画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 93425fm/b | 101.7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1515Kv18-250bzi | 150.0975 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1515 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | CY7C1308SV25C-167BZC | - | ![]() | 5820 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1308 | sram- ddr | 2.4V〜2.6V | 165-FBGA | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 167 MHz | 揮発性 | 9mbit | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | AT45DQ321-MWHFHJ-T | - | ![]() | 4708 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | AT45DQ321 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-vdfn (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 512バイトx 8192ページ | spi | 8µs 、4ms | ||||
24VL025T/ST | 0.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -20°C〜85°C(Ta) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24VL025 | Eeprom | 1.5V〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IDT71V65602S133PFI8 | - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v65602 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v65602S133pfi8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 24LC08BH-I/SN | 0.3600 | ![]() | 337 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC08BH | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 4 | i²c | 5ms | |||
![]() | 71V65603S100BQI | 28.5570 | ![]() | 8363 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | 71v65603 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | 5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1423JV18-250BZXC | 56.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1423 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | w25q80ewsnag | - | ![]() | 5493 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80EWSNAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | ||||
![]() | S29GL256S90DHI010 | 8.4200 | ![]() | 9220 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2832-S29GL256S90DHI010 | 260 | 不揮発性 | 256mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | 確認されていません | ||||||
![]() | S34MS16G202BHI000 | - | ![]() | 2975 | 0.00000000 | スパンション | ML-2 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34MS16 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-BGA (11x9) | ダウンロード | 適用できない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | 不揮発性 | 16gbit | 45 ns | フラッシュ | 4g x 4 | 平行 | 45ns | ||||||
![]() | S25FL164K0XNFIQ11 | - | ![]() | 1273 | 0.00000000 | スパンション | fl1-k | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL164 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
24LC16B-I/MC | 0.5100 | ![]() | 5948 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-VFDFN露出パッド | 24LC16B | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-dfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 150 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | S29GL512T11TFIV33 | 9.3625 | ![]() | 5972 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL512 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
MX35UF2G24AD-Z4I | 2.7680 | ![]() | 9466 | 0.00000000 | マクロニックス | MX35UF | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 1092-MX35UF2G24AD-Z4I | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 5 ns | フラッシュ | 512m x 4 | spi | - | ||||||||
![]() | 71T75602S200BG | 8.6600 | ![]() | 46 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | 71T75602 | sram- sdr(zbt) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.2 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F32G08CBACAL73A3WC1P | - | ![]() | 9935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 683 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | S25FL064P0XNFI000 | 1.3300 | ![]() | 4288 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 2156-S25FL064P0XNFI000 | 57 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS49NLC18320-25BI | - | ![]() | 3776 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | 70261S35PFI | - | ![]() | 1389 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70261S35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 256kbit | 35 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | CAT24C256XE | - | ![]() | 8675 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | CAT24C256 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 500 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | AT45DB041B-CNU | - | ![]() | 5934 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-vdfn | AT45DB041 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-Cason | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 338 | 20 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 264バイトx 2048ページ | spi | 14ms | ||||
![]() | IS93C66A-2GRLI | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C66A | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1051-5 | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8、256 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | |||
![]() | Cy62147GE18-55ZSXI | 6.7375 | ![]() | 3309 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62147 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,350 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | Cy7C245A-25SC | 16.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | Cy7C245 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 25 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | S29WS128N0PBAW012 | - | ![]() | 1217 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SM668PE8-AC | - | ![]() | 6897 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||
Cy7C1370DV25-250AXC | - | ![]() | 5660 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1370 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | mt53b2darn-dc | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,008 |
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