画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S29AL016J70FFM023 | 2.8371 | ![]() | 3516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | al-j | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 2,200 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16、2m x 8 | CFI | 70ns | ||||||||
![]() | S25FL129P0XMFV003 | - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-p | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL129 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2832-S25FL129P0XMFV003TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 5µs、3ms | |||
![]() | w25q257fveif tr | - | ![]() | 7636 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q257 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | 709079S15PF | - | ![]() | 9853 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 709079S | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | - | ||||
BR24S128FV-WE2 | 1.0925 | ![]() | 1801 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-lssop(0.173 "、幅4.40mm) | BR24S128 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | 7143LA55G/S2703 | - | ![]() | 2619 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 68-BPGA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PGA (29.46x29.46 | - | 800-7143LA55G/S2703 | 1 | 揮発性 | 32kbit | 55 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 55ns | |||||||||
![]() | Cy7C1372S-167bgc | 28.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1372 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | - | 適用できない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
MT29F2G08ABAGAWP-AITES:g | 3.6385 | ![]() | 2403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F2G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | Cy7C1380F-167BZIT | - | ![]() | 2969 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1380 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S32160F-7BL-TR | 11.2050 | ![]() | 6647 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | MD8155H/BQA | - | ![]() | 1558 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 7027L55PFG8/2909 | - | ![]() | 8827 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7027L55 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 512kbit | 55 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | EMMC16G-TB29-90F01 | 6.7300 | ![]() | 3547 | 0.00000000 | キングストン | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-LFBGA | EMMC16G | フラッシュ-Nand (TLC) | 1.8V〜3.3V | 153-lfbga(11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3217-EMMC16G-TB29-90F01 | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | MT41K256M16TW-107 V:P Tr | - | ![]() | 1062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x14) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS62WV5128DALL-55BLI-TR | - | ![]() | 4891 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS62WV5128 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | at49lv040-90ti | - | ![]() | 1249 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49LV040 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 50µs | ||||
![]() | Cy7C1315JV18-300BZXC | - | ![]() | 5334 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1315 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | MX29LV800CTMI-55Q | - | ![]() | 8002 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | MX29LV800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 44ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 不揮発性 | 8mbit | 55 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | IS29GL01GS-11DHV02-TR | - | ![]() | 6981 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | IS29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | AT25020B-SSPD-T | - | ![]() | 4379 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25020 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | IS61NLF102418-6.5B3I-TR | - | ![]() | 1120 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
IS43LR16320B-6BLI | - | ![]() | 3708 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 300 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | AT28LV256E-20SU | 6.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Atmel | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL512T11FHIV13 | 9.3625 | ![]() | 5030 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | IDT71V416VL12PHG8 | - | ![]() | 4043 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71V416 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V416VL12PHG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | IDT71V3556S133PF8 | - | ![]() | 1029 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V3556 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3556S133PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
MT46V16M16CY-5B XIT:M | - | ![]() | 2615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,368 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | S25FL256SAGMFAG10 | 5.3100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | 57 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | 確認されていません | ||||||||
MT41K128M16JT-107 AAT:k | 7.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT41K128M16JT-107AAT:k | ear99 | 8542.32.0036 | 1,224 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 16-3160-01 | - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫