画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SGIPC-000615 | - | ![]() | 7936 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy7C25632KV18-400BZC | 55.8800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C25632 | sram-デュアルポート | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | - | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2832-CY7C25632KV18-400BZC | 3A991A2 | 8542.32.0041 | 10 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | 450 PS | sram | 4m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |
![]() | SNPWM5YYC/4G-C | 50.0000 | ![]() | 6363 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SNPWM5YYC/4G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GT10FAI020 | - | ![]() | 1818年 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29GL01GT10FAI020 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS39LV512-70JCE | - | ![]() | 2106 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | IS39LV512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 512kbit | 70 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | Cy7C025AV-25AXIT | - | ![]() | 4521 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C025 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 25ns | ||||
S25FL256LAGBHI020 | - | ![]() | 8840 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-l | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2166-S25FL256LAGBHI020-428 | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | 確認されていません | ||||||
![]() | M10162040054X0IWAR | 34.1348 | ![]() | 5041 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | M10162040054 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 1.71V〜2V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 800-M10162040054X0IWARTR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 54 MHz | 不揮発性 | 16mbit | ラム | 4m x 4 | - | - | ||||
![]() | Cy62256NLL-70SNXAT | - | ![]() | 4531 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | Cy62256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | GS8673ED18BGK-675I | 328.1075 | ![]() | 5543 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 260-BGA | GS8673ED | sram- クアッドポート、同期 | 1.3V〜1.4V | 260-BGA (22x14) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8673ED18BGK-675I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 8 | 675 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1021B-12VXCT | - | ![]() | 4375 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | MT29F2T08EMLEEJ4-QJ:e | 52.9800 | ![]() | 8773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ:e | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT47H64M16NF-25E IT:M | - | ![]() | 1839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MX25L1006EZUI-10G | 0.4500 | ![]() | 43 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX05/06/08 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | MX25L1006 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 12,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 50µs、3ms | ||||
![]() | 5962-8866201 | - | ![]() | 5673 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | - | 800-5962-8866201 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IDT71P72604S200BQG | - | ![]() | 1201 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71P72 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71P72604S200BQG | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.88 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1399B-20ZCT | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy7C1399 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 256kbit | 20 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | S28HS02GTFPBHB050 | 48.4050 | ![]() | 2232 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 24-FBGA (8x8) | ダウンロード | 2,600 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||||||||||
![]() | 71v67703S75bg8 | 26.1188 | ![]() | 9680 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | 71v67703 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 70121S55J | - | ![]() | 9971 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 70121S55 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 18kbit | 55 ns | sram | 2k x 9 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | Cy7C1312CV18-250BZI | - | ![]() | 7852 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1312 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C15632KV18-500BZC | - | ![]() | 8027 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C15632 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 500 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1318KV18-300BZXC | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1318 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 300 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | M58LT256KST7ZA6E | - | ![]() | 4120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | NV25080DTVLT3G | 0.5336 | ![]() | 8705 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | NV25080 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-NV25080DTVLT3GTR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 20 ns | Eeprom | 1k x 8 | spi | 4ms | ||
![]() | S25FS128SDSNFI100 | - | ![]() | 8106 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FS128SDSNFI100 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 03x7052-c | 220.0000 | ![]() | 1100 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-03x7052-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
S25FL512SAGBHMC10 | 12.9500 | ![]() | 9696 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | AS9F34G08SA-25bin | 4.8400 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-FBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS9F34G08SA-25bin | 210 | 不揮発性 | 4gbit | 20 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns 、700µs | |||||||
![]() | w25n02kwzeir tr | 3.6129 | ![]() | 6953 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25N02KWZEIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 8 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs |
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