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メモリ（69470）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
S25FL256SAGBHI300	6.0400	RFQ	2	Infineon Technologies	fl-s	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga	S25FL256	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	24-bga （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	338	133 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	-
IDT71V3556S150PF	-	RFQ	5593	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IDT71V3556	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71V3556S150PF	3A991B2A	8542.32.0041	72	150 MHz	揮発性	4.5mbit	3.8 ns	sram	128k x 36	平行	-
IDT71V632S8PFG8	-	RFQ	6263	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IDT71v632	sram- sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	71V632S8PFG8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	2mbit	8 ns	sram	64k x 32	平行	-
Cy14B108L-ZS25XI	80.3425	RFQ	2425	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy14B108	nvsram （不揮発性 sram）	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	-cy14b108l-zs25xi	3A991B2A	8542.32.0041	1,350		不揮発性	8mbit	25 ns	nvsram	1m x 8	平行	25ns
25LC160D-H/SN	0.8700	RFQ	7726	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C（ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	25LC160	Eeprom	2.5V〜5.5V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		3A001A2A	8542.32.0051	100	5 MHz	不揮発性	16kbit		Eeprom	2k x 8	spi	6ms
IS21TF08G-JCLI	20.1600	RFQ	4454	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	153-VFBGA	IS21TF08G	フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS21TF08G-JCLI	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	不揮発性	64gbit		フラッシュ	8g x 8	MMC	-
PC28F256P33B85E	-	RFQ	4413	Micron Technology Inc.	Strataflash™	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	64-TBGA	PC28F256	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	64-easybga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	144	52 MHz	不揮発性	256mbit	85 ns	フラッシュ	16m x 16	平行	85ns
Cy7C1382S-167AXC	-	RFQ	2035	Infineon Technologies	-	バッグ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1382	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-TQFP	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	揮発性	18mbit	3.4 ns	sram	1m x 18	平行	-
W948D6FB2X5J	-	RFQ	6423	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	-40°C〜105°C （TC）			W948D6	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V		ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	312	200 MHz	揮発性	256mbit	5 ns	ドラム	16m x 16	平行	15ns
M29W010B70N6F TR	-	RFQ	5277	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	M29W010	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	32-tsop	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	1,500		不揮発性	1mbit	70 ns	フラッシュ	128k x 8	平行	70ns
Cy7C1568KV18-450BZXI	-	RFQ	8890	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	Cy7C1568	sram- ddr II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	揮発性	72mbit		sram	4m x 18	平行	-
70V9269L9PRFG8	-	RFQ	4313	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	128-LQFP	70V9269	sram- デュアルポート、同期	3V〜3.6V	128-TQFP	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1,000		揮発性	256kbit	9 ns	sram	16k x 16	平行	-
AS7C3256A-20TCN	2.1753	RFQ	3935	Alliance Memory	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	AS7C3256	sram-非同期	3V〜3.6V	28-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	234		揮発性	256kbit	20 ns	sram	32k x 8	平行	20ns
71V65803S100BGGI8	28.5570	RFQ	6004	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	119-BGA	71v65803	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	100 MHz	揮発性	9mbit	5 ns	sram	512K x 18	平行	-
AS4C256M8D3LC-12BANTR	7.3150	RFQ	1833	Alliance Memory	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.5	ダウンロード		3 （168 時間）		1450-AS4C256M8D3LC-12BANTR			2,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
IS64WV102416BLL-10MLA3-TR	26.0250	RFQ	8080	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS64WV102416	sram-非同期	2.4V〜3.6V	48-minibga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		揮発性	16mbit	10 ns	sram	1m x 16	平行	10ns
AS7C38098A-10bin	15.5000	RFQ	69	Alliance Memory	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-lfbga	AS7C38098	sram-非同期	3V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1450-1068	3A991B2A	8542.32.0041	480		揮発性	8mbit	10 ns	sram	512K x 16	平行	10ns
IS61C6416AL-12KI	-	RFQ	5807	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm）	IS61C6416	sram-非同期	4.5v〜5.5V	44-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	16		揮発性	1mbit	12 ns	sram	64k x 16	平行	12ns
W25Q81EWXHSE	-	RFQ	5458	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	8-XFDFN露出パッド	W25Q81	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-xson （2x3）	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q81EWXHSE			1	104 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	-
MT29F512G08CFCBBWP-10：b	-	RFQ	3908	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	MT29F512G08	フラッシュ-nand （mlc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			廃止	0000.00.0000	960	100 MHz	不揮発性	512gbit		フラッシュ	64g x 8	平行	-
M24256-DRMN8TP/K	0.7700	RFQ	4	stmicroelectronics	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	M24256	Eeprom	1.8V〜5.5V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	不揮発性	256kbit	450 ns	Eeprom	32k x 8	i²c	5ms
mt46v32m16p-6t l it：f	-	RFQ	6334	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	MT46V32M16	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-tsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,000	167 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
CY7C09369V-6AXC	-	RFQ	2895	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C09369	sram- デュアルポート、同期	3V〜3.6V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	90	100 MHz	揮発性	288kbit	6.5 ns	sram	16k x 18	平行	-
70V9079L15PF	-	RFQ	8549	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	70V9079	sram- デュアルポート、同期	3V〜3.6V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0041	90		揮発性	256kbit	15 ns	sram	32k x 8	平行	-
71v25761S200bg	3.3300	RFQ	651	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	119-BGA	71v25761	sram- sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	揮発性	4.5mbit	3.1 ns	sram	128k x 36	平行	-
Cy7C1513KV18-300BZC	148.6800	RFQ	137	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1513	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード							3	300 MHz	揮発性	72mbit		sram	4m x 18	平行	-	確認されていません
NLQ83PFS-8NET	17.8885	RFQ	5861	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ83PFS-8NET			136	1.2 GHz	揮発性	8gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 32	LVSTL	18ns
DS1249Y-100＃	65.7200	RFQ	8	Analog Devices Inc./Maxim Integrated	-	チューブ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	32-dipモジュール（0.600 "、15.24mm）	DS1249Y	nvsram （不揮発性 sram）	4.5v〜5.5V	32-EDIP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	DS1249Y100	3A991B2A	8542.32.0041	9		不揮発性	2mbit	100 ns	nvsram	256k x 8	平行	100ns
7024S15PFG	-	RFQ	4444	Renesas Electronics America Inc	-	バルク	廃止								-			影響を受けていない	800-7024S15PFG	廃止		1
MT46H64M16LFCK-5 L IT：A TR	-	RFQ	5221	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-VFBGA	MT46H64M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-VFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	1,000	200 MHz	揮発性	1gbit	5 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²