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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq4ucyigr -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
CG5143AFT Cypress Semiconductor Corp CG5143aft -
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 1,000
W25N02KVSFIU Winbond Electronics W25N02KVSFIU -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVSFIU 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
27S19APC Rochester Electronics, LLC 27S19APC 20.1300
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 ECAD 3 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC - バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1
23LC1024T-I/SN Microchip Technology 23LC1024T-I/SN 2.6600
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 23LC1024 sram 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 3,300 20 MHz 揮発性 1mbit sram 128k x 8 spi -quad i/o -
70V9099L12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V9099L12PFI8 -
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 ECAD 1099 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 70V9099 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 - ROHS非準拠 3 （168 時間） 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 -
GD5F4GQ6REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REYIGY 6.7830
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 ECAD 9848 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F4GQ6REYIGY 4,800 80 MHz 不揮発性 4gbit 11 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 600µs
MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J -
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 149-WFBGA MT29GZ5A5 フラッシュ-Nand dram -lpddr4 1.8V 149-WFBGA （8x9.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 1866 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr4） フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
CY7C274-45JC Cypress Semiconductor Corp Cy7C274-45JC -
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 ECAD 1678 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） Cy7C274 eprom -otp 4.5v〜5.5V ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 256kbit 45 ns eprom 32k x 8 平行 -
W25Q256FVEIG TR Winbond Electronics w25q256fveig tr -
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 ECAD 5373 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
4347503 Infineon Technologies 4347503 -
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 ECAD 7952 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
24C00/ST Microchip Technology 24c00/st -
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 ECAD 6495 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 24c00 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 24c00/st-ndr ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 128ビット 3.5 µs Eeprom 16 x 8 i²c 4ms
IDT6116LA20SO Renesas Electronics America Inc IDT6116LA20SO -
RFQ
 ECAD 4021 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IDT6116 sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 6116LA20SO ear99 8542.32.0041 310 揮発性 16kbit 20 ns sram 2k x 8 平行 20ns
S29GL064S80DHV040 Infineon Technologies S29GL064S80DHV040 4.1300
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,600 不揮発性 64mbit 80 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
AT28HC256-70TC Microchip Technology AT28HC256-70TC -
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AT28HC256 Eeprom 4.5v〜5.5V 28-tsop - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT28HC25670TC ear99 8542.32.0051 234 不揮発性 256kbit 70 ns Eeprom 32k x 8 平行 10ms
M29F400FB5AM6F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FB5AM6F2 TR -
RFQ
 ECAD 7513 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
70V658S12BFI Renesas Electronics America Inc 70V658S12BFI 197.0267
RFQ
 ECAD 9616 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 208-LFBGA 70V658 sram- デュアルポート、非同期 3.15V〜3.45V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 7 揮発性 2mbit 12 ns sram 64k x 36 平行 12ns
70V06L25PF Renesas Electronics America Inc 70V06L25PF -
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 70V06L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 128kbit 25 ns sram 16k x 8 平行 25ns
AS4C32M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2-25bin -
RFQ
 ECAD 2052 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C2M32 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 209 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
STK14D88-RF45TR Infineon Technologies STK14D88-RF45TR -
RFQ
 ECAD 8210 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） STK14D88 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48スソップ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 平行 45ns
BR93L46RFVM-WTR Rohm Semiconductor BR93L46RFVM-WTR 0.4200
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 ECAD 148 0.00000000 Rohm Semiconductor - カットテープ（CT） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vssop、8-msop （0.110 "、2.80mm 幅） BR93L46 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 64 x 16 マイクロワイヤ 5ms
IDT71T75602S133PFI Renesas Electronics America Inc IDT71T75602S133PFI -
RFQ
 ECAD 1114 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71T75 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71T75602S133PFI 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 揮発性 18mbit 4.2 ns sram 512K x 36 平行 -
S25FL512SAGMFIR11J Cypress Semiconductor Corp S25FL512SAGMFIR11J 4.6700
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-s バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 1 133 MHz 不揮発性 512mbit 8 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 750µs
SN74LS600ADW Texas Instruments SN74LS600ADW 8.6600
RFQ
 ECAD 516 0.00000000 テキサスの楽器 * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.31.0001 1
MT45W512KW16PEGA-70 IT TR Micron Technology Inc. MT45W512KW16PEGA-70 IT TR -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W512KW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
CY7C1399BNL-12ZXC Infineon Technologies Cy7C1399BNL-12ZXC -
RFQ
 ECAD 3272 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） Cy7C1399 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 468 揮発性 256kbit 12 ns sram 32k x 8 平行 12ns
AS9F18G08SA-45BIN Alliance Memory, Inc. AS9F18G08SA-45bin 5.2700
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-FBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS9F18G08SA-45bin 210 不揮発性 4gbit 30 ns フラッシュ 512m x 8 平行 45ns 、700µs
AS4C128M16D3A-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BINTR -
RFQ
 ECAD 1019 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 確認されていません 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
S25FS256SAGNFI001 Infineon Technologies S25FS256SAGNFI001 6.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies FS-S チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド S25FS256 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 82 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi -
M3032316045NX0PTBY Renesas Electronics America Inc M3032316045NX0PTBY 108.8828
RFQ
 ECAD 5623 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） ミスター（磁気抵抗ラム） 2.7V〜3.6V 54-tsop - ROHS3準拠 800-M3032316045NX0PTBY 96 不揮発性 32mbit 45 ns ラム 2m x 16 平行 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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