WE2 Rohm Semiconductor BR24T32FJ-WE2 0.4200
RFQ
 ECAD 4908 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） BR24T32 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-SOP-J ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
CY7C1006D-10VXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1006D-10VXI 3.9700
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 ECAD 12 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C1006 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2B 8542.32.0041 76 揮発性 1mbit 10 ns sram 256k x 4 平行 10ns 確認されていません
M25PX32-VZM6FBA TR Micron Technology Inc. M25PX32-VZM6FBA TR -
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 ECAD 5671 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga M25PX32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi 15ms、5ms
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10ITZ：TR -
RFQ
 ECAD 2990 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
DS1350YP-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1350YP-100+ -
RFQ
 ECAD 7668 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 34-POWERCAP™モジュール DS1350Y nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 34-POWERCAPモジュール ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 40 不揮発性 4mbit 100 ns nvsram 512k x 8 平行 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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