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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
5962-8764814QYA Cypress Semiconductor Corp 5962-8764814QYA 32.6700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 32-CLCC 、ウィンドウ 5962-8764814 EPROM -UV 4.5v〜5.5V 32-CLCC（13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 512kbit 250 ns eprom 64k x 8 平行 -
S25FL512SAGMFVG11 Infineon Technologies S25FL512SAGMFVG11 10.3000
RFQ
 ECAD 199 0.00000000 Infineon Technologies fl-s チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 235 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
MT46V64M8BN-6:D Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-6：d -
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
CY7C1021CV33-10BAXI Infineon Technologies Cy7C1021CV33-10Baxi -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy7C1021 sram-非同期 3V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 416 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
S25FL064LABNFV013 Infineon Technologies S25FL064LABNFV013 3.3300
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 Infineon Technologies fl-l テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wfdfn露出パッド S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
AT29C040A-12JU Microchip Technology AT29C040A-12JU -
RFQ
 ECAD 8865 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-lcc AT29C040 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 4mbit 120 ns フラッシュ 512k x 8 平行 10ms
3229P2836 IBM 3229p2836 -
RFQ
 ECAD 5043 0.00000000 IBM * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 1
IS61NLP12836B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836B-200TQLI-TR 7.5837
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLP12836 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR 116.5500
RFQ
 ECAD 3458 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS64LF102436 sram-非同期 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 揮発性 36mbit 7.5 ns sram 1m x 36 平行 -
IS25LP128F-RMLA3-TY Johanson Dielectrics Inc. IS25LP128F-RMLA3-TY 2.8022
RFQ
 ECAD 1179 0.00000000 Johanson Dielectrics Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP128F-RMLA3-TY 176 166 MHz 不揮発性 128mbit 6.5 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
MT41K512M16VRP-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AAT：p 18.4350
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード 557-MT41K512M16VRP-107AAT：p 1 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046AAT：E TR 29.2650
RFQ
 ECAD 5600 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E768M32D4DT-046AAT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
S25FL256LAGMFM003 Infineon Technologies S25FL256LAGMFM003 9.8500
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi -
CY27C256-150PC Cypress Semiconductor Corp Cy27C256-150pc -
RFQ
 ECAD 9858 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip （0.600 "、15.24mm） Cy27C256 eprom -otp 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 256kbit 150 ns eprom 32k x 8 平行 -
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABBCAH4-IT：c -
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
S80KS2563GABHM023 Infineon Technologies S80KS2563GABHM023 13.6850
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-VBGA psram（pseudo sram 1.7V〜2V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 200 MHz 揮発性 256mbit 35 ns psram 32m x 8 SPI -OCTAL I/O 35ns
CY7C11681KV18-450BZXC Infineon Technologies CY7C11681KV18-450BZXC -
RFQ
 ECAD 1989年年 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C11681 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 450 MHz 揮発性 18mbit sram 1m x 18 平行 -
TE28F256P33TFA Micron Technology Inc. TE28F256P33TFA -
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F256p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 MHz 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 16m x 16 平行 105ns
CG8453AA Infineon Technologies CG8453AA -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 1
DS1258W-100IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1258W-100IND 48.2200
RFQ
 ECAD 8336 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 40-dipモジュール（0.600 "、15.24mm） nvsram （不揮発性 sram） 3V〜3.6V 40-EDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 不揮発性 2mbit 100 ns nvsram 128k x 16 平行 100ns
IS46QR16512A-075VBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-075VBLA1-TR 19.5776
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46QR16512A-075VBLA1-TR 2,000 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F Micron Technology Inc. MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：f 11.6600
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
70V3399S133BF Renesas Electronics America Inc 70V3399S133BF 179.1576
RFQ
 ECAD 9308 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 208-LFBGA 70V3399 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 7 133 MHz 揮発性 2mbit 4.2 ns sram 128k x 18 平行 -
IDT71V67703S75PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V67703S75PF8 -
RFQ
 ECAD 3841 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71v67703 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V67703S75PF8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 117 MHz 揮発性 9mbit 7.5 ns sram 256k x 36 平行 -
AT25080A-10PU-2.7 Microchip Technology AT25080A-10PU-2.7 -
RFQ
 ECAD 6675 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） AT25080 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 20 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc. mt40a1g8we-083e aut：b -
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
IS29GL01GS-11DHB010 Infineon Technologies IS29GL01GS-11DHB010 -
RFQ
 ECAD 3417 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga IS29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 128m x 8 平行 60ns
CAT93C46RWI-G Catalyst Semiconductor Inc. cat93c46rwi-g -
RFQ
 ECAD 7645 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT93C46 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 適用できない ear99 8542.32.0051 100 4 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 マイクロワイヤ -
CY62256NL-70SNXC Cypress Semiconductor Corp Cy62256NL-70SNXC 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） Cy62256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0041 207 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns 確認されていません
4ZC7A08740-C ProLabs 4ZC7A08740-C 210.0000
RFQ
 ECAD 2730 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-4ZC7A08740-C ear99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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