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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY27C256T-55ZI Cypress Semiconductor Corp Cy27C256T-55zi 4.6700
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） Cy27C256 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-tsop i ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 256kbit 55 ns eprom 32k x 8 平行 -
CY7C1150KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1150KV18-400BZXI 37.1400
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1150 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 9 400 MHz 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 - 確認されていません
CY14B104N-BA20XI Cypress Semiconductor Corp cy14b104n-ba20xi 14.5000
RFQ
 ECAD 312 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy14B104 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2B 8542.32.0041 21 不揮発性 4mbit 20 ns nvsram 256k x 16 平行 20ns 確認されていません
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EQHBBG2-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F3T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 3tbit フラッシュ 384g x 8 平行 -
IDT71V3558SA200BQGI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3558SA200BQGI8 -
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IDT71V3558 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3558SA200BQGI8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.2 ns sram 256k x 18 平行 -
MT29F64G08AEAAAC5-Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5-Z：TR -
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-VLGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29F4G16ABCHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCHC：C Tr -
RFQ
 ECAD 4267 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
FT24C128A-ESG-T Fremont Micro Devices Ltd FT24C128A-ESG-T -
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 ECAD 4337 0.00000000 Fremont Micro Devices Ltd - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FT24C128 Eeprom 1.8V〜5.5V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 128kbit 550 ns Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
CY62128EV30LL-45ZXA Infineon Technologies Cy62128EV30LL-45ZXA -
RFQ
 ECAD 7867 0.00000000 Infineon Technologies mobl® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） Cy62128 sram-非同期 2.2V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 312 揮発性 1mbit 45 ns sram 128k x 8 平行 45ns
71256SA15YG8 Renesas Electronics America Inc 71256SA15YG8 -
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） 71256SA sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
S29GL256N11FAI022 Infineon Technologies S29GL256N11FAI022 -
RFQ
 ECAD 3598 0.00000000 Infineon Technologies gl-n バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 110ns
MT25QL256ABA8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0SIT 5.9500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
IS46R16320D-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2-TR 10.3500
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS46R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
CY7C12481KV18-400BZXC Infineon Technologies Cy7C12481KV18-400BZXC -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C12481 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 400 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
25LC080DT-I/ST Microchip Technology 25LC080DT-I/ST 0.7500
RFQ
 ECAD 1756 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 25LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
MTFC128GAOANEA-WT ES Micron Technology Inc. mtfc128gaoanea-wt es -
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ 箱 廃止 -25°C〜85°C（タタ MTFC128 フラッシュ -ナンド - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 5.4363
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） MB85RS2 フラム（強誘電性ラム） 1.7V〜1.95V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 865-MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 ear99 8542.32.0071 85 50 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi -
MT42L128M32D1GU-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1GU-25 WT：A TR -
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 134-wfbga MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMHBBJ4-3R：b -
RFQ
 ECAD 5211 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1HT08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
70825S25PFGI8 Renesas Electronics America Inc 70825S25PFGI8 -
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 ECAD 4818 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 80-lqfp sram 4.5v〜5.5V 80-TQFP（14x14 - 800-70825S25PFGI8TR 1 33.3 MHz 揮発性 128kbit 25 ns sram 8k x 16 平行 25ns
SST39WF400A-90-4C-B3KE-T Microchip Technology SST39WF400A-90-4C-B3KE-T -
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 ECAD 1273 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFBGA SST39WF400 フラッシュ 1.65V〜1.95V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 4mbit 90 ns フラッシュ 256k x 16 平行 40µs
70V38L20PFI Renesas Electronics America Inc 70V38L20PFI -
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 70V38L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 6 揮発性 1.125mbit 20 ns sram 64k x 18 平行 20ns
7008L25PF Renesas Electronics America Inc 7008L25PF -
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 7008L25 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 6 揮発性 512kbit 25 ns sram 64k x 8 平行 25ns
AT49SV163DT-80CU Microchip Technology AT49SV163DT-80CU -
RFQ
 ECAD 6396 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-VFBGA 、CSPBGA AT49SV163 フラッシュ 1.65V〜1.95V 48-cbga （7x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 276 不揮発性 16mbit 80 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
CY7C1512TV18-250BZXC Infineon Technologies Cy7C1512TV18-250BZXC -
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 ECAD 4992 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1512 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA - ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
CY7C1041BNV33L-15VXCT Infineon Technologies Cy7C1041BNV33L-15VXCT -
RFQ
 ECAD 6591 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） Cy7C1041 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 揮発性 4mbit 15 ns sram 256k x 16 平行 15ns
RC28F256P33TFE Micron Technology Inc. RC28F256P33TFE -
RFQ
 ECAD 7865 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -RC28F256P33TFE 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 平行 95ns
S29AL016J70TFM010 Infineon Technologies S29AL016J70TFM010 3.1421
RFQ
 ECAD 5688 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29AL016 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 192 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
M24C04-DRDW3TP/K STMicroelectronics M24C04-DRDW3TP/K 0.3800
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 stmicroelectronics aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） M24C04 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 4,000 1 MHz 不揮発性 4kbit 450 ns Eeprom 512 x 8 i²c 4ms
E11043000 Infineon Technologies E11043000 -
RFQ
 ECAD 6240 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - - - - - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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