画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25WP128-JMLE-TY | - | ![]() | 6659 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP128-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||||
![]() | STK14D88-RF45I | 11.1200 | ![]() | 896 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | STK14D88 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | 確認されていません | |||||
![]() | GS8640Z36GT-250I | 105.7100 | ![]() | 2427 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | GS8640Z | sram- zbt | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 100-TQFP (20x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8640Z36GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | USBF1600-I/MFVAO | - | ![]() | 7579 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | USBF1600 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-wdfn (5x6) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 1.5ms | |||||
![]() | Cy7C1512KV18-200BZXI | 102.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1512 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | S25FL256LAGMFI000 | 4.8000 | ![]() | 2904 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2156-S25FL256LAGMFI000-428 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 7164L45TPG | - | ![]() | 7266 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-dip (0.300 "、7.62mm) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | - | 800-7164L45TPG | 1 | 揮発性 | 64kbit | 45 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 45ns | |||||||||
![]() | S25FL256SAGMFI000 | 11.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2832-S25FL256SAGMFI000 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 43 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | 検証 | ||
![]() | w957d8mfya5i | 3.7300 | ![]() | 9311 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W957D8 | ハイパーラム | 3V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W957D8MFYA5I | ear99 | 8542.32.0002 | 480 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 36 ns | ドラム | 16m x 8 | ハイパーバス | 35ns | ||
![]() | RM24C512C-LCSI-T | - | ![]() | 2053 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 6-XFBGA 、WLCSP | RM24C512 | Eeprom | 1.65v〜3.6V | 6-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1265-RM24C512C-LCSI-TTR | 廃止 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 100μs5ms | |||||
![]() | 71024S15ty | - | ![]() | 2071 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | 71024S | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MB85R4002ANC-GE1 | 17.5883 | ![]() | 4558 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | MB85R4002 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 128 | 不揮発性 | 4mbit | 150 ns | フラム | 256k x 16 | 平行 | 150ns | ||||
MT29F4G01ABBFD12-AAT:F Tr | 3.8498 | ![]() | 1901年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | MT29F4G01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT29F4G01ABBFD12-AAT:FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | |||||
![]() | cy62128ell-55zaxekj | 4.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 599092-002-C | 30.0000 | ![]() | 9941 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-599092-002-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | mt53e4d1bhj-dc tr | 22.5000 | ![]() | 9778 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4D1BHJ-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | cy14v101q3-sfxi | 12.8625 | ![]() | 9282 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | Cy14V101 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 920 | 30 MHz | 不揮発性 | 1mbit | nvsram | 128k x 8 | spi | - | ||||
![]() | 7008S55PF8 | - | ![]() | 8124 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7008S55 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 512kbit | 55 ns | sram | 64k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | HX-ML-X64G4RT-HC | 835.0000 | ![]() | 6434 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-HX-ML-X64G4RT-HC | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 67y0016-c | 35.0000 | ![]() | 1055 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-67Y0016-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1069AV33-10ZXC | - | ![]() | 4578 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1069 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 108 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | M30042040108X0PWAY | 14.5624 | ![]() | 6896 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | M30042040108 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 800-M30042040108X0PWAY | ear99 | 8542.32.0071 | 225 | 108 MHz | 不揮発性 | 4mbit | ラム | 1m x 4 | - | - | ||||
![]() | MT29F1G16ABBFAH4-IT:F | - | ![]() | 8002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT:f | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | w25q32jvtbam | - | ![]() | 3846 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVTBAM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | 7143LA90J8 | - | ![]() | 7635 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 7143la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 32kbit | 90 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | MT62F1G64D4EK-023 FAAT:C TR | 94.8900 | ![]() | 3792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | |||||||||
![]() | nlq43pfs-8nit tr | 15.7000 | ![]() | 1354 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-FBGA (10x14.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||||
![]() | M29W400FB5AN6F TR | - | ![]() | 4606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | 7024S35pf | - | ![]() | 2151 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7024S35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 64kbit | 35 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | MX29GL512GDT2I-11Q | 7.3590 | ![]() | 1017 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29GL | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | 3 (168 時間) | 1092-MX29GL512GDT2I-11Q | 96 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | CFI | 100ns |
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