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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY62177EV18LL-70BAXI Cypress Semiconductor Corp Cy62177EV18LL-70BAXI -
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 ECAD 4786 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy62177 sram-非同期 1.65V〜2.25V 48-FBGA （8x9.5） ダウンロード 131 揮発性 32mbit 70 ns sram 4m x 8、2m x 16 平行 70ns 確認されていません
DS1270W-100IND# Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1270W-100IND＃ -
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 ECAD 9799 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 36-dip モジュール（0.610 "、15.49mm） DS1270W nvsram （不揮発性 sram） 3V〜3.6V 36-EDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 9 不揮発性 16mbit 100 ns nvsram 2m x 8 平行 100ns
AT24C32W-10SI Microchip Technology AT24C32W-10SI -
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 ECAD 7059 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） AT24C32 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 94 400 kHz 不揮発性 32kbit 900 ns Eeprom 4k x 8 i²c 10ms
7132SA55P Renesas Electronics America Inc 7132SA55P -
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 ECAD 7294 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 48-dip（0.600 "、15.24mm） 7132SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 48-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 7 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
S34MS02G100BHI000 Cypress Semiconductor Corp S34MS02G100BHI000 -
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 ECAD 4402 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA S34MS02 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-BGA （11x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 2Gbit 45 ns フラッシュ 256m x 8 平行 45ns
7134SA70JI Renesas Electronics America Inc 7134SA70JI -
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 ECAD 7924 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-lcc 7134SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 24 揮発性 32kbit 70 ns sram 4k x 8 平行 70ns
AT25DN512C-SSHF-B Adesto Technologies AT25DN512C-SSHF-B 0.3900
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 ECAD 46 0.00000000 Adesto Technologies - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT25DN512 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 98 104 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 8µs 、1.75ms
MT41K256M4DA-107:J Micron Technology Inc. MT41K256M4DA-107：J -
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 ECAD 1499 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M4 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 256m x 4 平行 -
AT28C64E-12PI Microchip Technology AT28C64E-12PI -
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 ECAD 2957 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 穴を通して 28-dip （0.600 "、15.24mm） AT28C64 Eeprom 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT28C64E12PI ear99 8542.32.0051 14 不揮発性 64kbit 120 ns Eeprom 8k x 8 平行 200µs
28503869 A Infineon Technologies 28503869 a -
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 ECAD 3735 0.00000000 Infineon Technologies * バルク 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
W25Q40EWWA Winbond Electronics w25q40ewwa -
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 ECAD 7703 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） - - W25Q40 フラッシュ - 1.65V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q40WWA 廃止 1 104 MHz 不揮発性 4mbit 7 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
70V08L12PFI Renesas Electronics America Inc 70V08L12PFI -
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 ECAD 9764 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 - 800-70V08L12PFI 1 揮発性 512kbit 12 ns sram 64k x 8 lvttl 12ns
STK17T88-RF45I Infineon Technologies STK17T88-RF45I -
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 ECAD 6114 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） STK17T88 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48スソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 60 不揮発性 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 平行 45ns
7006S15PF8 Renesas Electronics America Inc 7006S15PF8 -
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 ECAD 8273 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 7006S15 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 128kbit 15 ns sram 16k x 8 平行 15ns
MTFC16GJVEC-IT Micron Technology Inc. mtfc16gjvec-it -
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 ECAD 2274 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
IS62WV1288BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55TI -
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 ECAD 7054 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS62WV1288 sram-非同期 2.5V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 156 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
MT28F320J3FS-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3FS-11 MET TR -
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 ECAD 2301 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
IS43DR16160A-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBI-TR -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 揮発性 256mbit 450 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
BR93L46RFJ-WE2 Rohm Semiconductor BR93L46RFJ-WE2 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） BR93L46 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOP-J ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 64 x 16 マイクロワイヤ 5ms
MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR 17.3100
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 ECAD 1760 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QU01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
IS41C16257C-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16257C-35TLI -
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 ECAD 6981 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）、40リード IS41C16257 DRAM -FP 4.5v〜5.5V 40-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 135 揮発性 4mbit 18 ns ドラム 256k x 16 平行 -
7024S35PF Renesas Electronics America Inc 7024S35pf -
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 ECAD 2151 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 7024S35 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 64kbit 35 ns sram 4k x 16 平行 35ns
34AA02T-I/MNY Microchip Technology 34AA02T-I/MNY 0.3600
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 ECAD 1 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 34AA02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
R1Q3A7236ABA-33IB0 Renesas Electronics America Inc R1Q3A7236ABA-33IB0 22.9600
RFQ
 ECAD 509 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 1
MT45W256KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W256KW16PEGA-70 WT TR -
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 ECAD 8830 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W256KW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 70 ns psram 256k x 16 平行 70ns
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR Micron Technology Inc. mt29c8g96mazbbdjv-48 it tr -
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 ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C8G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.9V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 不揮発性、揮発性 8gbit（nand フラッシュ、ラム 512M x 16 平行 -
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 AUT：c -
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 ECAD 9439 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
CY7C1360S-166AXCT Infineon Technologies Cy7C1360S-166AXCT 14.1050
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 ECAD 9437 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1360 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x14 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 750 166 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
S29AS016J70BFI030 Infineon Technologies S29AS016J70BFI030 2.7600
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 Infineon Technologies as-j トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA S29AS016 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 48-FBGA （8.15x6.15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 338 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
IS46TR16640CL-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-125JBLA25 -
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16640CL-125JBLA25 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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