画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR | - | ![]() | 2260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | IDT71V35761S200BQI8 | - | ![]() | 9093 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V35761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V35761S200BQI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |
![]() | IDT71P72604S167BQI | - | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71P72 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71P72604S167BQI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 8.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |
![]() | AT24C512BN-SH-B | - | ![]() | 9904 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT24C512 | Eeprom | 1.8V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | 7134SA25JI8 | - | ![]() | 9225 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-lcc | 7134SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 32kbit | 25 ns | sram | 4k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
7142LA35C | - | ![]() | 8749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 7142la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48サイドろう付け | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 8 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
BR24C02-10TU-1.8 | - | ![]() | 9724 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR24C02 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BR24C0210TU1.8 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
93AA76A-I/ST | - | ![]() | 9171 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 93AA76 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | マイクロワイヤ | 5ms | ||||
![]() | 7037S12PFI | - | ![]() | 1798 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | - | 800-7037S12PFI | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 70V27S25PFI8 | - | ![]() | 8649 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V27S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 512kbit | 25 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | Cy15B104QSN-108LPXIT | 25.2175 | ![]() | 7572 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Excelon™-ultra 、F-Ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-UQFN | Cy15B104 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8-gqfn (3.23x3.28) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラム | 512k x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | S29GL512T11FAIV20 | 9.3625 | ![]() | 3167 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | |||
![]() | S25FL256SAGMFB013 | - | ![]() | 8635 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL256SAGMFB013 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 70V34L15PF8 | - | ![]() | 5992 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V34 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 72kbit | 15 ns | sram | 4k x 18 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IDT71V424S15PH8 | - | ![]() | 6942 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71v424 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v424S15ph8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | Cy7C1399BN-15VXC | - | ![]() | 4363 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | Cy7C1399 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,350 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IDT71V3557SA85BQG | - | ![]() | 6689 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V3557 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3557SA85BQG | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 揮発性 | 4.5mbit | 8.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR | 4.7956 | ![]() | 2718 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV25616 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 4mbit | 8 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 8ns | |||
![]() | Cy7C1513KV18-250BZXC | 165.1125 | ![]() | 8424 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1513 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -cy7c1513kv18-250bzxc | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 272 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | at93c46-10pi | - | ![]() | 6971 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 93C46 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8、64 x 16 | 3線シリアル | 10ms | |||
![]() | W9412G6JB-5I | - | ![]() | 8583 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | W9412G6 | SDRAM | 2.7V〜2.3V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9412G6JB-5I | ear99 | 8542.32.0002 | 209 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | lvttl | 15ns | |
![]() | JM38510/23113BFA | 39.3300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G100BHA000 | - | ![]() | 4540 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-1 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34ML02 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-BGA (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | 47L16-I/S16K | - | ![]() | 2064 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 47L16 | eeprom、sram | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 400 ns | イーラム | 2k x 8 | i²c | 1ms | ||
![]() | MX29LV800CBXEC-90G | - | ![]() | 9075 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-lfbga、Cspbga | MX29LV800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | 90ns | |||
![]() | 4x70p98202-c | 113.5000 | ![]() | 9134 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-4x70p98202-c | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL128S11FHV20 | 5.1100 | ![]() | 2509 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 不揮発性 | 128mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 8 | CFI | 60ns | |||||||
![]() | EDF8132A3PD-GD-FD | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | EDF8132 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | 25LC010A-H/SN | 0.6900 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C(ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 25LC010 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2A | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | |||
S70GL02GP12FFI010 | - | ![]() | 6401 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S70GL02 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2Gbit | 120 ns | フラッシュ | 256m x 8、128m x 16 | 平行 | - |
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