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メモリ（69470）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
71v67703S75pfg	16.6165	RFQ	8655	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71v67703	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	揮発性	9mbit	7.5 ns	sram	256k x 36	平行	-
M30162040054X0PWAY	42.6518	RFQ	3621	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C	表面マウント	8-wdfn露出パッド	M30162040054	ミスター（磁気抵抗ラム）	2.7V〜3.6V	8-dfn	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	800-M30162040054X0PWAY	ear99	8542.32.0071	225	54 MHz	不揮発性	16mbit		ラム	4m x 4	-	-
25AA080A-I/S15K	-	RFQ	7366	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	死ぬ	25AA080	Eeprom	1.8V〜5.5V	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	5,000	10 MHz	不揮発性	8kbit		Eeprom	1k x 8	spi	5ms
S29GL01GT11DHIV23	13.5800	RFQ	5418	Infineon Technologies	gl-t	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL01	フラッシュ -	1.65v〜3.6V	64-FBGA （9x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		不揮発性	1gbit	110 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	60ns
IS61WV102416ALL-20MI-TR	-	RFQ	8840	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS61WV102416	sram-非同期	1.65V〜2.2V	48-minibga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		揮発性	16mbit	20 ns	sram	1m x 16	平行	20ns
Cy7C1363A-117AC	6.4800	RFQ	1	Infineon Technologies	-	バッグ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1363	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	揮発性	9mbit	7 ns	sram	512K x 18	平行	-
Cy7C1354C-200AXCKJ	9.3800	RFQ	573	Cypress Semiconductor Corp	NOBL™	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1354	sram- zbt	3.135V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	揮発性	9mbit	3.2 ns	sram	256k x 36	平行	-
5962-8700221ZA	-	RFQ	3044	Renesas Electronics America Inc	-	バルク	廃止								-			影響を受けていない	800-5962-8700221ZA	廃止		1
SST39VF512-70-4C-NHE-T	-	RFQ	5683	マイクロチップテクノロジー	SST39 MPF™	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-lcc	SST39VF512	フラッシュ	2.7V〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	750		不揮発性	512kbit	70 ns	フラッシュ	64k x 8	平行	20µs
BR24T256-WZ	2.7300	RFQ	1	Rohm Semiconductor	-	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	8-dip （0.300 "、7.62mm）	BR24T256	Eeprom	1.6V〜5.5V	8-dipk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	50	400 kHz	不揮発性	256kbit		Eeprom	32k x 8	i²c	5ms	確認されていません
S80KS5123GABHI020	21.4500	RFQ	195	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-VBGA	S80KS5123	psram（pseudo sram	1.7V〜2V	24-fbga （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	338	200 MHz	揮発性	512mbit	35 ns	psram	64m x 8	SPI -OCTAL I/O	35ns
Cy7C1412KV18-333BZC	62.5625	RFQ	8365	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1412	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	680	333 MHz	揮発性	36mbit		sram	2m x 18	平行	-
M27W202-100K6	-	RFQ	2949	stmicroelectronics	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-LCC	M27W202	eprom -otp	2.7V〜3.6V	44-PLCC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0061	580		不揮発性	2mbit	100 ns	eprom	128k x 16	平行	-
S-25C010A0I-K8T3U	0.5300	RFQ	15	Ablic Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wssop 、8-msop（0.110 "、2.80mm 幅）	S-25C010	Eeprom	1.6V〜5.5V	8-tmsop	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）			ear99	8542.32.0051	4,000	5 MHz	不揮発性	1kbit		Eeprom	128 x 8	spi	4ms
SST39VF1681-70-4I-B3KE	2.8350	RFQ	3384	マイクロチップテクノロジー	SST39 MPF™	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	SST39VF1681	フラッシュ	2.7V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	SST39VF1681704IB3KE	ear99	8542.32.0071	480		不揮発性	16mbit	70 ns	フラッシュ	2m x 8	平行	10µs
MT46V32M16BN-75 IT：c	-	RFQ	4018	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	MT46V32M16	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-FBGA （10x12.5	-	ROHS3準拠	5 （48 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	揮発性	512mbit	750 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
w631gg6nb-11 tr	2.9730	RFQ	7385	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GG6NB-11TR	ear99	8542.32.0032	3,000	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	SSTL_15	15ns
Cy62157EV30LL-45BVXIT	7.8700	RFQ	32	Cypress Semiconductor Corp	mobl®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	Cy62157	sram-非同期	2.2V〜3.6V	48-VFBGA （6x8）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	未定義のベンダー	2832-CY62157EV30LL-45BVXITTR			100		揮発性	8mbit	45 ns	sram	512K x 16	平行	45ns	確認されていません
MX25U6432FZBI02	1.7100	RFQ	3	マクロニックス	MXSMIO™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-udfn露出パッド		フラッシュ -	1.65V〜2V	8-USON （4x3）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1092-MX25U6432FZBI02TR	3A991B1A	8542.32.0071	5,000	133 MHz	不揮発性	64mbit	6 ns	フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	40µs、3ms
S25FL032P0XMFB000	-	RFQ	5218	Infineon Technologies	自動車、AEC-Q100	トレイ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	S25FL032	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	-S25FL032P0XMFB000	3A991B1A	8542.32.0071	240	104 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	5µs、3ms
IDT71V424L15PHI8	-	RFQ	6491	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IDT71v424	sram-非同期	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71V424L15PHI8	3A991B2A	8542.32.0041	1,500		揮発性	4mbit	15 ns	sram	512k x 8	平行	15ns
IS61NVP51236-200TQLI-TR	-	RFQ	5817	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61NVP51236	sram- sdr	2.375V〜2.625V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	512K x 36	平行	-
71V67803S133BQG8	28.7073	RFQ	7571	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	71v67803	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	揮発性	9mbit	4.2 ns	sram	512K x 18	平行	-
MT29F2G08ABAEAWP-E：E Tr	-	RFQ	6217	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	MT29F2G08	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1,000		不揮発性	2Gbit		フラッシュ	256m x 8	平行	-
AT27BV1024-12JI	-	RFQ	3729	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	44-lcc	AT27BV1024	eprom -otp	2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V	44-PLCC（16.6x16.6	ダウンロード	ROHS非準拠	2（1 年）	影響を受けていない	AT27BV102412JI	ear99	8542.32.0061	27		不揮発性	1mbit	120 ns	eprom	64k x 16	平行	-
mt53e4d1aba-dc tr	22.5000	RFQ	4923	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				mt53e4				-			影響を受けていない	557-MT53E4D1ABA-DCTR			2,000
GD5F1GQ4RF9IGR	-	RFQ	8267	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-vlga露出パッド	GD5F1GQ4	フラッシュ -ナンド	1.7V〜2V	8-lga （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	3,000	120 MHz	不揮発性	1gbit		フラッシュ	128m x 8	spi -quad i/o	700µs
70V3379S4BF8	106.0450	RFQ	6410	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	208-LFBGA	70V3379	sram- デュアルポート、同期	3.15V〜3.45V	208-CABGA （15x15	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		揮発性	576kbit	4.2 ns	sram	32k x 18	平行	-
M58LT128KST7ZA6F TR	-	RFQ	2698	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-TBGA	M58LT128	フラッシュ -	1.7V〜2V	64-TBGA （10x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			3A991B1A	8542.32.0071	2,500	52 MHz	不揮発性	128mbit	70 ns	フラッシュ	8m x 16	平行	70ns
Cy7C025-55JXC	-	RFQ	8242	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	84-LCC	Cy7C025	sram- デュアルポート、非同期	4.5v〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	15		揮発性	128kbit	55 ns	sram	8k x 16	平行	55ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²