SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
S29AL016J70FFM023 Infineon Technologies S29AL016J70FFM023 2.8371
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ECAD 3516 0.00000000 Infineon Technologies al-j テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 64-lbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 64-FBGA (9x9) ダウンロード ear99 8542.32.0071 2,200 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16、2m x 8 CFI 70ns
S25FL129P0XMFV003 Infineon Technologies S25FL129P0XMFV003 -
RFQ
ECAD 4664 0.00000000 Infineon Technologies fl-p テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S25FL129 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 2832-S25FL129P0XMFV003TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
W25Q257FVEIF TR Winbond Electronics w25q257fveif tr -
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ECAD 7636 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q257 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
709079S15PF Renesas Electronics America Inc 709079S15PF -
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ECAD 9853 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp 709079S sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 6 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 -
BR24S128FV-WE2 Rohm Semiconductor BR24S128FV-WE2 1.0925
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ECAD 1801 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-lssop(0.173 "、幅4.40mm) BR24S128 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 128kbit Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
7143LA55G/S2703 Renesas Electronics America Inc 7143LA55G/S2703 -
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ECAD 2619 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します 0°C〜70°C(Ta) 穴を通して 68-BPGA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PGA (29.46x29.46 - 800-7143LA55G/S2703 1 揮発性 32kbit 55 ns sram 2k x 16 平行 55ns
CY7C1372S-167BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1372S-167bgc 28.9500
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ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バッグ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 119-BGA Cy7C1372 sram- sdr 3.135V〜3.6V 119-PBGA - 適用できない 3A991B2A 8542.32.0041 11 167 MHz 揮発性 18mbit 3.4 ns sram 1m x 18 平行 - 確認されていません
MT29F2G08ABAGAWP-AITES:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-AITES:g 3.6385
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ECAD 2403 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F2G08 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
CY7C1380F-167BZIT Infineon Technologies Cy7C1380F-167BZIT -
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ECAD 2969 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1380 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 167 MHz 揮発性 18mbit 3.4 ns sram 512K x 36 平行 -
IS42S32160F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7BL-TR 11.2050
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ECAD 6647 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
MD8155H/BQA Rochester Electronics, LLC MD8155H/BQA -
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ECAD 1558 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1
7027L55PFG8/2909 Renesas Electronics America Inc 7027L55PFG8/2909 -
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ECAD 8827 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp 7027L55 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 512kbit 55 ns sram 32k x 16 平行 55ns
EMMC16G-TB29-90F01 Kingston EMMC16G-TB29-90F01 6.7300
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ECAD 3547 0.00000000 キングストン E•MMC™ トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-LFBGA EMMC16G フラッシュ-Nand (TLC) 1.8V〜3.3V 153-lfbga(11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3217-EMMC16G-TB29-90F01 ear99 8542.31.0001 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC -
MT41K256M16TW-107 V:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 V:P Tr -
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ECAD 1062 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x14) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
IS62WV5128DALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55BLI-TR -
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ECAD 4891 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 36-tfbga IS62WV5128 sram-非同期 1.65V〜2.2V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
AT49LV040-90TI Microchip Technology at49lv040-90ti -
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ECAD 1249 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) AT49LV040 フラッシュ 3V〜3.6V 32-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 4mbit 90 ns フラッシュ 512k x 8 平行 50µs
CY7C1315JV18-300BZXC Infineon Technologies Cy7C1315JV18-300BZXC -
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ECAD 5334 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga Cy7C1315 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 300 MHz 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 -
MX29LV800CTMI-55Q Macronix MX29LV800CTMI-55Q -
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ECAD 8002 0.00000000 マクロニックス MX29LV チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) MX29LV800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 44ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1m x 8 平行 55ns
IS29GL01GS-11DHV02-TR Infineon Technologies IS29GL01GS-11DHV02-TR -
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga IS29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA (9x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 128m x 8 平行 60ns
AT25020B-SSPD-T Microchip Technology AT25020B-SSPD-T -
RFQ
ECAD 4379 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) AT25020 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 4,000 5 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
IS61NLF102418-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5B3I-TR -
RFQ
ECAD 1120 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NLF102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 1m x 18 平行 -
IS43LR16320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320B-6BLI -
RFQ
ECAD 3708 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 300 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 32m x 16 平行 12ns
AT28LV256E-20SU Atmel AT28LV256E-20SU 6.7500
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ECAD 1 0.00000000 Atmel * バルク アクティブ - 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー 0000.00.0000 1,000
S29GL512T11FHIV13 Infineon Technologies S29GL512T11FHIV13 9.3625
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ECAD 5030 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA(13x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns
IDT71V416VL12PHG8 Renesas Electronics America Inc IDT71V416VL12PHG8 -
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ECAD 4043 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IDT71V416 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない 71V416VL12PHG8 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
IDT71V3556S133PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3556S133PF8 -
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ECAD 1029 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp IDT71V3556 sram- sdr(zbt) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 71V3556S133PF8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4.2 ns sram 128k x 36 平行 -
MT46V16M16CY-5B XIT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B XIT:M -
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ECAD 2615 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA (8x12.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,368 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
S25FL256SAGMFAG10 Cypress Semiconductor Corp S25FL256SAGMFAG10 5.3100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-s バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード 57 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o - 確認されていません
MT41K128M16JT-107 AAT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 AAT:k 7.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT41K128M16JT-107AAT:k ear99 8542.32.0036 1,224 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
16-3160-01 Infineon Technologies 16-3160-01 -
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ECAD 3234 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫